一种MicroLED芯片的巨量转移方法与流程

 本发明涉及半导体显示，具体涉及一种micro led芯片的巨量转移方法。

背景技术：

1、显示面板通常包括有机显示面板和无机显示面板，有机显示面板主要是通过电场驱动，有机半导体材料和发光材料通过载流子注入和复合后实现发光。有机显示面板存在大尺寸化困难、寿命短、制程复杂等缺陷。无机显示面板则主要是微型发光单元显示面板，其显示原理是将无机发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，然后将微型发光单元批量式转移至驱动电路基板上，然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备，最后进行上基板的封装，以得到微型发光单元显示面板。现有的微型发光单元显示面板中，常规的巨量转移技术，容易导致微型发光单元显示面板的边缘和角落处出现阴影，进而导致显示面板的显示观感不佳。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种micro led芯片的巨量转移方法。

2、为实现上述目的，本发明提出的一种micro led芯片的巨量转移方法，包括：

3、提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层，在所述外延功能层上生长导电触点；

4、对所述生长衬底进行切割处理，形成多个分离的micro led芯片；

5、提供第一转移基板，将多个所述micro led芯片转移至所述第一转移基板，接着拉伸所述第一转移基板以增加相邻micro led芯片之间的间距；

6、将封装胶封装所述micro led芯片，并对所述封装胶进行固化处理；

7、接着对所述micro led芯片和所述封装胶进行减薄处理，以暴露所述micro led芯片的背面；

8、接着沿着所述封装胶层进行切割处理，以形成多组micro led芯片模块；

9、接着形成可剥离层，所述可剥离层覆盖各组micro led芯片模块；

10、接着在所述可剥离层上设置粘结层；

11、提供第二转移基板，选择性的将第一转移基板上的micro led芯片模块转移至第二转移基板，

12、提供一目标基板，将所述第二转移基板上的micro led芯片模块转移至所述目标基板的特定区域；

13、接着去除所述目标基板上的micro led芯片模块上的可剥离层和粘结层。

14、作为优选的技术方案，所述外延功能层包括第一导电类型半导体层、量子阱发光层以及第二导电类型半导体层。

15、作为优选的技术方案，对所述micro led芯片和所述封装胶进行减薄处理的过程中，去除所述micro led芯片的生长衬底。

16、作为优选的技术方案，所述micro led芯片模块的俯视结构为“l”形、圆弧形或“一”形。

17、作为优选的技术方案，所述特定区域是所述目标基板的边缘区域或角落区域。

18、作为优选的技术方案，将所述第二转移基板上的micro led芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域之前，先在所述目标基板的主体区域上设置micro led芯片。

19、作为优选的技术方案，将所述第二转移基板上的micro led芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域之前，所述目标基板的主体区域上的micro led芯片被封装层包裹。

20、本发明的有益效果在于：

21、在本发明的micro led芯片的巨量转移方法中，通过利用封装胶封装第一转移基板上的micro led芯片，然后沿着所述封装胶层进行切割处理，以形成多组micro led芯片模块，所述micro led芯片模块的俯视结构为“l”形、圆弧形或“一”形，进而可以将该些micro led芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域，通过该些micro led芯片模块的设置，可以有效消除相应显示面板的边缘和角落处的阴影。

技术特征：

1.一种micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：所述外延功能层包括第一导电类型半导体层、量子阱发光层以及第二导电类型半导体层。

3.根据权利要求1所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：对所述microled芯片和所述封装胶进行减薄处理的过程中，去除所述micro led芯片的生长衬底。

4.根据权利要求1所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：所述micro led芯片模块的俯视结构为“l”形、圆弧形或“一”形。

5.根据权利要求1所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：所述特定区域是所述目标基板的边缘区域或角落区域。

6.根据权利要求5所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：将所述第二转移基板上的micro led芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域之前，先在所述目标基板的主体区域上设置micro led芯片。

7.根据权利要求6所述的micro led芯片的巨量转移方法，其特征在于：将所述第二转移基板上的micro led芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域之前，所述目标基板的主体区域上的micro led芯片被封装层包裹。

技术总结
本发明涉及一种Micro LED芯片的巨量转移方法，涉及半导体显示技术领域。在本发明的Micro LED芯片的巨量转移方法中，通过利用封装胶封装第一转移基板上的Micro LED芯片，然后沿着所述封装胶层进行切割处理，以形成多组Micro LED芯片模块，所述Micro LED芯片模块的俯视结构为“L”形、圆弧形或“一”形，进而可以将该些Micro LED芯片模块转移至所述目标基板的边缘区域或角落区域，通过该些Micro LED芯片模块的设置，可以有效消除相应显示面板的边缘和角落处的阴影。

技术研发人员：李雍,王怀厅,陈文娟,瞿澄
受保护的技术使用者：罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16