1.一种提供过内阻检测的mosfet，包含：源区（1）、栅极（2）、栅氧层（3）和底接区（4）；其中：
2.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述硅基底片（5）具有n型或p型半导体特性，在mosfet的制造过程中通过掺杂、熔融、氧化和刻蚀多级化学加工提高所述硅基底片（5）中的载流子浓度和控制器件的电阻，并减少电气噪声和干扰以保证mosfet性能。
3.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述漏结区（6）采用低离子掺杂的p型或n型硅降低所述漏结区（6）的电流噪声，以保证mosfet的输出品质，所述mosfet通过控制所述栅极（2）电压调节所述漏结区（6）和源区（1）之间的电流大小。
4.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述驱动电路（7）包括比较器、控制单元、输出电路和电流源，所述比较器采用高精度运算放大器，用于测量输出电压与参考电压之间的差异，并将其作为一个反馈信号输出到控制单元，所述控制单元为微处理器，用于根据比较器的反馈信号调整驱动电路（7）的输出电流，所述电流源包括高精度电流源和宽带放大器，以便驱动电流源并将其输出电压与参考电压进行比较，所述输出电路为电压测量器，用于测量测试电源的输出电压，并将结果返回到比较器以进行比较。
5.根据权利要求1所述的一种提供过内阻检测的mosfet，其特征在于：所述反向电压检测变化函数为：
6.一种mosfet的制造方法，其特征在于：应用权利要求1-5任意一项所述的一种提供过内阻检测的mosfet，所述制造方法包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种mosfet的制造方法，其特征在于：所述热化学氧化法采用热解反应及氧化反应原理促进硅片在高温氧气环境下热分解及氧化反应，使得硅片中的无机成分发生氧化反应生成硅氧化物层以保护硅表面及实现渗透控制。
8.根据权利要求6所述的一种mosfet的制造方法，其特征在于：所述光刻机曝光和显影处理基于掩模图形传递和化学反应控制进行光刻操作，在曝光过程中，光刻机采用光源和光学系统将掩模图形传递至硅片表面，激活光刻胶中的感光剂产生化学反应以改变光刻胶层中的物理和化学性质，随着曝光时间的增加，曝光剂在光照下发生光化学反应，进而激活光刻胶中的感光剂，在光刻胶表面上形成与掩模图形相匹配的化学反应图形；在显影处理过程中，光刻胶浸泡在化学显影剂中，显影液中的化学溶剂通过侵蚀或溶解掉光刻胶中未被曝光的部分将掩模图形传递到硅片表面。