光电半导体元件的制作方法

本发明涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种光电半导体元件。

背景技术：

1、半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的iii-v族半导体材料可应用于各种光电半导体元件如发光芯片(例如：发光二极管或激光二极管)、吸光芯片(光电侦测器或太阳能电池)或不发光芯片(例如：开关或整流器的功率元件)，能用于照明、医疗、显示、通信、感测、电源系统等领域。

2、随着科技的进步，光电半导体元件的体积逐渐往小型化发展。近几年来，发光二极管(light-emitting diode，led)在应用于显示器的市场上逐渐受到重视。相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示器，发光二极管显示器更为省电、具有较佳的可靠性、更长的使用寿命以及较佳的对比度表现，且可在阳光下具有可视性。随着科技的发展，现今对于光电半导体元件仍存在许多技术研发的需求。虽然现有的光电半导体元件大致上已经符合多种需求，但并非在各方面都令人满意，仍需要进一步改良。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种光电半导体元件，包括：外延叠层，包括第一半导体结构、活性结构位于第一半导体结构上、及第二半导体结构位于活性结构上，其中外延叠层具有第一部分及第二部分，且第一部分的第二半导体结构与第二部分的第二半导体结构分离；沟槽，位于第一部分及第二部分之间；凹部，位于第一部分中；接触层，位于凹部中；及第一电极，覆盖接触层及沟槽；其中，当操作光电半导体元件时，第一部分不发光。

技术特征：

1.一种光电半导体元件，包含：

2.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中该凹部与该沟槽相连通。

3.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中由俯视观之，该光电半导体元件具有第一面积，该第二部分具有第二面积为该第一面积的3％～90％。

4.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中该第一电极于垂直方向上与该第一部分有重叠。

5.如权利要求4所述的光电半导体元件，其中该第一电极于该垂直方向上与该第二部分有重叠。

6.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中该凹部位于该第一部分中远离该沟槽的一侧。

7.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中由俯视观之，该第二半导体结构靠近该凹部的一侧具有第一宽度，且该第二半导体结构远离该凹部的一侧具有大于该第一宽度的第二宽度。

8.如权利要求1所述的光电半导体元件，还包括绝缘层，位于该外延叠层上且与该第一接触结构未直接接触。

9.如权利要求1所述的光电半导体元件，还包括第二接触结构位于该第二部分上。

10.如权利要求9所述的光电半导体元件，还包括绝缘层位于该外延

技术总结
本发明公开一种光电半导体元件，包括：外延叠层，包括第一半导体结构、活性结构位于第一半导体结构上、及第二半导体结构位于活性结构上，其中外延叠层具有第一部分及第二部分，且第一部分的第二半导体结构与第二部分的第二半导体结构分离；沟槽，位于第一部分及第二部分之间；凹部，位于第一部分中；第一接触结构，位于凹部中；及第一电极，覆盖第一接触结构及沟槽。当操作光电半导体元件时，第一部分不发光。

技术研发人员：黄靖恩,顾浩民,陈世益,杨姿玲,林雅雯,林壮声,何宜珈
受保护的技术使用者：晶成半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22