基板的加工方法和芯片的制造方法与流程

本发明涉及利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着基板的厚度方向的长度比沿着与厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对基板进行加工的基板的加工方法和利用该基板的加工方法从基板制造芯片的芯片的制造方法。

背景技术：

1、关于集成电路(ic)等半导体器件或发光二极管(led)、激光二极管(ld)等光器件的芯片，例如利用由硅、碳化硅或蓝宝石等单晶材料构成的圆板状的基板来制造。

2、具体而言，这样的芯片如下制造：在为了构成多个器件而在基板的正面上形成包含导电膜、半导体膜和/或绝缘膜的功能层之后，沿着多个器件的边界将基板分割。

3、作为将基板分割的方法，已知利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着基板的厚度方向的长度比沿着与厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束的方法(例如，参照专利文献1)。

4、在该方法中，首先，将会聚激光束的区域定位于基板的内部并且沿着多个器件的边界照射激光束。由此，在基板的内部形成包含细孔和围绕细孔的非晶质部的盾构隧道(filament：丝)。然后，在该方法中，按照去除盾构隧道的方式对基板实施蚀刻。其结果是，从基板制造芯片。

5、专利文献1：日本特开2014-168790号公报

6、当从正面上形成有功能层的基板的正面侧照射激光束时，激光束的行进方向会在功能层中变化，有可能难以在基板中形成期望的盾构隧道。另外，当从该基板的背面侧照射激光束时，可能因到达基板的正面侧的激光束而使功能层破损。

技术实现思路

1、鉴于这些问题，本发明的目的在于提供能够不损坏用于构成多个器件的功能层而在基板中形成期望的盾构隧道的基板的加工方法和利用该基板的加工方法从基板制造芯片的芯片的制造方法。

2、根据本发明的一个方面，提供基板的加工方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，其中，该基板的加工方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；以及功能层形成工序，在该盾构隧道形成工序之后，在该基板的该正面上形成功能层。

3、优选该基板的加工方法还具有如下的蚀刻工序：在该盾构隧道形成工序与该功能层形成工序之间，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻。

4、根据本发明的另一方面，提供芯片的制造方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束从该基板制造芯片，其中，该芯片的制造方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；蚀刻工序，在该盾构隧道形成工序之后，从作为该基板的该正面或该背面中的一方的开口有该细孔的面将该盾构隧道进行蚀刻；功能层形成工序，在该蚀刻工序之后，在该基板的该正面上形成功能层；以及分割工序，在该功能层形成工序之后，通过对该基板赋予外力而将该基板分割。

5、另外，在本发明中，优选该细孔仅在该基板的该正面或该背面中的一方开口。

6、在本发明中，在实施在基板的正面上形成功能层的功能层形成工序之前实施如下的盾构隧道形成工序：形成包含开口于基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕细孔的非晶质部的盾构隧道。

7、即，在本发明中，在未在正面上形成功能层的状态下在基板中形成盾构隧道。因此，在本发明中，能够在不损坏用于构成多个器件的功能层的情况下在基板中形成期望的盾构隧道。

技术特征：

1.一种基板的加工方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，其中，

2.根据权利要求1所述的基板的加工方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的基板的加工方法，其中，

4.一种芯片的制造方法，利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束从该基板制造芯片，其中，

5.根据权利要求4所述的芯片的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供基板的加工方法和芯片的制造方法，能够不损坏用于构成多个器件的功能层而在基板中形成期望的盾构隧道。该基板的加工方法利用具有透过构成基板的材料的波长且在沿着该基板的厚度方向的长度比沿着与该厚度方向垂直的方向的宽度长的区域会聚的激光束对该基板进行加工，该基板的加工方法具有如下的工序：盾构隧道形成工序，按照将该区域的至少一部分定位于该基板的内部的方式对该基板照射该激光束，从而形成盾构隧道，该盾构隧道包含开口于该基板的正面或背面中的至少一方的细孔和围绕该细孔的非晶质部；以及功能层形成工序，在该盾构隧道形成工序之后，在该基板的该正面上形成功能层。

技术研发人员：河野文弥
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31