基板固定装置的制作方法

本发明涉及基板固定装置。

背景技术：

1、在现有技术中，制造诸如ic和lsi等半导体器件时使用的膜形成设备(例如，cvd设备、pvd设备等)和等离子体蚀刻设备具有用于在真空处理腔中精确保持晶片的台。作为这种台，例如，提出了一种基板固定装置，该基板固定装置通过安装在底板上的静电吸盘来吸附并且保持作为待吸附的目标对象的晶片。基板固定装置包括例如用于调节晶片温度的发热元件和覆盖发热元件的绝缘(隔绝)层(例如，参照专利文献1)。

2、引文列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利no.6708518

技术实现思路

1、然而，覆盖发热元件的绝缘层可能暴露于约300℃的高温下，并且在此种情况下，绝缘层可能劣化和剥落。

2、鉴于上述情况来做出本发明，并且本发明的目的是提供能够抑制绝缘层剥离的基板固定装置。

3、根据本发明的方面，提供了一种基板固定装置，该基板固定装置包括：底板；发热部件，该发热部件经由粘合层设置在底板上；以及静电吸盘，该静电吸盘设置在发热部件上并且构造成吸附和保持待吸附的目标对象。发热部件包括：第一绝缘层(第一隔绝层)，该第一绝缘层具有第一表面以及与该第一表面相反的第二表面，第一表面与静电吸盘接触；发热元件，该发热元件布置在第一绝缘层的第二表面上；以及第二绝缘层(第二隔绝层)，该第二绝缘层堆叠在第一绝缘层的第二表面上并且覆盖发热元件。设置有穿透底板、粘合层和第二绝缘层并且露出发热元件的一部分的通孔。第二绝缘层的玻璃化转变温度高于第一绝缘层的玻璃化转变温度。

4、根据所公开的技术，可以提供能够抑制绝缘层剥离的基板固定装置。

技术特征：

1.一种基板固定装置，包括：

2.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第二绝缘层的玻璃化转变温度为300℃以上。

3.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第二绝缘层的材料为聚酰亚胺基树脂或硅基树脂。

4.根据权利要求3所述的基板固定装置，其中，所述第一绝缘层的材料为环氧基树脂。

5.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板固定装置，其中，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中的至少一个中埋入有传热片。

7.根据权利要求6所述的基板固定装置，其中，所述传热片是石墨片。

8.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第一绝缘层和所述静电吸盘在没有粘合剂的情况下直接结合。

9.根据权利要求1所述的基板固定装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在没有粘合剂的情况下直接结合。

技术总结
本发明涉及基板固定装置，该基板固定装置包括：底板；发热部件，其经由粘合层设置在底板上；以及静电吸盘，其设置在发热部件上并且构造成吸附和保持待吸附的目标对象。发热部件包括：第一绝缘层，其具有第一表面以及与该第一表面相反的第二表面，第一表面与静电吸盘接触；发热元件，其布置在第一绝缘层的第二表面上；以及第二绝缘层，其堆叠在第一绝缘层的第二表面上并且覆盖发热元件。设置有穿透底板、粘合层和第二绝缘层并且露出发热元件的一部分的通孔。第二绝缘层的玻璃化转变温度高于第一绝缘层的玻璃化转变温度。

技术研发人员：内山彩
受保护的技术使用者：新光电气工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15