发光装置的制作方法

本发明涉及一种发光装置。

背景技术：

1、专利文件1中公开了一种发光装置，其具备：半导体激光元件(也称半导体激光器)；反射体，将从半导体激光元件射出的光朝向上方进行反射；透光体，使由反射体反射的光穿过；及波长转换部件，供从透光体射出的光入射。

2、<引证文件>

3、<专利文件1>(日本)特开2019-53130号公报

技术实现思路

1、<要解决的技术问题>

2、提供一种发光装置，其具备半导体激光元件和波长转换部件，且能以较低的成本进行制造。

3、或者，以作为上述的替代或与上述结合的方式提供一种发光装置，其具备半导体激光元件和波长转换部件，且为具有部件数量较少的构成的发光装置。

4、或者，以作为上述的替代或与上述结合的方式提供一种发光装置，其具备半导体激光元件和波长转换部件，且能以较简单的制造步骤进行制造。

5、<技术方案>

6、一个实施方式中公开的发光装置具备：

7、半导体激光元件；

8、波长转换部件，具有波长转换部和反射部，

9、所述波长转换部具有

10、供从所述半导体激光元件射出的光入射的侧面即入光面(光入射面)；及

11、使根据从所述半导体激光元件射出的光进行了波长转换后的光射出的上表面即出光面(光射出面)，

12、所述反射部设置在所述波长转换部的不包含所述入光面和所述出光面的表面上，并对入射至所述波长转换部的来自所述半导体激光元件的光和由所述波长转换部实施了波长转换后的光进行反射；以及

13、封装体，具有用于配置所述半导体激光元件和所述波长转换部件的配置区域，并形成用于配置所述半导体激光元件和所述波长转换部件的内部空间，

14、其中，

15、所述波长转换部件配置在沿第1方向远离配置所述半导体激光元件的位置的位置处，

16、所述出光面为，在与所述出光面垂直的平面图中具有与所述第1方向垂直的第2方向的宽度从距离所述半导体激光元件最近的边开始朝向所述第1方向变窄的第1区域的形状。

17、<有益效果>

18、根据实施方式所公开的一个或多个发明中的至少一个发明，能够提供一种可解决上述技术问题中的至少一个技术问题的发光装置。

技术特征：

1.一种发光装置，具备：

2.如权利要求1所述的发光装置，其中，

3.如权利要求2所述的发光装置，其中，

4.如权利要求3所述的发光装置，其中，

5.如权利要求1所述的发光装置，其中，

6.如权利要求5所述的发光装置，其中，

7.如权利要求6所述的发光装置，其中，

8.如权利要求1至7中的任一项所述的发光装置，其中，

9.如权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，其中，

10.如权利要求1至4中的任一项所述的发光装置，其中，

技术总结
本发明提供一种发光装置，其具备：半导体激光元件；具有波长转换部和反射部的波长转换部件，波长转换部具有侧面即入光面和上表面即出光面，反射部设置在不包含入光面和出光面的表面上，并对来自半导体激光元件的光和被波长转换部实施了波长转换后的光进行反射；及封装体，用于配置半导体激光元件和波长转换部件。波长转换部件配置在沿第1方向远离配置半导体激光元件的位置的位置处，出光面为在与出光面垂直的平面图中具有与第1方向垂直的第2方向的宽度从距离半导体激光元件最近的边开始朝向第1方向变窄的第1区域的形状。

技术研发人员：北岛忠征,三浦创一郎,福永宗毅,毛利勇介
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31