MOS器件及其制备方法与流程

本申请涉及半导体，具体涉及一种mos器件及其制备方法。

背景技术：

1、现有技术中，金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)器件的击穿电压(breakdown voltage)是指在栅极接地的情况下，流过漏源极电流为一个特定值时的漏源电压，其是mos晶体管击穿前能连续加在漏源极的最高瞬间的电压值。击穿电压是衡量mos晶体管耐压程度的关键参数，其越大代表mos晶体管的耐压性能越好。但现有的器件结构中，其耐压性能不佳。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种mos器件及其制备方法，以解决现有mos器件击穿电压低的问题。

2、本申请提供一种mos器件，包括：

3、衬底，具有漂移区以及位于所述漂移区两侧的源漏极区；

4、栅介质层，设置于所述衬底上，且位于所述漂移区；

5、栅电极，设置于所述栅介质层上；

6、隔离层，设置于所述栅介质层以及所述栅电极的侧壁上，且设置于所述漂移区上；

7、侧墙层，设置于所述隔离层上；

8、阻挡部，设置于所述漂移区上，且与所述隔离层连接，所述栅介质层、所述阻挡部以及设置于所述衬底上的部分所述隔离层构成遮挡层；以及

9、第一金属硅化物，设置于所述源漏极区上；

10、其中，自所述栅电极朝向所述衬底的方向上，所述遮挡层的投影的边缘与所述第一金属硅化物的投影的边缘接触。

11、其中，所述隔离层与所述阻挡部包覆所述侧墙层靠近所述衬底的一端。

12、其中，所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料相同。

13、其中，自所述栅电极朝向所述衬底的方向上，所述侧墙层的投影与所述第一金属硅化物的投影间隔设置。

14、其中，还包括第二金属硅化物，设置于所述栅电极上。

15、其中，所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料不相同。

16、本申请还提供一种mos器件的制备方法，包括：

17、提供一衬底结构，包括衬底、栅介质层、栅电极、隔离层以及侧墙层，所述衬底具有漂移区以及设置于所述漂移区两侧的源漏极区，所述栅介质层以及所述栅电极依次层叠设置于所述漂移区上，所述隔离层设置于所述栅电极以及所述栅介质层的侧壁上，且所述隔离层还设置于所述漂移区上，所述侧墙层设置于所述隔离层上；

18、形成覆盖所述衬底结构的阻挡层；

19、对所述阻挡层进行干蚀刻处理，去除部分所述阻挡层，以在所述漂移区上形成与所述隔离层连接的阻挡部，所述栅介质层、所述阻挡部以及设置于所述衬底上的部分所述隔离层；以及

20、以所述遮挡层为遮挡，在所述源漏极区上形成第一金属硅化物；其中，自所述栅电极朝向所述衬底的方向上，所述遮挡层的投影的边缘与所述第一金属硅化物的投影的边缘接触。

21、其中，所述隔离层与所述阻挡部包覆所述侧墙层靠近所述衬底的一端。

22、其中，形成所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料相同。

23、其中，在以所述遮挡层为遮挡，在所述源漏极区上形成第一金属硅化物中，包括：

24、以所述遮挡层为遮挡，在所述栅电极上形成第二金属硅化物，并在所述源漏极区上形成第一金属硅化物。

25、本申请提供一种mos器件及其制备方法，mos器件包括衬底、栅介质层、栅电极、隔离层、侧墙层、阻挡部以及第一金属硅化物，衬底具有漂移区以及位于漂移区两侧的源漏极区；栅介质层设置于衬底上，且位于漂移区；栅电极设置于栅介质层上；隔离层设置于栅介质层以及栅电极的侧壁上，且设置于漂移区上；侧墙层设置于隔离层上；阻挡部设置于漂移区上，且与隔离层连接，栅介质层、阻挡部以及设置于衬底上的部分隔离层构成遮挡层；第一金属硅化物，设置于源漏极区上；其中，自栅电极朝向衬底的方向上，遮挡层的投影的边缘与第一金属硅化物的投影的边缘接触，以改善器件源漏极的击穿电压。

技术特征：

1.一种mos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述隔离层与所述阻挡部包覆所述侧墙层靠近所述衬底的一端。

3.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料相同。

4.根据权利要求1所述的mos器件，其特征在于，自所述栅电极朝向所述衬底的方向上，所述侧墙层的投影与所述第一金属硅化物的投影间隔设置。

5.根据权利要求1-4任一项所述的mos器件，其特征在于，还包括第二金属硅化物，设置于所述栅电极上。

6.根据权利要求1-4任一项所述的mos器件，其特征在于，所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料不相同。

7.一种mos器件的制备方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的mos器件的制备方法，其特征在于，所述隔离层与所述阻挡部包覆所述侧墙层靠近所述衬底的一端。

9.根据权利要求7所述的mos器件的制备方法，其特征在于，形成所述侧墙层、所述阻挡部以及所述栅介质层的材料相同。

10.根据权利要求7所述的mos器件的制备方法，其特征在于，在以所述遮挡层为遮挡，在所述源漏极区上形成第一金属硅化物中，包括：

技术总结
本申请提供一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底、栅介质层、栅电极、隔离层、侧墙层、阻挡部以及第一金属硅化物，衬底具有漂移区以及位于漂移区两侧的源漏极区；栅介质层设置于衬底上，且位于漂移区；栅电极设置于栅介质层上；隔离层设置于栅介质层以及栅电极的侧壁上，且设置于漂移区上；侧墙层设置于隔离层上；阻挡部设置于漂移区上，且与隔离层连接，栅介质层、阻挡部以及设置于衬底上的部分隔离层构成遮挡层；第一金属硅化物，设置于源漏极区上；其中，自栅电极朝向衬底的方向上，遮挡层的投影的边缘与第一金属硅化物的投影的边缘接触，以改善器件源漏极的击穿电压。

技术研发人员：黄灿阳,张帆,田野
受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14