等离子体处理装置和温度控制方法与流程

本公开涉及等离子体处理装置和温度控制方法。

背景技术：

1、专利文献1公开一种在分割支承基板的基板支承部的载置面而得到的每个区段(zone)设置加热器，可按每个区段对载置面进行温度调整的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020－009795号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本公开提供一种即使加热器的数量也增加也会抑制向加热器供给电力的电源的电力容量的增加的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方案的等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、基座、静电卡盘、第一加热器电极层组、第二加热器电极层组、电源以及控制部。基座配置于等离子体处理腔室内。静电卡盘配置于基座的上部，具有第一部分和第二部分。第一加热器电极层组包括配置于第一部分内的至少一个加热器电极层。第二加热器电极层组包括配置于第二部分内的至少一个加热器电极层。电源电连接于第一加热器电极层组和第二加热器电极层组。控制部进行控制以便周期性地依次从电源向第一加热器电极层组所包括的各加热器电极层和第二加热器电极层组所包括的各加热器电极层供给dc(direct current：直流)电流。

5、发明效果

6、根据本公开，即使加热器的数量增加也能抑制向加热器供给电力的电源的电力容量的增加。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

8.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

9.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

10.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

12.一种温度控制方法，是等离子体处理装置的温度控制方法，所述等离子体处理装置具备：

技术总结
本发明涉及等离子体处理装置和温度控制方法，即使加热器的数量也增加也会抑制向加热器供给电力的电源的电力容量的增加。基座配置于等离子体处理腔室内。静电卡盘配置于基座的上部，具有第一部分和第二部分。第一加热器电极层组包括配置于第一部分内的至少一个加热器电极层。第二加热器电极层组包括配置于第二部分内的至少一个加热器电极层。电源电连接于第一加热器电极层组和第二加热器电极层组。控制部进行控制以便周期性地依次从电源向第一加热器电极层组所包括的各加热器电极层和第二加热器电极层组所包括的各加热器电极层供给DC电流。

技术研发人员：山田和人
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25