发光装置及发光元件的制作方法

本发明涉及一种发光装置，且特别是涉及一种包含一发光元件的发光装置。

背景技术：

1、 发光二极管(light-emitting diode ,led)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低、产生的热能低、工作寿命长、防震、体积小、反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此，发光二极管被广泛应用于家用电器、设备指示灯及光电产品等。

2、现有部分发光元件以反射金属层作为主要反射镜材料，以实现较好的发光元件出射光的反射。然而，反射金属层并不是整面覆盖在发光元件的表面上，在与n欧姆接触电极接触的发光元件表面未被反射金属层覆盖，因此n欧姆接触电极材料的反射率同样也会影响发光元件的亮度。

3、中国专利文献cn202110839925.5公开了一种发光二极管，包括：第一半导体层、有源层、第二半导体层、形成在第二半导体层上的第二金属反射层以及与第一半导体层形成欧姆接触的第一金属反射层，其中第一金属反射层采用al与第一半导体层直接接触，以增加n欧姆接触电极的反射率，进而提升发光元件的亮度。

技术实现思路

1、根据本发明的一实施例，提供了一种发光装置，包括：

2、发光元件，所述发光元件发出第一波长的光；

3、波长转换层，覆盖于所述发光元件，所述波长转换层包括第一波长转换材料和第二波长转换材料，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第一波长转换材料转换成第二波长的光，所述发光元件发出的第一波长的光经所述第二波长转换材料转换成第三波长的光；

4、其中，所述发光元件包括：

5、半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；

6、接触层，包括部分与所述第一半导体层接触；

7、其中，所述接触层对第三波长的反射率大于85%，所述接触层对所述第三波长的反射率大于所述第一波长的反射率，所述接触层对所述第二波长的反射率大于所述第一波长的反射率。

8、如上所述，本发明提供一种发光装置，该发光装置包含发光元件以及波长转换层；波长转换层使发光元件发射的第一波长的光经波长转换层转换成第二波长的光、第三波长的光。其中，发光元件包含第一接触层，使第一接触层对第三波长的反射率大于85%，可以增加经过波长转换材料转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。

技术特征：

1.一种发光装置，其特征在，包括 ：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一接触层在法向上对大于620nm的光波的反射率大于560nm~600nm的光波的反射率，所述第一接触层在法向上对大于620nm的光波的反射率大于430nm~470nm的光波的反射率。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一接触层包括与第一半导体层接触的铬/银叠层。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述铬层的厚度为5~20埃，所述银层的厚度为50~300nm。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述绝缘层包含第一绝缘层和第二绝缘层，在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间还设置有一金属反射层，所述金属反射层与第一绝缘层之间设置一粘附层。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述金属反射层包括银或者铝。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：还包括一设置在所述绝缘层上的第二接触层，该第二接触层与所述第二半导体层形成电性连接。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于：在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二接触层的投影面积小于所述第一接触层的投影。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一接触层包含多个金属叠层，所述金属叠层包含银，所述银层的厚度为50~300nm。

10.一种发光元件，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于：所述第一接触层在法向上对620nm~700nm光波的反射率大于430nm~470nm光波的反射率。

12.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于：所述第一接触层在法向上对620nm~700nm光波的反射率大于560nm~600nm光波的反射率。

13.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于：所述第一接触层在法向上对560nm~600nm光波的反射率大于430nm~470nm光波的反射率。

14.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二半导体层上，所述第一绝缘层具有一或多个露出透明导电层部分表面的第一开口，所述金属层通过所述第一开口与所述透明导电层接触。

15.根据权利要求1~14任一所述的发光装置，其特征在：还包括一设置在所述半导体叠层的表面之上的波长转换层，所述有源层向外发射波长为430nm~470nm的光线，并且至少一部分的光线经过所述波长转换层进行激发转换为620nm~700nm的光线。

16.根据权利要求1~14任一所述的发光装置，其特征在：还包括一设置在所述半导体叠层的表面之上的波长转换层，所述有源层向外发射波长为430nm~470nm的光线，并且至少一部分的光线经过所述波长转换层进行激发转换为560nm~600nm的光线。

技术总结
本发明提供一种发光装置，包括：发光元件和波长转换层，所述发光元件发出的第一波长的光经所述波长转换层转换成第二波长的光和第三波长的光；其中，所述发光元件包括第一接触层，所述第一接触层对第三波长的反射率大于85%，从而可以增加经过波长转换层转换的第二波长的光、第三波长的光反射到发光元件表面上的光线的反射率，从而提高发光装置的白光转换效率和光取出效率。

技术研发人员：朱秀山,陈吉,李燕,荆琪,张中英,蔡吉明,卢志龙
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15