本发明涉及芯片封装工艺,具体为一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺。
背景技术:
1、芯片封装覆晶是芯片封装工艺中的一个重要步骤,在传统工艺覆晶过程中,需要将胶水喷涂在基板上,然后将芯片覆盖在胶水上,以便完成覆晶过程;
2、但是这种覆晶工艺由于画胶无法保证胶水的胶型正常,如图6所示,当胶型正常时,在吸嘴杆上的芯片能够顺利压合,此时胶水厚度均匀,从而完成芯片覆晶;当涂胶过程中的胶型出现异常,吸嘴杆在带动芯片下压的过程中,胶水厚度会出现不均匀的情况,而在覆晶过程中胶水与芯片之间的倾斜度如果超过1度,会影响下一制程焊线与芯片及基板的连接,导致焊不上线,设备频繁停机报警,极大的影响生产连续性和效率;为此,我们提出一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供了一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺。
2、本发明所解决的技术问题为:如何保证在胶型异常的情况下防止芯片的贴装过渡倾斜。
3、本发明可以通过以下技术方案实现:一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,该芯片覆晶工艺包括如下步骤:
4、步骤一、排布基板并将其固定在治具上;
5、步骤二、利用油墨涂刷设备对基板进行阻焊油墨的涂刷;
6、步骤三、对基板上涂刷的阻焊油墨进行烘烤固化;
7、步骤四、在基板上点胶并针对正常胶型和异常胶型进行不同的装片操作处理;
8、步骤五、对装片完成的基板进行烘烤定型。
9、本发明的进一步技术改进在于:油墨涂刷设备包括覆盖于基板上方的遮盖钢板,遮盖钢板上均匀设有若干孔位点阵,孔位点阵中的孔洞均为通孔,遮盖钢板上滑动设置有用于摊铺阻焊油墨的刮刀。
10、本发明的进一步技术改进在于:在遮盖钢板上喷洒带条状的阻焊油墨,并通过刮刀将其刮平,在设有孔位点阵的区域,阻焊油墨透过孔位点阵进入到基板上的对应位置。
11、本发明的进一步技术改进在于:若干阻焊油墨在基板上形成的油墨点阵厚度均匀且点阵中每个点所在的油墨厚度相当。
12、本发明的进一步技术改进在于:步骤三中的烘烤固化过程包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段。
13、本发明的进一步技术改进在于:升温阶段在45min内从室温逐渐加热至180℃~220℃,并在该温度保持1h的恒温状态,最后在1h时间内降温至30℃-40℃。
14、本发明的进一步技术改进在于:针对正常胶型,利用真空吸嘴杆吸取芯片转移至阻焊油墨点阵正上方,随后释放芯片,芯片在重力作用下自动与胶水贴合。
15、本发明的进一步技术改进在于:针对异常胶型,真空吸嘴吸取芯片转移至阻焊油墨点阵上方,下降至芯片底面与胶水最高处相互接触,真空吸嘴杆继续下压直至芯片底面与固化的阻焊油墨相接触。
16、本发明的进一步技术改进在于:步骤五中的烘烤定型过程中,烘烤温度设定为100℃~150℃,烘烤时间为60~90min。
17、本发明的进一步技术改进在于:点胶所用胶水为导线银胶。
18、与现有技术相比,本发明具备以下有益效果:
19、通过在基板上对应位置涂刷厚度均匀的阻焊油墨点阵,并进行固化附着,当点胶过程中出现胶型异常的情况下,真空吸嘴利用相对真空度吸取芯片转移至阻焊油墨点阵上方,下降至芯片底面与胶水最高处相互接触,真空吸嘴杆继续下压直至芯片底面与固化的阻焊油墨相接触,芯片的向下挤压和均匀厚度的阻焊油墨的支撑,使得具有流动性的胶水能够在压力和阻焊油墨的限制下均匀填充在芯片下方,完成粘接,整个芯片不会发生倾斜,从而有利于后续焊接工序的进行,提高了整个工艺的流畅度和生产效率。
1.一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于:该芯片覆晶工艺包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,所述油墨涂刷设备包括覆盖于基板上方的遮盖钢板,遮盖钢板上均匀设有若干孔位点阵,孔位点阵中的孔洞均为通孔,遮盖钢板上滑动设置有用于摊铺阻焊油墨的刮刀。
3.根据权利要求2所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,在遮盖钢板上喷洒带条状的阻焊油墨,并通过刮刀将其刮平,在设有孔位点阵的区域,阻焊油墨透过孔位点阵进入到基板上的对应位置。
4.根据权利要求2所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,若干所述阻焊油墨在基板上形成的油墨点阵厚度均匀且点阵中每个点所在的油墨厚度相当。
5.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,步骤三中所述的烘烤固化过程包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段。
6.根据权利要求5所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,所述升温阶段在45min内从室温逐渐加热至180℃~220℃,并在该温度保持1h的恒温状态,最后在1h时间内降温至30℃-40℃。
7.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,针对正常胶型,利用真空吸嘴杆吸取芯片转移至阻焊油墨点阵正上方,随后释放芯片,芯片在重力作用下自动与胶水贴合。
8.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,针对异常胶型,真空吸嘴吸取芯片转移至阻焊油墨点阵上方,下降至芯片底面与胶水最高处相互接触,真空吸嘴杆继续下压直至芯片底面与固化的阻焊油墨相接触。
9.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,步骤五中的烘烤定型过程中,烘烤温度设定为100℃~150℃,烘烤时间为60~90min。
10.根据权利要求1所述的一种保证芯片贴合均匀度的芯片覆晶工艺,其特征在于,点胶所用胶水为导线银胶。