一种晶圆加工方法和晶圆与流程

本发明涉及半导体器件生产，特别是涉及一种晶圆加工方法和一种晶圆。

背景技术：

1、碳化硅(sic)是第三代半导体材料之一，具有高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率等优点，在功率器件领域具有很好的发展前景。随着碳化硅器件功率密度提升，器件特征尺寸缩小，以及晶圆衬底向薄片技术发展，尺寸则朝向大尺寸高集成方向发展，然而由于碳化硅材料与加工工艺的特殊性，使得碳化硅器件在加工过程中很容易发生晶圆翘曲，这严重限制了工艺能力的提升。

2、当前的现有技术中，通过在sic晶圆背面进行相关工艺，以避免晶圆翘曲，但是在晶圆背面直接进行相关工艺，会影响衬底离子种类及浓度，需要引入额外的背面离子注入进行平衡；在晶圆背面进行刻蚀，则会影响衬底厚度分布，导致晶圆质量受损。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种晶圆加工方法和一种晶圆。

2、为了解决上述问题，在本发明的第一个方面，本发明实施例公开了一种晶圆加工方法，包括：

3、在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；

4、在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；

5、在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；

6、对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；

7、对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品。

8、可选地，所述在晶圆衬底上设置隔离保护层，包括：

9、在所述晶圆衬底上通过沉积生长生成所述隔离保护层。

10、可选地，所述在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，包括：

11、在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上通过沉积生长生成所述应力调整层。

12、可选地，所述对所述第二晶圆产品进行衬底去膜的步骤包括：

13、在所述第二晶圆产品上对所述应力调整层进行去膜；

14、在所述第二晶圆产品上对所述隔离保护层进行去膜。

15、可选地，所述在所述第二晶圆产品上对所述应力调整层进行去膜，包括：

16、在所述第二晶圆产品上进行干法刻蚀，对所述应力调整层进行去膜。

17、可选地，所述在所述第二晶圆产品上对所述隔离保护层进行去膜，包括：

18、在所述第二晶圆产品上进行湿法刻蚀，对所述隔离保护层进行去膜。

19、可选地，所述在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品，包括：

20、在所述第一晶圆产品进行第一正面加工工艺，以生成晶圆第一正面结构；

21、在所述第一晶圆产品进行背面应力调整工艺，以抵消所述第一正面加工工艺产生的应力；

22、在所述第一晶圆产品进行第二正面加工工艺，生成晶圆第二正面结构，得到所述第二晶圆产品。

23、可选地，所述对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品，包括：

24、对所述第二晶圆产品的背面进行沉积生长，生成金属电极，得到所述目标晶圆产品。

25、可选地，在所述对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层之后，所述晶圆加工方法还包括：

26、对所述第二晶圆产品的背面进行清洗。

27、在本发明的第二个方面，本发明实施例公开了一种晶圆，通过如上所述的晶圆加工方法制备得到的晶圆。

28、本发明实施例包括以下优点：

29、本发明实施例通过在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；通过在进行晶圆加工工艺时，晶圆背面存在应力调整层可以调整应力，以抵消晶圆加工工艺产生的应力，增强了晶圆的抗翘曲强度，减小了晶圆正面工艺时晶圆翘曲的风险，同时设置隔离保护层保护晶圆衬底，避免了对晶圆背面结构及成分的影响，保证了晶圆生产的质量。

技术特征：

1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述在晶圆衬底上设置隔离保护层，包括：

3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，包括：

4.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述对所述第二晶圆产品进行衬底去膜的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述在所述第二晶圆产品上对所述应力调整层进行去膜，包括：

6.根据权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述在所述第二晶圆产品上对所述隔离保护层进行去膜，包括：

7.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品，包括：

8.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品，包括：

9.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，在所述对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层之后，所述晶圆加工方法还包括：

10.一种晶圆，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的晶圆加工方法制备得到的晶圆。

技术总结
本发明实施例提供了一种晶圆加工方法和晶圆，所述晶圆加工方法包括在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；本发明实施例通过增加晶圆衬底的隔离保护层和应力调整层，可以增强加工时晶圆抗翘曲强度，优化晶圆翘曲，且不对原晶圆产生影响，保证晶圆的生产质量。

技术研发人员：肖鹤鸣,吴佳蒙,李春艳,廖勇波,马颖江
受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25