基板处理方法和等离子体处理装置与流程

本公开的例示性的实施方式涉及一种基板处理方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、下述的专利文献1公开一种使用从处理气体形成的等离子体相对于基板的第二区域选择性地对该基板的第一区域进行蚀刻的方法。第一区域由氧化硅形成，第二区域由氮化硅形成。处理气体包含碳氟化合物。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-157793号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种提高蚀刻选择比的技术。

3、用于解决问题的方案

4、在一个例示性的实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内将基板提供到基板支承部上的工序(a)。基板包括由包含硅的材料形成的第一区域、以及由与该第一区域的该材料不同的材料形成的第二区域。基板处理方法还包括向腔室内供给处理气体的工序(b)。处理气体包含钨以及用于对第一区域进行蚀刻的成分。基板处理方法还包括在进行工序(b)的期间重复循环的工序。循环包括工序(c1)，在该工序(c1)中，将用于在腔室内从处理气体生成等离子体的源高频电力的功率电平设定为电平ls1，将向基板支承部供给的电偏压的电平设定为电平lb1。循环还包括工序(c2)，该工序(c2)在工序(c1)之后，将源高频电力的功率电平设定为电平ls2，将电偏压的电平设定为电平lb2。循环包括工序(c3)，该工序(c3)在工序(c2)之后，将源高频电力的功率电平设定为电平ls3，将电偏压的电平设定为电平lb3。电平ls1比电平ls2及电平ls3大。电平lb3比电平lb1大。电平lb2比零大。

5、发明的效果

6、根据一个例示性的实施方式，提供一种提高蚀刻选择比的技术。

技术特征：

1.一种基板处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

9.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

11.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

12.一种等离子体处理装置，具备：

技术总结
本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，提高蚀刻选择比。在所公开的蚀刻方法中，在基板在腔室内载置于基板支承部上、且处理气体供给到腔室内的状态下，重复循环。基板包括由包含硅的材料形成的第一区域、以及由与第一区域的材料不同的材料形成的第二区域。处理气体包含钨以及用于第一区域的蚀刻的成分。循环包括第一工序～第三工序。第一工序中的源高频电力的功率电平比第二工序～第三工序的各工序中的源高频电力的功率电平大。第三工序中的电偏压的电平比第一工序中的电偏压的电平大。第二工序中的电偏压的电平比零大。

技术研发人员：伴濑贵德,吉村正太,王昕愷
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4