半导体装置及制造半导体装置的方法与流程

文档序号:37374637发布日期:2024-03-22 10:27阅读:13来源:国知局
半导体装置及制造半导体装置的方法与流程

本公开大体上涉及电子装置,且更确切地说,涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。


背景技术:

1、先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的,例如,导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式,所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。


技术实现思路

1、在实例中,一种半导体装置包括衬底。所述衬底包括基底,所述基底包括顶侧以及与顶侧相对的空腔侧。引线从空腔侧延伸并且包封物插入引线之间。电子组件位于空腔侧上并且与包封物间隔开。

2、在实例中,一种电子装置包括模制衬底。所述模制衬底包括基底,所述基底包含顶侧以及与顶侧相对的空腔侧。引线从基底的空腔侧延伸,并且包封物插入引线之间。电子组件安置于基底的空腔侧上,并且包含组件第一侧、与组件侧相对的组件第二侧、在组件第一侧上的第一端子以及在组件第二侧上的第二端子。第二端子耦合到基底的空腔侧。基底将第二端子耦合到引线中的第一引线。

3、在实例中,一种用于制造半导体装置的方法包括提供衬底。衬底包括:基底,其具有顶侧以及与顶侧相对的空腔侧;引线,其从空腔侧延伸;以及包封物,其插入引线之间。所述方法包含将电子组件耦合到空腔侧并且电子组件与包封物间隔开。



技术特征:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

10.一种电子装置,其特征在于,包括:

11.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于:

12.根据权利要求11所述的电子装置,其特征在于,进一步包括:

13.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于:

14.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于:

15.一种用于制造半导体装置的方法,其特征在于,包括:

16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于:

17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于:

18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于:

19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于:

20.根据权利要求18所述的方法,其特征在于:


技术总结
半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中,半导体装置包含衬底。所述衬底包含:基底,其包含顶侧以及与所述顶侧相对的空腔侧;引线,其从所述空腔侧延伸;以及包封物,其插入所述引线之间。电子组件位于所述空腔侧上并且与所述包封物间隔开。本文中还公开其它实例和相关方法。

技术研发人员:江亨义,金炳辰,金吉江
受保护的技术使用者:安靠科技新加坡控股私人有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/21
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