一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法。

背景技术：

1、快速热退火设备是晶圆制造过程中的必要工序。退火工艺的温度通常是200～1250℃，退火工艺的时间通常是几十秒，在整片晶圆上各个区域的温度的均匀性至关重要，在实际应用中，由于加热灯管功能的微小差异，晶圆与灯管平行度的差异，以及反应腔内部局部的差异性等容易导致晶圆局部温度不均匀。因此，退火设备在工艺的过程中需要旋转，以达到整片晶圆退火温度的均匀度。

技术实现思路

1、本发明提供了一种用于在低压环境下，使热处理设备的托盘进行气浮气旋操作的气流控制方法。

2、根据本发明的一方面，提供了一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法，包括步骤：

3、在所述低压热处理设备的工艺腔室内设置压力传感器，并将所述工艺腔室内的工艺气体的压力控制为1～20托；

4、通过流量控制，将朝向所述低压热处理设备的托盘底面输送的气旋气体的流量控制为0.5～1.5l/min，并且控制精度在±0.2l/min以内；

5、调节所述气旋气体的流量，使得所述托盘与置于所述托盘上表面的半导体工件一起旋转。

6、根据本发明的气流控制方法通过精准控制气旋气体的流量，进而使得托盘连同其上的半导体工件能够一起稳定旋转。

7、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的气流控制方法，其中，所述气旋气体为氮气，或者氧气，或者氢气与氧气的混合物。

3.根据权利要求1所述的气流控制方法，其中，所述气旋气体为氢气与氧气的混合物，并且与所述工艺气体具有相同的组成。

4.根据权利要求3所述的气流控制方法，其中，所述气旋气体中，氢气的流量比为33％以下，且不为零。

5.根据权利要求1所述的气流控制方法，其中，所述低压热处理设备为远程等离子体氧化处理设备，并且所述工艺腔室压力通过压力传感器控制在1～8托的范围内，且所述气旋气体的流量通过流量控制器控制在0.5～1l/min的范围内，并且控制精度在±0.1l/min以内。

6.根据权利要求1所述的气流控制方法，其中，所述低压热处理设备为低压自由基氧化处理设备，并且所述工艺腔室压力通过压力传感器控制在5～15托的范围内，且所述气旋气体的流量通过流量控制器控制在0.5～1.5l/min的范围内，并且控制精度在±0.2l/min以内。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的气流控制方法，其中，所述半导体工件的旋转速度为40～100转/分钟。

8.根据权利要求7所述的气流控制方法，其中，所述半导体工件的旋转速度为60转/分钟。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的气流控制方法，其中，所述工艺气体的总流量为1～60slm。

10.根据权利要求1所述的气流控制方法，其中，朝向所述低压热处理设备的托盘底面输送的气旋气体包括朝向顺时针方向和逆时针方向中的一个或两个方向输送所述气旋气体。

技术总结
本发明提供了一种用于低压热处理设备的气浮气旋操作的气流控制方法，包括步骤：在所述低压热处理设备的工艺腔室内设置压力传感器，并将所述工艺腔室内的工艺气体的压力控制为1～20托；通过流量控制，将朝向所述低压热处理设备的托盘底面输送的气旋气体的流量控制为0.5～1.5L/min，并且控制精度在±0.2L/min以内；调节所述气旋气体的流量，使得所述托盘与置于所述托盘上表面的半导体工件一起旋转。本发明的气流控制方法通过精准控制气旋气体的流量，进而使得托盘连同其上的半导体工件能够一起稳定旋转。

技术研发人员：冀建民,李海卫,夏士超
受保护的技术使用者：北京屹唐半导体科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15