本申请总体上涉及电子封装,并且更具体地涉及半导体封装。
背景技术:
1、半导体行业正在开发功率处理能力越来越强的集成电路。这给集成电路的电源输入和输出带来了挑战。增加功率意指更大的电流、更高的电压,或者两者兼而有之。在一些集成电路封装件中,导电连接柱被形成在管芯的管芯连接焊盘上。导电连接柱的远端上的焊料凸块与一系列引线(有时呈多层封装衬底的形式)上的焊盘配合。例如,引线和管芯被包封以形成可安装到印刷电路板上的封装件。
2、经由引线、焊料凸块和导电连接柱向集成电路提供电信号和从集成电路提供电信号。如果引线中出现过多电流,就会生成热量,从而导致焊料凸块无法提供电连接或使连接退化至集成电路出现故障的程度。该问题有时通过更多引线和更多导电连接柱来解决。然而,这并不总是可行的,会增加成本,并且会产生更多的引线电容和/或电感,这可能会使集成电路的操作退化。因此,需要创建具有增加的电流容量而不增加引线电容和/或电感的引线系统。
技术实现思路
1、根据一个示例,一种方法包括布置至少两个导体,并且对通过至少两个导体的导体电流进行建模,以确定至少两个导体中的电流密度。该方法还包括将至少两个导体修正为经调整的导体,以将导电材料添加到导体的区域,在该区域中,建模导体电流显示出高于平均电流密度;制造经调整的导体;以及将管芯安装到经调整的导体上。
2、根据另一示例,一种方法包括布置至少两个导体,并且在至少两个导体中的一个和管芯之间布置至少一个导电连接柱。该方法还包括对通过至少两个导体和至少一个导电连接柱的导体电流进行建模,以确定至少两个导体和至少一个导电连接柱中的电流密度。该方法还包括将至少两个导体修正为经调整的导体,以将导电材料添加到导体的区域,在该区域中,建模导体电流显示出高于平均电流密度,并且如果至少一个导电连接柱中的电流密度大于选定阈值,则将至少一个导电连接柱的尺寸调整为经调整的导电连接柱。该方法还包括在管芯上制造经调整的导电连接柱;制造经调整的导体;以及使用经调整的导电连接柱将管芯安装到经调整的导体上。
3、根据另一示例,一种装置包括至少两个经调整的导体,经调整的导体的布局通过以下操作来确定:对通过至少两个导体的导体电流进行建模以确定至少两个导体中的电流密度,并且将至少两个导体修正为经调整的导体,以将导电材料添加到导体的区域,在该区域中,建模导体电流显示出高于平均电流密度。该装置还包括安装到经调整的导体上的管芯。
1.一种方法,其包含:
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包含将导电材料沉积到键合焊盘上,以形成所述经调整的导电连接柱。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述经调整的导电连接柱包括位于所述经调整的导电连接柱的远离所述管芯的一端处的焊料凸块。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含调整所述经调整的导体相对于彼此的定位,以提供所述经调整的导体之间的最小间距。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述经调整的导体位于多层封装衬底的一层中。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述密封剂是模塑化合物。
8.一种方法,其包含:
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包含将导电材料沉积到键合焊盘上,以形成所述经调整的导电连接柱。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述经调整的导电连接柱包括位于所述所述经调整的导电连接柱的远离所述管芯的一端处的焊料凸块。
11.根据权利要求8所述的方法,其进一步包含调整所述经调整的导体相对于彼此的位置,以提供所述经调整的导体之间的最小间距。
12.根据权利要求8所述的方法,其中所述经调整的导体位于多层封装衬底的一层中。
13.根据权利要求8所述的方法,其中所述密封剂是模塑化合物。
14.一种装置,其包含:
15.根据权利要求14所述的装置,其进一步包含:
16.根据权利要求15所述的装置,其中所述经调整的导电连接柱包括沉积在键合焊盘上以形成所述经调整的导电连接柱的导电材料。
17.根据权利要求15所述的装置,其进一步包含位于所述经调整的导电连接柱的远离所述管芯的一端处的焊料凸块。
18.根据权利要求14所述的装置,其中所述经调整的导体相对于彼此定位,以提供所述经调整的导体之间的最小间距。
19.根据权利要求14所述的装置,其中所述经调整的导体位于多层封装衬底的一层中。
20.根据权利要求14所述的装置,其进一步包含包封所述管芯和所述经调整的导体的密封材料。