微发光二极管显示装置的制作方法

本公开涉及一种微发光二极管显示装置。

背景技术：

1、微发光二极管((micro light-emitting diode,μled)具有良好的稳定性与寿命，同时具有低耗能、高解析度以及高色彩饱和度的优势。

2、然而，随着微发光二极管元件的特征尺寸缩小，如何有效地实现巨量转移(masstransfer)成为提高生产量的瓶颈。举例来说，巨量转移时若无法精准地拾取元件进而妥善地放置，导致元件倾斜甚至倾倒而造成发光二极管元件无法正常驱动，以至于目前微发光二极管显示装置的制造良率偏低。

3、因此，如何提出一种可解决上述问题的微发光二极管显示装置，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开的一个目的在于提出一种可有解决上述问题的微发光二极管显示装置。

2、本公开是有关于一种微发光二极管显示装置包含电路基板、第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及导电层。电路基板具有第一电极接垫、第二电极接垫以及第三电极接垫。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件位于电路基板上，且分别具有第一电极与第二电极。第一发光元件的第一电极电连接于第一电极接垫。第二发光元件的第一电极电连接于第二电极接垫。第一发光元件的第二电极与第二发光元件的第二电极为连续的材料层。第三发光元件的第一电极电连接于第三电极接垫。第三发光元件的第二电极分离于第一发光元件的第二电极与第二发光元件的第二电极。导电层电连接于第一发光元件的第二电极、第二发光元件的第二电极以及第三发光元件的第二电极。

3、在一些实施方式中，第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件分别具有第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层，第一发光元件的第二半导体层与第二发光元件的第二半导体层为连续的半导体材料层，第三发光元件的第二半导体层分离于第一发光元件的第二半导体层与第二发光元件的第二半导体层。

4、在一些实施方式中，第一发光元件的第一半导体层、第二发光元件的第一半导体层以及第三发光元件的第一半导体层为n型半导体层与p型半导体层中的一个，第一发光元件的第二半导体层、第二发光元件的第二半导体层以及第三发光元件的第二半导体层为n型半导体层与p型半导体层中的另一个。

5、在一些实施方式中，微发光二极管显示装置进一步包含一电极接垫，设置于电路基板中，导电层电连接于电极接垫，形成电接触。

6、在一些实施方式中，微发光二极管显示装置进一步包含一电极接垫，设置于电路基板外，导电层电连接于电极接垫，形成电接触。

7、在一些实施方式中，微发光二极管显示装置进一步包含平坦层，位于电路基板与导电层之间，且侧向围绕第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件。

8、在一些实施方式中，微发光二极管显示装置进一步包含一电极接垫，设置于电路基板中，平坦层具有导电通孔，导电层与电极接垫通过导电通孔形成电接触。

9、在一些实施方式中，微发光二极管显示装置进一步包含一电极接垫，设置于电路基板外，导电层电连接于电极接垫，形成电接触。

10、在一些实施方式中，第三发光元件的侧向宽度大于第一发光元件的侧向宽度与第二发光元件的侧向宽度。

11、在一些实施方式中，第一发光元件与第二发光元件的材料包含氮化铟镓。

12、在一些实施方式中，第三发光元件的材料包含磷化铝铟镓。

13、综上所述，于本公开中的一些实施方式的微发光二极管显示装置中，通过第一发光元件的第二电极和/或第二半导体层以及第二发光元件的第二电极和/或第二半导体层形成的连续材料层，增加发光元件结构的稳定性，因此可以在巨量转移时，降低发光元件自基板剥离(peeling)的风险。具体来说，特征尺寸相对小的第一发光元件与第二发光元件包含相同的材料，在制造过程中，第一发光元件与第二发光元件同时形成，同时两者的第二电极和/或第二半导体层形成为连续的材料层，并将第一发光元件与第二发光元件连接在一起，如此一来，形成的结构具有较大的侧向宽度、较小的高宽比，相较于原本高宽比极大的单个发光元件，较不易在转移后于基板上倾倒，导致接合失败。此外，所形成的结构可减少巨量转移的次数，减少巨量转移所耗费的成本与时间，相较于目前常见的微发光二极管显示装置能达到简化工艺的效果。

14、本公开的这些与其他方面通过结合附图对优选实施例进行以下的描述，本公开的实施例将变得显而易见，但在不脱离本公开的新颖概念的精神和范围的情况下，可以进行其中的变化和修改。

技术特征：

1.一种微发光二极管显示装置，包含：

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示装置，其中该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件分别具有一第一半导体层、一第二半导体层以及位于该第一半导体层与该第二半导体层之间的一发光层，该第一发光元件的该第二半导体层与该第二发光元件的该第二半导体层为连续的一半导体材料层，该第三发光元件的该第二半导体层分离于该第一发光元件的该第二半导体层与该第二发光元件的该第二半导体层。

3.如权利要求2所述的微发光二极管显示装置，其中该第一发光元件的该第一半导体层、该第二发光元件的该第一半导体层以及该第三发光元件的该第一半导体层为n型半导体层与p型半导体层中的一个，该第一发光元件的该第二半导体层、该第二发光元件的该第二半导体层以及该第三发光元件的该第二半导体层为n型半导体层与p型半导体层中的另一个。

4.如权利要求1所述的微发光二极管显示装置，进一步包含一电极接垫，设置于该电路基板中，该导电层电连接于该电极接垫，形成一电接触。

5.如权利要求1所述的微发光二极管显示装置，进一步包含一电极接垫，设置于该电路基板外，该导电层电连接于该电极接垫，形成一电接触。

6.如权利要求1所述的微发光二极管显示装置，进一步包含一平坦层，位于该电路基板与该导电层之间，且侧向围绕该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件。

7.如权利要求6所述的微发光二极管显示装置，进一步包含一电极接垫，设置于该电路基板中，该平坦层具有一导电通孔，该导电层与该电极接垫通过该导电通孔形成一电接触。

8.如权利要求6所述的微发光二极管显示装置，进一步包含一电极接垫，设置于该电路基板外，该导电层电连接于该电极接垫，形成一电接触。

9.如权利要求1所述的微发光二极管显示装置，其中该第三发光元件的一侧向宽度大于该第一发光元件的一侧向宽度与该第二发光元件的一侧向宽度。

10.如权利要求9所述的微发光二极管显示装置，其中该第一发光元件与该第二发光元件的材料包含氮化铟镓。

11.如权利要求9所述的微发光二极管显示装置，其中该第三发光元件的材料包含磷化铝铟镓。

技术总结
一种微发光二极管显示装置，包含电路基板、第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及导电层。电路基板具有第一电极接垫、第二电极接垫以及第三电极接垫。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件位于电路基板上且分别具有第一电极与第二电极。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的第一电极分别电连接于第一电极接垫、第二电极接垫以及第三电极接垫。第一发光元件的第二电极与第二发光元件的第二电极为连续的半导体材料层。导电层电连接于第一发光元件的第二电极、第二发光元件的第二电极以及第三发光元件的第二电极。

技术研发人员：黄朝琨,黄国烜,陈玠鸣,简伯儒,廖达文
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15