一种高隔离双波导探针功分/合成器的制作方法

本申请涉及微波器件，具体而言，涉及一种高隔离双波导探针功分/合成器。

背景技术：

1、微波的定义为频率高于300mhz的电磁波，其广泛应用于通信、雷达、遥测遥感、工业生产等领域。功分/合成器是微波系统中的一个器件，主要功能是实现微波信号的功率分配及功率合成，在功分/合成过程中必须保证各支路的幅度相位高度一致，否则功分/合成的效率将会明显恶化。而支路之间的隔离度可以减小幅相不一致对功分/合成性能的恶化，隔离度越高，功分/合成效率受幅相不一致性的影响越小。

2、微波信号在矩形波导中传输损耗低，微带线易于集成半导体器件且经常通过波导-微带转换电路将矩形波导和微带线结合应用，能够充分发挥两者优势。在实际工程应用中，往往需要在有限的空间内通过功分/合成器集成多个半导体器件，因此需要功分/合成器具有结构简单，电路形式紧凑等特点。双波导探针通过在一个波导内插入两条微带线的形式，在很小的空间内同时实现了波导-微带电路转换和两路功分/合成的目的，在一些小型化要求较高的微波设备中得到广泛应用。但是现有的双波导探针功分/合成器在矩形波导同一侧宽边插入两个按该边中心对称分布的微带线，由于探针平行于其中传输的te10模式电场力线，实现了波导与微带线间信号的高效率转换。同时由于插入的两个微带线对称分布，因此，矩形波导中的微波信号被等分过渡至了两路微带线中；在矩形波导双微带功分/合成器的电路性能中，除了所述的分配转换特性以外，往往还需要微带端口之间具有良好的隔离度，即要求两个微带线的微波信号不能互相进入对方的微带线中；否则由于两个微带线的输入信号会相互耦合，无法达到隔离的目的。

3、由于上述结构在矩形波导内单纯插入微带电路缺少隔离电路，支路间的隔离度理论上只有6db，距离某些应用需求(如高功率合成、相控阵功分网络等)的隔离度要求差距较大。

技术实现思路

1、本申请的目的在于，为了克服现有的技术缺陷，提供了一种高隔离双波导探针功分/合成器，通过在矩形波导内的介质基板上设置薄膜电阻，能够对两个微带线相互耦合的电场分量进行吸收，从而实现两个微带线间隔离。

2、本申请目的通过下述技术方案来实现：

3、第一方面，本申请提出了一种高隔离双波导探针功分/合成器，包括矩形波导，在矩形波导的中心线两端设置向外延伸且对称的矩形金属屏蔽腔，在每个矩形金属屏蔽腔底部安装微带线，所述微带线的末端在所述矩形波导的内部，介质基板纵向设置且介质基板的中心线与微带线处于同一条水平线，薄膜电阻附着于介质基板朝向微带线的表面中部。

4、在一种可能的实施方式中，微带线包括末端耦合线，末端耦合线位于微带线的末端。

5、在一种可能的实施方式中，微带线还包括阻抗变换线，阻抗变换线与末端耦合线连接且位于矩形波导的外部。

6、在一种可能的实施方式中，微带线还包括50ω微带线，50ω微带线与阻抗变换线连接。

7、在一种可能的实施方式中，50ω微带线为微带电路射频端口。

8、在一种可能的实施方式中，薄膜电阻与微带线为非接触式。

9、在一种可能的实施方式中，薄膜电阻与微带线相互垂直。

10、在一种可能的实施方式中，介质基板的中心线与微带线处于同一条水平线。

11、在一种可能的实施方式中，所述矩形波导和所述矩形金属屏蔽腔选用相同的材质。

12、上述本申请主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本申请可采用并要求保护的方案；且本申请，(各非冲突选择)选择之间以及和其他选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本申请方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本申请所要保护的技术方案，在此不做穷举。

13、本申请公开了一种高隔离双波导探针功分/合成器，包括矩形波导，在矩形波导的中心线两端设置向外延伸且对称的矩形金属屏蔽腔，在每个矩形金属屏蔽腔底部安装微带线，微带线的末端在矩形波导的内部，介质基板纵向设置且介质基板的中心线与微带线处于同一条水平线，薄膜电阻附着于介质基板朝向微带线的表面中部。本申请通过在矩形波导内的介质基板上设置薄膜电阻，能够对两个微带线相互耦合的电场分量进行吸收，从而实现两个微带线间隔离。

技术特征：

1.一种高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，包括矩形波导，在矩形波导的中心线两端设置向外延伸且对称的矩形金属屏蔽腔，在每个矩形金属屏蔽腔底部安装微带线，所述微带线的末端在所述矩形波导的内部，介质基板纵向设置，薄膜电阻附着于介质基板朝向微带线的表面中部。

2.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，微带线包括末端耦合线，末端耦合线位于微带线的末端。

3.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，微带线还包括阻抗变换线，阻抗变换线与末端耦合线连接且位于矩形波导的外部。

4.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，微带线还包括50ω微带线，50ω微带线与阻抗变换线连接。

5.如权利要求4所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，50ω微带线为微带电路射频端口。

6.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，薄膜电阻与微带线为非接触式。

7.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，薄膜电阻与微带线相互垂直。

8.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，介质基板的中心线与微带线处于同一条水平线。

9.如权利要求1所述的高隔离双波导探针功分/合成器，其特征在于，所述矩形波导和所述矩形金属屏蔽腔选用相同的材质。

技术总结
本申请公开了一种高隔离双波导探针功分/合成器，包括矩形波导，在矩形波导的中心线两端设置向外延伸且对称的矩形金属屏蔽腔，在每个矩形金属屏蔽腔底部安装微带线，微带线的末端在矩形波导的内部，介质基板纵向设置且介质基板的中心线与微带线处于同一条水平线，薄膜电阻附着于介质基板朝向微带线的表面中部。本申请通过在矩形波导内的介质基板上设置薄膜电阻，能够对两个微带线相互耦合的电场分量进行吸收，从而实现两个微带线间隔离。

技术研发人员：朱海帆
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19