本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料、电极和太阳能电池。
背景技术：
1、太阳能电池领域有p型和n型两种晶硅电池。其中，n型电池凭借其更高的光电转换效率和提升潜力，以及少子寿命高、光致衰减少等特点，已经成为晶硅电池市场的主要产品。现有n型太阳能电池p+发射极接触是由硼扩散形成的。而p+发射极的接触浆料多由玻璃粉、有机载体、铝粉和银粉组成，其中，玻璃粉在高温烧结时反应去除钝化层、并熔解铝粉后形成铝离子，最终在降温过程中完成铝元素渗入p+发射极增加掺杂浓度，形成较低的欧姆接触。
2、然而，实际应用过程中，由于铝粉的反应活性较强，容易形成铝钉扎，造成复合中心或损伤pn结，反而使电池性能大幅下降。为了解决过度掺杂的问题，有研究采用在浆料中添加硼铝合金粉部分代替铝粉的方式，硼铝合金粉的反应速度比铝粉的反应速度缓慢，可以缓解铝钉扎的现象。
3、但本发明人发现硼铝合金粉只能缓解玻璃粉刻蚀后p+发射极中掺杂浓度变低的缺陷，保证pn结的效果，并不具备明显降低欧姆接触电阻的能力。且硼铝合金粉掺杂浓度越高，不仅复合中心变多，导致载流子被俘获，影响开路电压和电流效率，而且还会明显增加栅线电阻值，因此，对硼铝合金粉的掺杂量有极为严格的要求。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本技术提供一种n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料、电极和太阳能电池。
2、第一方面，本技术提供一种n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，采用如下技术方案实现：
3、一种n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，包含导电银粉、铝或铝合金粉、玻璃粉、硼化合物和有机载体；所述硼化合物选自硼化镍、二硼化镁或二硼化钛中的一种或几种。
4、本技术采用硼化镍、二硼化镁和二硼化钛之后，不仅其中的b离子能够修复玻璃粉过度刻蚀的pn结，mg、ti和ni离子也能对电池si表面实现掺杂，显著减小了势垒宽度，只要很低的添加量就可以形成一层很薄的掺杂层并提供非常优秀的欧姆接触，明显降低了电池的接触电阻，从而提升了电池片的填充因子和光电转化效率。
5、优选的，以电极浆料总重量为100%计，所述硼化合物的重量百分比含量为0.01-0.5%。
6、本技术硼化合物只需很小的添加量（即0.01wt%）就可以完成对电池si表面的掺杂，保证了pn结的效果。且不会因为掺杂浓度高（即0.5wt%加入量）使复合中心变多导致载流子被俘获，开路电压较高，还不会显著增加栅线电阻值，提升了电池的光电转换效率和输出功率。
7、优选的，所述硼化合物为硼化合物粉末；所述硼化合物粉末的中位粒径d50为0.1～4μm。
8、优选的，以电极浆料总重量为100%计，各组分的重量百分含量为：导电银粉75-92%、铝或铝合金粉0.5-2.5%、玻璃粉2-8%、硼化合物0.01-0.5%和有机载体5-22%。
9、优选的，以电极浆料总重量为100%计，各组分的重量百分含量为：导电银粉82-90%、铝或铝合金粉1-2%、玻璃粉2-6%、硼化合物0.01-0.5%和有机载体7-10%。
10、更优选的，以电极浆料总重量为100%计，各组分的重量百分含量为：导电银粉86-90%、铝或铝合金粉1-2%、玻璃粉2-6%、硼化合物0.01-0.5%和有机载体7-10%。
11、优选的，所述硼化合物为硼化镍；所述硼化镍的重量百分比含量为0.01-0.5%。
12、更优选的，所述硼化镍的重量百分比含量为0.05-0.5%。
13、最优选的，所述硼化镍的重量百分比含量为0.3%。
14、优选的，所述硼化合物为二硼化镁或二硼化钛；所述二硼化镁或二硼化钛的重量百分比含量为0.01-0.5wt%。
15、优选的，所述硼化物为二硼化镁；所述二硼化镁的重量百分比含量为0.01-0.5wt%。
16、更优选的，所述二硼化镁的重量百分比含量为0.01-0.3wt%。
17、最优选的，所述二硼化镁的重量百分比含量为0.3wt%。
18、优选的，所述硼化物为二硼化钛；所述二硼化钛的重量百分比含量为0.01-0.5%。
19、更优选的，所述二硼化钛的重量百分比含量为0.3-0.5%。
20、最优选的，所述二硼化钛的重量百分比含量为0.3wt%。
21、本技术中，所述导电银粉为薄片形式、球状形式、颗粒状形式、结晶形式、粉末形式或其他不规则形式的任意一种或多种。
22、优选的，导电银粉为球状形式。
23、本技术中，所述导电银粉的中位粒径d50为0.5～3μm，比表面积为0.3～2m2/g，振实密度为2～43g/cm3，烧损率≤1%。通过限定导电银粉的粒径和比表面积，可有效保证导电银粉的分散性，避免浆料在经过研磨工序时，硬团聚的银颗粒被挤压成银片，丝网印刷时银片停留在网版上阻碍浆料过墨出现断线，并在印刷到超过千片时银片的积累造成永久性堵网，形成虚印的现象；若导电银粉粒径过大则可能引起其烧结活性不足，从而导致致密性问题，影响线电阻甚至电性能。通过选用适宜振实密度以及烧损率低的银粉可保障银粉在烧结时的收缩率，银粉间的接触致密，线电阻较低。
24、本技术中，所述铝或铝合金粉为铝粉和/或含铝合金粉。
25、本技术中，所述含铝合金粉包括但不限于ag-al合金粉、al-si合金粉、al-b合金粉中的一种或多种。
26、优选的，所述铝或铝合金粉选自铝粉、ag-al合金粉、al-si合金粉和al-b合金粉中的一种或多种。
27、更优选的，所述铝或铝合金粉为铝粉。
28、本技术中，所述铝粉的中位粒径d50为1～5μm，最大粒径d100≤12μm。由于n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆中铝粉颗粒远大于导电银粉颗粒，铝粉颗粒度大会造成堵网或者刮破网版的现象，造成虚印或漏浆；而即使铝粉中位径合适，如果铝粉的粒度分布宽，最大粒径较大，也会导致上述问题的发生。因此与导电银粉相似，铝粉的粒径也需要进行限定优选。通过限定铝粉的中位粒径和最大粒径，可保证其在印刷工序时不会造成堵网、虚印现象。
29、本技术中，所述玻璃粉可以是包括铅硼硅酸盐、锌硼硅酸盐、铋硼硅酸盐中的一种或多种。
30、其中，铅硼硅体系的玻璃粉是最简单成分的玻璃粉，n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料中的玻璃粉可以是太阳能电池领域中的任何一种玻璃粉。
31、本技术中，所述玻璃粉还可以是铅硼硅酸盐、锌硼硅酸盐、铋硼硅酸盐中的一种或多种的基础上再包含以下一种或多种元素或含该元素的化合物：se、sn、ti、ag、al、ce、cs、cu、fe、k、li、na、rb、si、w、ge、ga、in、ni、ca、mg、sr、ba、se、mo、y、as、la、nd、co、pr、gd、sm、dy、eu、ho、yb、lu、ta、v、hf、cr、cd、sb、f、zr、mn、p和nb。
32、玻璃粉的软化点一般在300到600℃之间。玻璃粉的软化点高于600℃有可能无法与太阳能电池硅晶片形成足够的附着力和有效的导电接触。软化点低于300℃的玻璃粉可能与硅晶片反应过度而导致严重的漏电现象。
33、本技术中，所述玻璃料的粒径为0.5～5μm；优选的，所述玻璃料的粒度为2μm。
34、通过对玻璃料粒径的限定可控制玻璃料具有合适的软化点，从而控制整个浆料的烧结和刻蚀程度。
35、本技术中，所述有机载体包括聚合物和溶剂。
36、其中，所述聚合物可以是包括乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯、以及乙二醇单乙酸酯的单丁基醚中的一种或多种。
37、本技术中，所述溶剂可以是包括萜烯、煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二醇和沸点高于150℃的醇以及醇酯的混合物中的一种或多种。其中，所述萜烯可以是α-或β-萜品醇。
38、本技术中，所述有机载体还包括双(2-(2-丁氧基乙氧基)乙基己二酸酯、二价酸酯、环氧化树脂酸辛酯、异四癸醇和氢化松香的季戊四醇酯。其中，所述二价酸酯可以是包括dbe、dbe-2、dbe-3、dbe-4、dbe-5、dbe-6、dbe-9和dbe 1b中的一种或多种。
39、本技术中，所述有机载体包括挥发性液体以促进本技术n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料施用在基底上之后的快速成型。
40、本技术中，所述有机载体还可包含增稠剂、稳定剂、表面活性剂、触变剂和/或其它常见添加剂。本技术有机载体为丝网印刷，提供适当的粘度和触变性，使基板和浆料具有适当的可润湿性、良好的干燥速率和良好的附着强度。
41、第二方面，本技术提供一种电极，采用如下技术方案实现：
42、一种电极，所述电极经由上述n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料在电池硅片表面烧结而成。
43、第三方面，本技术提供一种太阳能电池，采用如下技术方案实现：
44、一种太阳能电池，包含上述电极。
45、综上所述，本技术具有以下有益效果：
46、1、本技术采用硼化镍、二硼化镁和二硼化钛之后，不仅b离子能对电池si表面实现掺杂，修复玻璃粉过度刻蚀的pn结，形成欧姆接触，而且mg、ti和ni离子也能够对电池si表面实现掺杂，只需很小的添加量就可以显著减小势垒宽度，形成非常优秀的欧姆接触，显著降低电池的接触电阻，从而提升电池片的填充因子和光电转化效率。硼化镍、二硼化镁和二硼化钛的加入不会显著增加栅线电阻值。
47、2、本技术所采用的硼化合物在较高添加量时不会因为掺杂浓度高使复合中心变多导致载流子被俘获，开路电压较高，提升了电池的光电转换效率和输出功率。
48、实施方式
49、为使本技术的发明目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施方式及实施例，对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
50、因此，以下对本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
51、下面结合具体的实施例进行说明。
52、实施例
53、实施例1
54、（1）玻璃粉的制备：称取100g的玻璃粉原料（其中，84.44g pbo、2.39g sio2、13.17g b2o3），将上述玻璃粉原料混合均匀，倒入坩埚中，再放入马弗炉中，升温至1000ºc，保温40min，再将熔化后的玻璃熔料倒入反转不锈钢辊之间进行淬火，而后放入球磨机中，球磨8h，制得粒度为2μm的玻璃粉。
55、（2）n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料的制备
56、称取899.9g导电银粉、10g铝粉、20g玻璃粉、0.1g硼化镍粉末和70g的有机载体，其中，有机载体由2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇单异丁酸酯、乙基纤维素、n-牛油-1,3-二氨基丙烷二油酸盐、氢化蓖麻油、全氢化松香酸的季戊四醇四酯、己二酸二甲酯和戊二酸二甲酯按质量比37.1:1.2:6.7:3.3:8.3:21:2.4混合而成。
57、先将称取到的铝粉、玻璃粉、硼化镍粉末和有机载体放入行星搅拌机的广口瓶中；随后将导电银粉按照质量比5:5:7分三次加入到广口瓶中，并用刮刀搅拌均匀；而后用行星搅拌机在800rpm转速下混合3min，获得样品浆料。然后将样品浆料用三辊研磨机研磨5次，测试其研磨细度小于10μm，布氏粘度介于300-350pa.s之间，制得n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料。
58、实施例2-6
59、采用与实施例1相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是各原料的质量不同，详见表1。
60、表1 实施例1-6各原料的质量
61、 组分 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 导电银粉 899.9g 819.9g 864.9g 864.5g 862g 860g 铝粉 10g 20g 15g 15g 15g 15g 玻璃粉 20g 60g 40g 40g 40g 40g 硼化镍粉末 0.1g 0.1g 0.1g 0.5g 3g 5g 有机载体 70g 100g 80g 80g 80g 80g
62、实施例7
63、采用与实施例3相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是硼化镍粉末等质量替换为二硼化镁粉末。
64、实施例8-9
65、采用与实施例7相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是导电银粉和二硼化镁粉末的质量不同，具体见表2。
66、表2 实施例7-9导电银粉和二硼化镁粉末的质量
67、 组分 实施例7 实施例8 实施例9 导电银粉 864.9g 862g 860g 二硼化镁粉末 0.1g 3g 5g
68、实施例10
69、采用与实施例3相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是硼化镍粉末等质量替换为二硼化钛粉末。
70、实施例11-12，与实施例10不同之处仅在于：导电银粉和二硼化钛粉末的配比不同，具体见表3。
71、表3 实施例10-12导电银粉和二硼化钛粉末的质量
72、 组分 实施例10 实施例11 实施例12 导电银粉 864.9g 862g 860g 二硼化钛粉末 0.1g 3g 5g
73、对比例1
74、采用与实施例1相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是硼化镍粉末等质量替换为导电银粉。
75、对比例2
76、采用与实施例4相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是硼化镍粉末等质量替换为alb合金粉末。
77、对比例3
78、采用与实施例5相同的方法制备n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，不同的仅是硼化镍粉末等质量替换为alb合金粉末。
79、针对本技术实施例1-12和对比例1-3制备的n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料，进行如下的性能检测。
80、一、测试所用电池的制备：
81、将上述实施例和对比例中制备的n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料用于n型双面太阳能电池片的制造。n型双面太阳能电池片的生产工艺流程一般分为在n型单晶硅上表面制绒，然后在正面形成硼扩散层(bsg:borosilicate glass)，制造pn结，形成p+层。然后在n型晶硅上背面用磷扩散形成n+层，分别用pecvd在正面和背面镀减反射膜和钝化膜。然后用丝网印刷在正面和背面印刷导电烧穿银（铝）浆。上述实施例和对比例制备的n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料印刷在正面减反射膜和钝化膜上，背面印刷的银浆一般可用能烧穿钝化层在n+扩散层形成点接触的银浆，如可采用晶澜光电科技（江苏）有限公司生产的ax101银浆，也可为其他市场可购买的银浆。
82、电池片有182×182mm2的尺寸和准正方形的形状。通过蚀刻将所用太阳能电池织构化。电池片在两面上均具有厚度为约75~120nm的sinx减反射/钝化层。使用获自atw系统组的半自动丝网印刷机以如下丝网参数将上述实施例和对比例中制备的n型太阳能电池p+发射极接触的电极浆料丝网印刷于电池片的p掺杂面(480目11μm丝网线径、14μm纱厚、4μm乳胶厚度、148条22μm副栅线和16条主栅)。使用相同的印刷机和丝网参数将晶澜光电科技（江苏）有限公司生产的ax101银浆印刷在电池片n掺杂背面上。在印刷各面之后，将具有印刷图案的电池片在200℃下在带式烘干炉中干燥1min。然后，将衬底以p掺杂面朝上的方式在atw带式烧结炉中焙烧1.5min。对各实施例和对比例而言，烧结以750℃的最高烧结温度进行。
83、二、性能测试
84、1、iv测试
85、使用获自研谱智能的市售iv测试仪“yp-cx5000”在25℃±1.0℃下表征太阳能电池。频闪脉冲光模拟阳光，已知其在电池表面上的am1.5强度为1000w/m2。为了使模拟器具有该强度，频闪脉冲光在短时间内闪光数次，直至达到由iv测试仪的“1.0.0.0”软件监测的稳定水平。研谱 iv测试仪使用多点接触方法来测量电流(i)和电压(v)以确定电池的iv曲线。所有数值借助运行软件包自动由该曲线确定。作为参比标样，对获自ise freiburg且由相同区域尺寸、相同晶片材料且使用相同正面图形的校准太阳能电池进行测试，并将数据与认证的值比较。测量至少5个以非常相同的方式加工的晶片，并通过计算各值的平均值而解析数据。软件提供了转化效率、填充因子、短路电流、串联电阻、栅线电阻和开路电压的值。
86、其中，栅线电阻由两根相邻主栅之间的电阻值标定，具体选取第1、2根主栅之间的电阻值，第2、3根主栅之间的电阻值，第3、4根主栅之间的电阻值，第4、5根主栅之间的电阻值，第5、6根主栅之间的电阻值和第6、7根主栅之间的电阻值的平均值表示栅线电阻。
87、接触电阻
88、在测量之前在温度为22±1℃的空气调节室中将所有设备和材料平衡。为了测量硅太阳能电池的掺杂正面层上烧制电极的接触电阻，使用来自公司xinchong electronictechnology co., ltd.的 mlr-5104导通电阻测试系统。该设备应用4点测量原理通过转移长度方法(tlm)估算接触电阻。为了测量接触电阻，垂直于该晶片的印刷栅线由该晶片切割出两个宽1cm的条。各条以0 .05mm的精度测量其准确宽度。在该条上的3个不同点用来自公司keyence corp.的装备有宽范围变焦镜头vh-z250的数字显微镜“vhx-970f”测量烧制副栅线的宽度。在各点以2点测量测定10次宽度。栅线宽度值为所有30次测量的平均值。由该软件包使用指针数、条宽度和印刷副栅相互间的距离来计算接触电阻。测量电流设定为14ma。安装适合接触11个相邻栅线的多接触测量头并使其与11个相邻栅线接触。对10个等距分布于各条上的点进行测量。在开始测量之后，该软件对条上的各点确定接触电阻的值(mohm)。将所有20个点的平均值作为接触电阻的值。
89、测试结果
90、各组电性能测试数据已列于表4中。
91、表4的数据以实施例1-12和对比例2-3的转化效率、填充因子、开路电压、接触电阻和线电阻与对比例1相对增益或衰减显示。其中，δuoc指相对增益或衰减的开路电压值，其单位为mv，当开路电压相对增益时，数据为正值，当开路电压相对衰减时，数据为负值；δff指相对增益或衰减的填充因子值，当填充因子相对增益时，数据为正值，当填充因子相对衰减时，数据为负值；δrc指相对增益或衰减的接触电阻值，接触电阻相对增益时，数据为正值，当接触电阻相对衰减时，数据为负值；δrgl指相对增益或衰减的栅线电阻值，栅线电阻值相对增益时，数据为正值，当栅线电阻值相对衰减时，数据为负值；δncell指相对增益或衰减的转换效率值，当转换效率相对增益时，数据为正值，当转换效率相对衰减时，数据为负值。
92、表4 实施例1-12和对比例2-3的测试结果
93、 组别 δncell(%) δff(%) δuoc(mv) δrc(mohm) δrgl(ohm) 实施例1 0.17 1.08 -1.15 -2.06 0.19 实施例2 0.23 2.16 -5.46 -4.29 1.28 实施例3 0.22 2.03 -3.96 -3.56 0.44 实施例4 0.53 1.48 2.41 -3.12 0.76 实施例5 0.55 1.62 2.55 -4.12 1.10 实施例6 0.49 1.48 3.15 -3.22 1.20 实施例7 0.22 1.21 -2.13 -2.99 0.36 实施例8 0.38 0.86 3.85 -2.49 0.66 实施例9 0.20 0.99 -0.58 -2.94 1.04 实施例10 0.15 0.87 -2.5 -2.37 0.69 实施例11 0.45 1.21 3.68 -3.55 0.72 实施例12 0.25 0.98 0.23 -3.19 1.16 对比例2 0.09 0.06 2.44 -0.39 0.97 对比例3 0.14 0.28 2.01 -0.55 1.71
94、下面结合表4的实验数据详细分析本技术。
95、实施例1、2、3采用0.01wt%的硼化镍，实施例7采用0.01wt%的二硼化镁，实施例10采用0.01wt%的二硼化钛，可以显著降低电池的接触电阻，提高电池的转化效率和填充因子，这说明硼化镍、二硼化镁和二硼化钛不仅其中的b离子能够修复玻璃粉过度刻蚀的pn结，mg、ti和ni离子也能对电池si表面实现掺杂，只需很小的添加量（即0.01wt%）就可以完成掺杂，保证了pn结的效果，显著减小了势垒宽度，形成一层很薄的掺杂层并提供非常优秀的欧姆接触，明显降低了电池的接触电阻，从而提升了电池片的填充因子和光电转化效率。
96、对比例2采用alb合金粉末，且alb合金粉末的含量为0.05wt%，对比例2中alb合金粉末的含量是实施例3、7、10中硼化镍、二硼化镁、二硼化钛含量的5倍，但对比例2对应电池的填充因子和转化效率明显低于实施例3、7、10对应电池的填充因子和转化效率，对比例2对应电池的接触电阻明显高于实施例3、7、10对应电池的接触电阻。这说明alb合金粉末添加量是硼化镍、二硼化镁、二硼化钛最小添加量的5倍时，还不能完成对电池si表面的掺杂，不能很好的提高电池的填充因子和转化效率，更不能提供非常优秀的欧姆接触而明显降低电池的接触电阻。
97、实施例4中硼化镍的添加量为0.05wt%，与对比例2中alb合金粉的添加量相同，而实施例4对应电池的接触电阻显著低于对比例2对应电池的接触电阻，实施例4对应电池的填充因子和转化效率显著高于对比例2对应电池的填充因子和转化效率，且实施例4不会明显增加栅线电阻。说明相同较低添加量（即0.05wt%）时，硼化镍对pn结修复效果和对电池si表面掺杂提供的欧姆接触显著优于alb合金粉。
98、实施例5、8、11中硼化镍、二硼化镁、二硼化钛和对比例3中alb合金粉的添加量相同，均为0.3wt%，实施例5、8、11对应电池的接触电阻和线电阻明显低于对比例3对应电池的接触电阻和栅线电阻，实施例5、8、11对应电池的填充因子和转化效率明显高于对比例3对应电池的填充因子和转化效率，且实施例5、8、11对应电池的开路电压高于对比例3对应电池的开路电压。说明alb合金粉在0.3wt%添加量时，不仅难以提供优秀的欧姆接触，显著降低接触电阻和填充因子，而且已经使复合中心变多，导致载流子被俘获，降低了开路电压，从而降低了电池的转化效率。同时还明显提高了栅线电阻值。
99、实施例6、9、12中硼化镍、二硼化镁、二硼化钛的添加量为0.5wt%，对比例3中alb合金粉的添加量为0.3wt%，实施例6、9、12中电池的接触电阻明显低于对比例4中电池的接触电阻，实施例6、9、12中电池的填充因子和转化效率明显高于对比例3中电池的填充因子和转化效率。而且实施例6、9、12中栅线电阻低于对比例3中栅线电阻，说明硼化镍、二硼化镁、二硼化钛的添加量为0.5wt%对应电池的线电阻低于alb合金粉的添加量为0.3wt%对应电池的栅线电阻。说明硼化镍、二硼化镁和二硼化钛不会因掺杂浓度过高明显增加栅线电阻。
100、实施例4、5、6硼化镍的添加量从0.05wt%增加到0.3wt%、再增加到0.5wt%，对比例2、3中alb合金粉的添加量也是从0.05wt%增加到0.3wt%。实施例6的开路电压比实施例5的开路电压高，实施例5的开路电压比实施例4的开路电压高，而对比例3中开路电压比对比例2中开路电压低。说明硼化镍的添加量从0.05wt%增加到0.3wt%，再从0.3wt%增加到0.5wt%，还没有出现复合中心变多的情况。
101、以上对本发明的具体实施例进行了描述，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。