热处理装置和热处理装置的温度调节方法与流程

本公开涉及热处理装置和热处理装置的温度调节方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种基片处理装置(热处理装置)，其通过将多个基片收纳在处理容器内，一边对各基片进行加热，一边供给处理气体，来进行成膜等基片处理。

2、这种热处理装置为了调节处理容器的温度，利用设置于处理容器外部的加热器单元(调温炉)的加热器来从外侧对处理容器进行加热，或者通过向调温炉内的空间供给空气来从外侧对处理容器进行冷却。热处理装置具有根据工艺条件的要求，例如在80℃～800℃的范围调节处理容器的温度的情况。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-142237号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够高效地调节处理容器的温度的技术。

3、用于解决问题的技术手段

4、根据本公开的一方式，提供一种热处理装置，包括：处理容器，其具有能够处理基片的内部空间；调温炉，其配置于所述处理容器的周围，从所述处理容器的外侧对收纳于所述内部空间的基片进行加热；和内部调温单元，其相对于所述处理容器能够相对移动，且在与开放所述内部空间的开口相对地配置的状态下，向所述内部空间供给用于调节所述处理容器的温度的调温用气体。

5、发明效果

6、根据一方式，能够高效地调节处理容器的温度。

技术特征：

1.一种热处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求1～6中任一项所述的热处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求1～6中任一项所述的热处理装置，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的热处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求1～6中任一项所述的热处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求10所述的热处理装置，其特征在于：

12.一种热处理装置的温度调节方法，所述热处理装置包括处理容器，该处理容器具有能够处理基片的内部空间，所述温度调节方法的特征在于，具有：

技术总结
本发明提供一种热处理装置和热处理装置的温度调节方法，其能够高效地调节处理容器的温度，从而能够提高作为基片处理整体的吞吐量。一种热处理装置，其包括：处理容器，其具有能够处理基片的内部空间；和调温炉，其配置于所述处理容器的周围，从所述处理容器的外侧对所述基片进行加热。此外，热处理装置1包括内部调温单元，其相对于所述处理容器能够相对移动，且在与开放所述内部空间的开口相对地配置的状态下，向所述内部空间供给用于调节所述处理容器的温度的调温用气体。

技术研发人员：高桥真实,小原一辉,山口达也
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15