一种异质结太阳能电池及其制备方法与流程

本发明涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、异质结太阳能电池由于其轻薄的物理特性以及较高的光电转换效率，在近年来已成为光伏行业研究和开发的重点方向之一。特别地，针对基于n型硅基体制备的背结结构的异质结太阳能电池，由于其具有更优异的导电效果，使其更受市场青睐。

2、但是，基于n型硅基体制备的背结结构的异质结太阳能电池，不论在正面发射极还是背面场，一般均选用n型透明导电薄膜比如铟掺杂导电薄膜(ito)。但是，研究发现该铟掺杂导电薄膜(ito)对水汽敏感较高，导致异质结太阳能电池容易被水汽侵蚀，易受外界潮湿环境影响而出现性能恶化的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池能够阻挡水汽侵蚀，以有效地提升异质结太阳能电池性能稳定性。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：

3、第一方面，本发明提供一种异质结太阳能电池，包括：

4、n型硅基体；

5、基于所述n型硅基体第一主表面，顺序叠层设置的第一硅薄膜、p型掺杂硅层、叠层隧穿导电膜层；

6、基于所述n型硅基体第二主表面，顺序叠层设置的第二硅薄膜、n型掺杂硅层、第一n型导电膜层；

7、与所述叠层隧穿导电膜层电连接的第一金属电极；

8、以及，与所述第一n型导电膜层电连接的第二金属电极；其中，

9、所述叠层隧穿导电膜层包括：与所述p型掺杂硅层形成隧穿接触的第二n型导电膜层和与所述第二n型导电膜层形成隧穿接触的p型导电膜层。

10、第二方面，本发明实施例提供一种针对第一方面实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法，包括：

11、步骤a、通过化学沉积方式在n型硅基体第一主表面顺序沉积第一硅薄膜和p型掺杂硅层；

12、步骤b、通过化学沉积方式在n型硅基体第二主表面顺序沉积第二硅薄膜和n型掺杂硅层；

13、步骤c、通过磁控溅射pvd、活化等离子溅射rpd或蒸镀方式，分别在所述p型掺杂硅层和所述n型掺杂硅层沉积第二n型导电膜层和第一n型导电膜层；

14、步骤d、通过磁控溅射pvd、活化等离子溅射rpd或蒸镀方式，在所述第二n型导电膜层沉积p型导电膜层，其中，所述第二n型导电膜层和所述p型导电膜层构成叠层隧穿导电膜层；

15、步骤e、通过印刷方式分别在所述p型导电膜层和所述第一n型导电膜层印刷第一金属电极和第二金属电极。

16、上述发明的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：

17、本发明实施例提供的异质结太阳能电池，通过在p型掺杂硅层的外侧层叠叠层隧穿导电膜层，由于该叠层隧穿导电膜层包括：与p型掺杂硅层形成隧穿接触的第二n型导电膜层和与第二n型导电膜层形成隧穿接触的p型导电膜层，该叠层隧穿导电膜层的隧穿接触，使载流子能够在该叠层隧穿导电膜层传输的同时，该p型导电膜层能够阻挡水汽进入到异质结太阳能电池内，降低水汽对异质结太阳能电池的侵蚀，以有效地提升异质结太阳能电池性能稳定性，因此，通过该异质结太阳能电池制备出的光伏组件具有比较好的性能和稳定性。

技术特征：

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述含铜透明导电膜包括下述化合物中的任意一种：

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

5.根据权利要求1至4任一所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求1至4任一所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，n型导电膜层包括下述至少一种包含掺杂元素的金属氧化物和/或金属氮化物形成的单膜层结构或者叠层膜结构；其中，

8.根据权利要求1或7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

10.权利要求1至9任一所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明公开一种异质结太阳能电池及其制备方法。该异质结太阳能电池可包括：N型硅基体；基于N型硅基体第一主表面，顺序叠层设置的第一硅薄膜、P型掺杂硅层、叠层隧穿导电膜层；基于N型硅基体第二主表面，顺序叠层设置的第二硅薄膜、N型掺杂硅层、第一N型导电膜层；与叠层隧穿导电膜层电连接的第一金属电极；以及与第一N型导电膜层电连接的第二金属电极；叠层隧穿导电膜层包括：与P型掺杂硅层形成隧穿接触的第二N型导电膜层和与第二N型导电膜层形成隧穿接触的P型导电膜层。该异质结太阳能电池能够阻挡水汽侵蚀，以有效地提升异质结太阳能电池性能稳定性。

技术研发人员：蒋秀林,杨长,陈斌,刘淑华
受保护的技术使用者：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25