等离子体后处理设备的制作方法

这里描述的实施例涉及一种等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法，并且还涉及一种使用等离子体技术执行防腐蚀处理和光致抗蚀剂层去除的等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法。

背景技术：

1、包括在显示面板中的导电线可以通过经由蚀刻工艺对导电层进行图案化来形成。就这一点而言，在蚀刻工艺期间提供的工艺气体会保留在图案化的导电线中，并且剩余的工艺气体会导致导电线的腐蚀。因此，在蚀刻工艺之后，需要用于防止导电线的腐蚀的后处理工艺。

2、去除蚀刻工艺中使用的光致抗蚀剂层的后处理步骤作为单独的工艺执行。

3、将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术部分也可以包括想法、构思或认知，所述想法、构思或认知不是在这里所公开的主题的对应的有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的部分。

技术实现思路

1、实施例提供了一种可以在同一腔室中执行防腐蚀处理步骤和去除光致抗蚀剂层的步骤的等离子体后处理设备和使用该设备的等离子体后处理方法。

2、实施例提供了一种包括能够均匀地喷射等离子体的至少一个扩散器的等离子体后处理设备。

3、根据实施例，等离子体后处理设备可以包括：腔室；台，设置在腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大，扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方；传送管道，分别连接到扩散器；以及等离子体产生器，分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道，其中，限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径小于限定在扩散器之中的剩余的扩散器中的每个中的孔的直径。

4、限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径可以基本上等于或大于约2φ并且基本上等于或小于约15φ，并且限定在剩余的扩散器中的每个中的孔的直径可以基本上等于或大于约2φ并且基本上等于或小于约30φ。

5、孔中的每个的直径可以在远离工作基底的方向上逐渐增大。

6、扩散器中的每个可以包含氧化铝。

7、扩散器中的每个可以包括外表面、与外表面相对的内表面以及设置在外表面与内表面之间的连接表面，孔可以限定为从外表面穿过内表面，并且内表面的内部可以限定有内部空间。

8、扩散器中的每个可以具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致半球形的形状。

9、扩散器中的每个可以具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致圆锥形状。

10、提供到管道的工艺气体可以是水蒸气(h2o)、氧气(o2)、四氟化碳(cf4)、氩气(ar)、氮气(n2)和氦气(he)中的至少一种。

11、等离子体后处理设备还可以包括：背板，具有第一传送孔，并且与扩散器连接；绝缘件，具有分别与第一传送孔叠置的第二传送孔并且设置在背板上；以及冷却板，具有分别与第二传送孔叠置的第三传送孔并且设置在绝缘件上。

12、传送管道中的一个可以以彼此对准的第一传送孔中的一个、第二传送孔中的一个和第三传送孔中的一个形成。

13、扩散器中的至少一个可以包括限定孔的第一部分和从第一部分延伸并且未限定孔的第二部分，并且第二部分可以连接到对应的传送管道。

14、根据实施例，等离子体后处理设备可以包括：腔室；台，设置在所述腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致半球形形状，扩散器具有孔并且设置在台上方；背板，具有第一传送孔，并且与扩散器连接；绝缘件，具有与第一传送孔叠置的第二传送孔，并且设置在背板上；冷却板，具有与第二传送孔叠置的第三传送孔，并且设置在绝缘件上；以及等离子体产生器，连接到供应工艺气体的管道，彼此对准的第一传送孔、第二传送孔和第三传送孔限定为传送管道，并且等离子体产生器连接到传送管道。

15、扩散器可以包含氧化铝。

16、扩散器可以包括限定孔的第一部分和从第一部分延伸并且未限定孔的第二部分，并且第二部分可以连接到传送管道。

17、提供到管道的工艺气体可以是水蒸气(h2o)、氧气(o2)、四氟化碳(cf4)、氩气(ar)、氮气(n2)和氦气(he)中的至少一种。

18、扩散器的孔中的每个的直径可以在远离工作基底的方向上逐渐增大。

19、扩散器可以包括外表面、与外表面相对的内表面以及设置在外表面与内表面之间并且连接到背板的连接表面，孔可以限定为从外表面穿过内表面，并且内表面的内部可以限定有大致半球形的内部空间。

20、孔的直径可以基本上等于或大于约2φ且基本上等于或小于约30φ。

21、根据实施例，等离子体后处理方法可以包括：通过蚀刻形成在工作基底上的导电层来形成导电图案；以及对导电图案进行防腐蚀处理，其中，执行防腐蚀处理的步骤可以包括：通过等离子体产生器经由接收水蒸气(h2o)来产生第一自由基；以及将第一自由基提供到传送管道并且通过扩散器喷射第一自由基，并且扩散器具有在朝向工作基底的方向上基本上凸出的大致半球形形状并且具有孔。

22、等离子体后处理方法还可以包括去除设置在导电图案上的光致抗蚀剂层，其中，去除光致抗蚀剂层的步骤可以包括通过等离子体产生器经由接收氧气(o2)产生第二自由基；以及将第二自由基提供到传送管道并且将第二自由基喷射到扩散器，并且执行防腐蚀处理的步骤和去除光致抗蚀剂层的步骤可以作为连续工艺在同一腔室中执行。

技术特征：

1.一种等离子体后处理设备，所述等离子体后处理设备包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个孔中的每个的直径在远离所述工作基底的所述方向上逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个扩散器中的每个包含氧化铝。

5.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个扩散器中的每个具有在朝向所述工作基底的方向上凸出的半球形的形状。

7.根据权利要求5所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个扩散器中的每个具有在朝向所述工作基底的方向上凸出的圆锥形状。

8.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，提供到所述多个管道的所述工艺气体是水蒸气、氧气、四氟化碳、氩气、氮气和氦气中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，所述等离子体后处理设备还包括：

10.根据权利要求9所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个传送管道中的一个以彼此对准的所述多个第一传送孔中的一个、所述多个第二传送孔中的一个和所述多个第三传送孔中的一个形成。

11.根据权利要求1所述的等离子体后处理设备，其中，

12.一种等离子体后处理设备，所述等离子体后处理设备包括：

13.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，所述扩散器包含氧化铝。

14.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，

15.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，提供到所述多个管道的所述工艺气体是水蒸气、氧气、四氟化碳、氩气、氮气和氦气中的至少一种。

16.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，所述扩散器的所述多个孔中的每个的直径在远离所述工作基底的方向上逐渐增大。

17.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，

18.根据权利要求12所述的等离子体后处理设备，其中，所述多个孔的直径等于或大于2φ且等于或小于30φ。

技术总结
公开了一种等离子体后处理设备，等离子体后处理设备包括：腔室；台，设置在腔室内部，其中，台上将设置工作基底；扩散器，扩散器中的每个的宽度在远离工作基底的方向上增大，并且扩散器中的每个具有孔并且设置在台上方；传送管道，分别连接到扩散器；以及等离子体产生器，分别连接到供应工艺气体的管道并且分别连接到传送管道，并且限定在扩散器之中的设置在工作基底的中心处的扩散器中的孔的直径小于限定在扩散器之中的剩余的扩散器中的每个中的孔的直径。

技术研发人员：金大洙,崔大元,金湘甲
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25