晶片封装体及其制造方法与流程

文档序号:35985947发布日期:2023-11-10 08:49阅读:42来源:国知局
晶片封装体及其制造方法与流程

本公开有关一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。


背景技术:

1、一般而言,用于影像感测的晶片封装体具有晶片与在晶片上的透光片。透光片可供光线通过以让晶片的感测区接收。

2、在晶圆级封装工艺中,晶圆会先与透光片接合,并于工艺最后切割成晶片。由于透光片需提供支撑力,因此透光片的厚度远大于晶圆的厚度(例如三倍以上),并不利于薄型化设计。此外,接合的晶圆与透光片切割成晶片封装体后,晶片的侧壁与透光片的侧壁皆为裸露的,容易破裂损坏。


技术实现思路

1、本公开的一技术态样为一种晶片封装体。

2、根据本公开的一些实施方式,一种晶片封装体包括透光片、晶片、接合层及阻隔层。透光片具有凸出部。晶片具有相对的第一表面与第二表面,且第一表面朝向透光片且具有感测区。接合层位于晶片与透光片之间。晶片的厚度与接合层的厚度的和大于等于透光片的厚度。透光片的凸出部凸出于晶片的侧壁与接合层的侧壁。阻隔层从晶片的第二表面沿晶片的侧壁与接合层的侧壁延伸到透光片的凸出部上。

3、在一些实施方式中,上述透光片的厚度小于120μm。

4、在一些实施方式中,上述透光片朝向接合层的表面与凸出部朝向阻隔层的表面之间的距离占透光片的厚度的15%至30%。

5、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括金属屏蔽层。金属屏蔽层位于晶片的第二表面上。

6、在一些实施方式中,上述金属屏蔽层从晶片的第二表面沿晶片的侧壁与接合层的侧壁延伸到透光片的凸出部上。

7、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括第一滤光层。第一滤光层位于晶片的第一表面上且不与感测区重叠。

8、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括第二滤光层。第二滤光层位于晶片的第一表面上且与感测区重叠。第二滤光层由第一滤光层围绕,且第二滤光层的厚度小于接合层的厚度且大于第一滤光层的厚度。

9、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括红外线滤光层。红外线滤光层位于透光片与接合层之间。

10、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括红外线滤光层。红外线滤光层位于晶片与接合层之间。

11、在一些实施方式中,上述晶片具有导电垫与露出导电垫的穿孔。晶片封装体还包括绝缘层与重布线层。绝缘层位于晶片的第二表面与穿孔的壁面上。重布线层位于绝缘层上且电性连接导电垫。

12、在一些实施方式中,上述晶片封装体还包括导电结构。导电结构凸出于阻隔层且位于重布线层上。

13、本公开的另一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。

14、根据本公开的一些实施方式,一种晶片封装体的制造方法包括使用接合层将透光片接合于晶圆的第一表面上,其中晶圆的第一表面具有感测区;从晶圆背对接合层的第二表面切割至透光片,以形成沟槽,使透光片具有在沟槽下方的凸出部,且凸出部凸出于晶圆的侧壁与接合层的侧壁;形成阻隔层从晶圆的第二表面沿晶圆的侧壁与接合层的侧壁延伸到透光片的凸出部上;研磨透光片使晶圆的厚度与接合层的厚度的和大于等于透光片的厚度;以及沿沟槽切割阻隔层与透光片。

15、在一些实施方式中,上述研磨透光片使透光片朝向接合层的表面与凸出部朝向阻隔层的表面之间的距离占透光片的厚度的15%至30%。

16、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成金属屏蔽层于晶圆的第二表面上。

17、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成第一滤光层于晶圆的第一表面上,其中第一滤光层不与感测区重叠。

18、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成第二滤光层于晶圆的第一表面上且与感测区重叠,其中第二滤光层由第一滤光层围绕,第二滤光层的厚度小于接合层的厚度且大于第一滤光层的厚度。

19、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成红外线滤光层于透光片上。

20、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成红外线滤光层于晶圆的第一表面上。

21、在一些实施方式中,上述晶片的第一表面具有导电垫,晶片封装体的制造方法还包括在晶圆中形成露出导电垫的穿孔;以及形成绝缘层于晶圆的第二表面与穿孔的壁面上。

22、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成重布线层于绝缘层上,其中重布线层延伸至穿孔中且电性连接导电垫。

23、在一些实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包括形成导电结构于重布线层上,使导电结构凸出于阻隔层。

24、在本公开上述实施方式中,由于晶片封装体的透光片的凸出部凸出于晶片的侧壁与接合层的侧壁,因此阻隔层可覆盖晶片的侧壁并延伸到透光片中。如此一来,阻隔层可保护晶片的侧壁避免破裂损坏,还可提升晶片封装体的整体强度,因此可研磨透光片以利于薄型化设计。



技术特征:

1.一种晶片封装体,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片的该厚度小于120μm。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该透光片朝向该接合层的表面与该凸出部朝向该阻隔层的表面之间的距离占该透光片的该厚度的15%至30%。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

5.根据权利要求4所述的晶片封装体,其特征在于,该金属屏蔽层从该晶片的该第二表面沿该晶片的该侧壁与该接合层的该侧壁延伸到该透光片的该凸出部上。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

7.根据权利要求6所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

8.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

9.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

10.根据权利要求1所述的晶片封装体,其特征在于,该晶片具有导电垫与露出该导电垫的穿孔,该晶片封装体还包括:

11.根据权利要求10所述的晶片封装体,其特征在于,还包括:

12.一种晶片封装体的制造方法,其特征在于,包括:

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,研磨该透光片使该透光片朝向该接合层的表面与该凸出部朝向该阻隔层的表面之间的距离占该透光片的该厚度的15%至30%。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:

15.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:

17.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:

18.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,该晶圆的该第一表面具有导电垫,该制造方法还包括:

19.根据权利要求18所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:

20.根据权利要求19所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包括:


技术总结
本公开提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括透光片、晶片、接合层及阻隔层。透光片具有凸出部。晶片具有相对的第一表面与第二表面,且第一表面朝向透光片且具有感测区。接合层位于晶片与透光片之间。晶片的厚度与接合层的厚度的和大于等于透光片的厚度。透光片的凸出部凸出于晶片的侧壁与接合层的侧壁。阻隔层从晶片的第二表面沿晶片的侧壁与接合层的侧壁延伸到透光片的凸出部上。阻隔层可保护晶片的侧壁避免破裂损坏,还可提升晶片封装体的整体强度。

技术研发人员:简玮铭,李柏汉,刘沧宇,赖炯屹
受保护的技术使用者:精材科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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