芯片分割方法与流程

本发明涉及芯片制备，尤其涉及一种芯片分割方法。

背景技术：

1、单颗芯片制作时，通常是先在一块基底上形成多个芯片单体，然后采用切割的方式将芯片分割为多个小芯片。

2、相关技术中，切割芯片时通常会采用激光切割的方式，然而，激光切割需要较高的切割精度，在芯片单体不是矩阵排布时(也即不规则排布时)，采用激光切割有一定的偏差风险，且切割成本较为昂贵。

技术实现思路

1、本发明提供了一种芯片分割方法，以降低芯片分割的成本。

2、根据本发明的一方面，提供了一种芯片分割方法，所述芯片包括基底和设置于所述基底上的多个芯片单体，任意相邻两个所述芯片单体之间设置有分割区，每个所述分割区两侧设有非分割区；所述芯片分割方法包括：

3、于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层，所述阻挡层暴露出所述基底对应所述分割区的部分；

4、于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层，其中，所述支撑层覆盖所述基底对应所述分割区的部分，且至少覆盖与所述分割区相邻的每个所述非分割区的至少一部分；

5、以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底位于所述分割区的部分；

6、去除所述支撑层。

7、可选地，所述于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层包括：

8、于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成光刻胶；

9、图案化所述光刻胶以形成所述阻挡层。

10、可选地，所述芯片单体具有空腔区和环绕所述空腔区的边缘区；所述于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层包括：

11、形成暴露所述基底对应所述空腔区的部分的所述阻挡层。

12、可选地，所述以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底位于所述分割区的部分时还包括：

13、以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底对应所述空腔区的部分。

14、可选地，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

15、整面形成所述支撑层。

16、可选地，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

17、形成位于所述芯片单体之间的所述支撑层，其中，沿所述芯片的厚度方向，所述支撑层的正投影与所述芯片单体的正投影不交叠。

18、可选地，所述以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底包括：

19、利用深反应离子技术刻蚀所述基底。

20、可选地，所述去除所述支撑层时还包括：

21、去除所述阻挡层。

22、可选地，所述去除所述支撑层及去除所述阻挡层包括：

23、利用氧等离子体技术同时去除所述支撑层及所述阻挡层。

24、可选地，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

25、正面压或旋涂有机保护膜以形成所述支撑层。

26、本发明实施例的技术方案，采用的芯片分割方法包括：于基底远离芯片单体的一侧形成阻挡层，阻挡层暴露出基底对应分割区的部分；于基底靠近芯片单体的一侧形成支撑层，其中，支撑层覆盖基底对应分割区的部分，且至少覆盖与分割区相邻的每个非分割区的至少一部分；以阻挡层为掩膜，刻蚀基底位于分割区的部分；去除支撑层。通过刻蚀的方式将芯片单体分离，而不必采用激光进行切割的方式进行分离，可以降低芯片分割的成本。且通过刻蚀的方式分离，还具有较高的分割精度。

27、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种芯片分割方法，所述芯片包括基底和设置于所述基底上的多个芯片单体，任意相邻两个所述芯片单体之间设置有分割区，每个所述分割区两侧设有非分割区；其特征在于，所述芯片分割方法包括：

2.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层包括：

3.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述芯片单体具有空腔区和环绕所述空腔区的边缘区；所述于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层包括：

4.根据权利要求3所述的芯片分割方法，其特征在于，所述以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底位于所述分割区的部分时还包括：

5.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

6.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

7.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底包括：

8.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述去除所述支撑层时还包括：

9.根据权利要求8所述的芯片分割方法，其特征在于，所述去除所述支撑层及去除所述阻挡层包括：

10.根据权利要求1所述的芯片分割方法，其特征在于，所述于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层包括：

技术总结
本发明公开了一种芯片分割方法，所述芯片包括基底和设置于所述基底上的多个芯片单体，任意相邻两个所述芯片单体之间设置有分割区，每个所述分割区两侧设有非分割区；所述芯片分割方法包括：于所述基底远离所述芯片单体的一侧形成阻挡层，所述阻挡层暴露出所述基底对应所述分割区的部分；于所述基底靠近所述芯片单体的一侧形成支撑层，其中，所述支撑层覆盖所述基底对应所述分割区的部分，且至少覆盖与所述分割区相邻的每个所述非分割区的至少一部分；以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底位于所述分割区的部分；去除所述支撑层。本发明通过刻蚀的方式将芯片单体进行分割，可以降低分割成本。

技术研发人员：陈思奇,费跃,葛斌,王焕焕,刘子仪,蔡金东,全雪,范文轩
受保护的技术使用者：常州元晶摩尔微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19