一种抗干扰红外接收模组及其封装方法与流程

本发明属于红外信号接收电子元件，具体涉及一种抗干扰红外接收模组及其封装方法。

背景技术：

1、现有的红外线接收模组(irm，infrared receiver module)，其内部有一光接收单元(如感光pd芯片)和一信号处理ic，因信号处理ic会受到外界自然光和电磁信号的干扰，为了提高信号处理ic的抗干扰能力，一般会在信号处理ic的表面位置外置或内置一层金属屏蔽罩。而屏蔽罩一般都是通过折弯或者焊接的形式固定，此方法存在生产工艺复杂，良率低，生产过程品质隐患多，成本高的问题。

2、比如外置金属屏蔽罩，需要先将金属屏蔽罩分别放置于每个材料上，然后再通过折弯卡住的形式固定在材料表面，在此过程，需要施加外力进行折弯，折弯不可避免的会对材料胶体等造成一定的应力，且不同型号需要用到不同的工装治具，增加工艺成本。

3、内置金属屏蔽罩的直插式结构也是需要通过折弯的形式，不同的支架需要用不同的工装治具进行折弯，折弯工艺复杂，效率低，且在折弯过程中的的外力会对内部的芯片，晶线造成影响；贴片式的结构一般采用焊接的形式将金属屏蔽罩固定，但贴片式材料一般体积较小，此过程中还需要控制焊接时间和位置，更提高了生产工艺的复杂度，且焊接温度较高，良率较难控制。

技术实现思路

1、针对现有技术中红外接收模组信号处理ic的金属罩制作工艺复杂、良率低且生产成本高的问题，提供一种抗干扰红外接收模组及其封装方法。

2、本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

3、一方面，本发明提供一种抗干扰红外接收模组，包括封装层、基板和信号处理ic，所述封装层包括保护胶和屏蔽部，所述基板上设置有屏蔽地线，所述信号处理ic设置于所述基板上，所述保护胶包覆所述信号处理ic，所述屏蔽地线围设于所述信号处理ic，且至少部分围设所述信号处理ic的屏蔽地线凸出于所述基板，形成挡胶坝体，所述保护胶与所述挡胶坝体内壁接触，所述屏蔽部设置于所述保护胶表面，所述屏蔽部与所述屏蔽地线电连接。

4、可选的，所述抗干扰红外接收模组还包括所述第一导线、第二导线和第三导线，所述屏蔽地线设置有第一避让口和第二避让口，所述第二导线与所述第三导线穿过所述第一避让口，所述第一导线穿过所述第二避让口。

5、可选的，所述屏蔽地线包括第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段，所述第一屏蔽地线段与所述第二屏蔽地线段均为半弧形，所述第一屏蔽地线段由所述第三导线位置延伸到所述第一导线位置，所述第二屏蔽地线段由所述第二导线位置延伸至所述第一导线位置，所述第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段在所述第二导线和所述第三导线处形成所述第一避让口，所述第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段在所述第一导线处形成所述第二避让口。

6、可选的，所述基板上设置有挡胶区，所述挡胶区位于所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线上，所述挡胶区位置涂覆挡胶漆，所述挡胶漆包覆所述第一避让口与所述第二避让口位置。

7、可选的，所述基板上设置有挡胶区，所述挡胶区位于所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线上，所述挡胶区位置涂覆挡胶漆，所述挡胶漆包覆所述第一避让口与所述第二避让口位置。

8、可选的，所述抗干扰红外接收模组还包括感光芯片和封装胶，所述感光芯片用于将光转化为电信号，所述感光芯片设置于所述基板上，所述封装胶设置于所述基板上并包覆所述感光芯片和所述屏蔽部，所述感光芯片与所述信号处理ic电连接，所述信号处理ic接收电信号。

9、可选的，所述基板还包括第一固晶区、第二固晶区和接地导线，所述感光芯片设置于所述第一固晶区，所述信号处理ic设置于所述第二固晶区，所述信号处理ic通过所述第一导线与所述感光芯片电连接，所述信号处理ic通过所述第二导线用于连接外部电源，所述信号处理ic通过所述第三导线进行信号外部传输，所述接地导线分别连接所述第一固晶区和所述第二固晶区，所述信号处理ic电连接所述接地导线，所述接地导线电连接所述屏蔽地线，所述信号处理ic分别与所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述接地导线电连接，所述感光芯片与所述第一导线电连接。

10、可选的，所述信号处理ic设置多个第一晶线分别与所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述接地导线电连接，所述感光芯片设置第二晶线与所述第一导线电连接。

11、可选的，所述屏蔽部包括导电浆料，所述导电浆料包括铁镍合金粉体、碳粉和铜粉中的一种或多种，所述铁镍合金粉体、碳粉和铜粉粉体粒径为10～100μm。

12、可选的，所述导电浆料还包括胶体，所述胶体黏度为4500～5500cp。

13、另一方面，本发明提供一种抗干扰红外接收模组的封装方法，包括以下操作步骤：

14、准备一基板，在所述基板上设置信号处理ic、感光芯片及屏蔽地线；

15、设置保护胶，将所述保护胶覆盖所述信号处理ic；

16、将所述导电浆料涂覆于所述保护胶表面，固化得到屏蔽部；

17、将所述屏蔽部与屏蔽地线电连接；

18、设置封装胶，将封装胶覆在感光芯片、屏蔽部以及电路导体后，模压固化到所述基板上；

19、切割封装模压后的所述基板，得到抗干扰红外接收模组。

20、本发明提供的抗干扰红外接收模组，所述封装层包括保护胶和屏蔽部，先进行保护胶包覆所述信号处理ic，然后在包覆所述信号处理ic的保护胶的表面设置屏蔽部，使所述信号处理ic被屏蔽部覆盖，所述屏蔽部本身具有一定的导电性和磁导性，与所述信号处理ic四周形成挡胶坝体的屏蔽地线连接后，发挥屏蔽电磁波作用，进而减弱或阻止外界干扰信号对所述信号处理ic的干扰；另外，本发明采用屏蔽部覆盖替代现有技术中固定内置/外置的金属屏蔽罩，简化了制备工艺同时也缩减了生产成本，在保证增强所述信号处理ic抗干扰性能的基础上，有利于提高生产效率和良率。

技术特征：

1.一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，包括封装层、基板和信号处理ic，所述封装层包括保护胶和屏蔽部，所述基板上设置有屏蔽地线，所述信号处理ic设置于所述基板上，所述保护胶包覆所述信号处理ic，所述屏蔽地线围设于所述信号处理ic，且至少部分围设所述信号处理ic的屏蔽地线凸出于所述基板，形成挡胶坝体，所述保护胶与所述挡胶坝体内壁接触，所述屏蔽部设置于所述保护胶表面，所述屏蔽部与所述屏蔽地线电连接。

2.根据权利要求1所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述抗干扰红外接收模组还包括所述第一导线、第二导线和第三导线，所述屏蔽地线设置有第一避让口和第二避让口，所述第二导线与所述第三导线穿过所述第一避让口，所述第一导线穿过所述第二避让口。

3.根据权利要求2所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述屏蔽地线包括第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段，所述第一屏蔽地线段与所述第二屏蔽地线段均为半弧形，所述第一屏蔽地线段由所述第三导线位置延伸到所述第一导线位置，所述第二屏蔽地线段由所述第二导线位置延伸至所述第一导线位置，所述第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段在所述第二导线和所述第三导线处形成所述第一避让口，所述第一屏蔽地线段和第二屏蔽地线段在所述第一导线处形成所述第二避让口。

4.根据权利要求2所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述基板上设置有挡胶区，所述挡胶区位于所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线上，所述挡胶区位置涂覆挡胶漆，所述挡胶漆包覆所述第一避让口与所述第二避让口位置。

5.根据权利要求1所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述抗干扰红外接收模组还包括感光芯片和封装胶，所述感光芯片用于将光转化为电信号，所述感光芯片设置于所述基板上，所述封装胶设置于所述基板上并包覆所述感光芯片和所述屏蔽部，所述感光芯片与所述信号处理ic电连接，所述信号处理ic接收电信号。

6.根据权利要求5所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述基板还包括第一固晶区、第二固晶区和接地导线，所述感光芯片设置于所述第一固晶区，所述信号处理ic设置于所述第二固晶区，所述信号处理ic通过所述第一导线与所述感光芯片电连接，所述信号处理ic通过所述第二导线用于连接外部电源，所述信号处理ic通过所述第三导线进行信号外部传输，所述接地导线分别连接所述第一固晶区和所述第二固晶区，所述信号处理ic电连接所述接地导线，所述接地导线电连接所述屏蔽地线，所述信号处理ic分别与所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述接地导线电连接，所述感光芯片与所述第一导线电连接。

7.根据权利要求6所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述信号处理ic设置多个第一晶线分别与所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述接地导线电连接，所述感光芯片设置第二晶线与所述第一导线电连接。

8.根据权利要求1所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述屏蔽部包括导电浆料，所述导电浆料包括铁镍合金粉体、碳粉和铜粉中的一种或多种，所述铁镍合金粉体、碳粉和铜粉粉体粒径为10～100μm。

9.根据权利要求8所述的一种抗干扰红外接收模组，其特征在于，所述导电浆料还包括胶体，所述胶体黏度为4500～5500cp。

10.根据权利要求1～9任意一项所述的一种抗干扰红外线接收模组的封装方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

技术总结
为克服现有技术中红外接收模组信号处理IC的金属罩制作工艺复杂、良率低且生产成本高的问题，提供一种抗干扰红外接收模组，包括封装层、基板和信号处理IC，封装层包括保护胶和屏蔽部，基板上设置有屏蔽地线，保护胶包覆信号处理IC，屏蔽地线围设于信号处理IC，且至少部分围设信号处理IC的屏蔽地线凸出于基板，形成挡胶坝体，保护胶与挡胶坝体内壁接触，屏蔽部设置于保护胶表面，屏蔽部与屏蔽地线电连接。同时，本发明还公开了上述抗干扰红外接收模组的封装方法。本发明提供的红外接收模组覆设屏蔽部具有优良导电性，能吸收电磁信号，减弱或阻止外界干扰信号对信号处理IC的干扰，在保证增强信号处理IC抗干扰性能基础上，提高生产效率和良率。

技术研发人员：陈宝良,魏冬寒,孙平如,苏宏波
受保护的技术使用者：深圳市聚飞光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4