本公开的实施例属于芯片封装,具体涉及一种扇出型芯片封装方法及结构。
背景技术:
1、在超大尺寸的扇出型封装芯片加工过程中,结构中的硅、塑封材料以及金属材料之间的热膨胀系数不匹配,由于模塑料固化收缩的影响,封装结构中将产生各种应力,导致封装表面翘曲,从而影响后续组装工艺。较大的翘曲还会造成重布线层分层、芯片桥接的异常等,对封装体的应用带来一系列可靠性挑战。
2、超大的芯片级翘曲已成为fc制程中的阻塞点,传统的fc回流焊不能应付大于100μm的翘曲,只能采取tcb(热压键合)或者定制对应的专用模具进行焊接,工艺复杂、成本高昂。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种扇出型芯片封装方法及结构。
2、本公开的一个方面提供一种扇出型芯片封装方法,包括:
3、提供基板、加强衬底和初始芯片封装体;其中,所述基板的表面设置有焊盘,所述初始芯片封装体的第一表面设置有焊球;
4、将所述初始芯片封装体的与所述第一表面相对的第二表面固定于所述加强衬底,得到中间芯片封装体;
5、对所述中间芯片封装体进行切割,得到芯片封装单元;
6、将所述芯片封装单元的焊球焊接于所述基板的焊盘。
7、可选的,所述将所述初始芯片封装体的第二表面固定于所述加强衬底,包括:
8、在所述加强衬底的表面粘贴芯片粘结膜;
9、将所述初始芯片封装体的第二表面通过所述芯片粘结膜固定于所述加强衬底。
10、可选的,在将所述初始芯片封装体的第二表面通过所述芯片粘结膜固定于所述加强衬底之后,所述方法还包括:
11、对所述芯片粘结膜进行加热。
12、可选的,在将所述初始芯片封装体的第二表面固定于所述加强衬底之前,所述方法还包括:
13、将所述初始芯片封装体的第二表面进行减薄。
14、优选的,所述将所述初始芯片封装体的第二表面进行减薄,包括:
15、将所述初始芯片封装体的第二表面减薄至裸露出芯片。
16、可选的,在将所述初始芯片封装体的第二表面进行减薄之前,所述方法还包括:在所述初始芯片封装体的第一表面设置保护膜;
17、在将所述初始芯片封装体的第二表面固定于所述加强衬底之后,所述方法还包括:去除所述保护膜。
18、可选的,所述扇出型芯片封装方法还包括:
19、提供封装盖板;
20、将所述封装盖板的中央区域盖设于所述芯片封装单元,以及将所述封装盖板的边缘区域固定于所述基板。
21、本公开的另一个方面提供一种扇出型芯片封装结构,包括基板、加强衬底和芯片封装单元;
22、所述基板的表面设置有焊盘,所述芯片封装单元的第一表面设置有焊球,所述加强衬底固定于所述芯片封装单元的与所述第一表面相对的第二表面;
23、所述芯片封装单元通过所述焊球键合于所述基板。
24、可选的,所述扇出型芯片封装结构还包括芯片粘结膜,用于将所述加强衬底粘合于所述芯片封装单元。
25、可选的,所述扇出型芯片封装结构还包括封装盖板;
26、所述封装盖板的中央区域盖设于所述芯片封装单元,所述封装盖板的边缘区域固定于所述基板。
27、本公开实施例的一种扇出型芯片封装方法及结构,通过将加强衬底固定于封装体,强化封装体的刚性,从而减小大尺寸封装体在使用传统回流焊焊接至基板过程中的翘曲。本公开操作简单,无需为大尺寸封装体定制专用摸具,节省了封装成本,与此同时使用成熟传统的焊接工艺也保证了封装良率和可靠性。
1.一种扇出型芯片封装方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,所述将所述初始芯片封装体的第二表面固定于所述加强衬底,包括:
3.根据权利要求2所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,在将所述初始芯片封装体的第二表面通过所述芯片粘结膜固定于所述加强衬底之后,所述方法还包括:
4.根据权利要求1至3任一项所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,在将所述初始芯片封装体的第二表面固定于所述加强衬底之前,所述方法还包括:
5.根据权利要求4所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,所述将所述初始芯片封装体的第二表面进行减薄,包括:
6.根据权利要求4所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,
7.根据权利要求1至3任一项所述的扇出型芯片封装方法,其特征在于,所述方法还包括:
8.一种扇出型芯片封装结构,其特征在于,包括基板、加强衬底和芯片封装单元;
9.根据权利要求8所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述结构还包括芯片粘结膜,用于将所述加强衬底粘合于所述芯片封装单元。
10.根据权利要求8或9任一项所述的大尺寸扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述结构还包括封装盖板;