一种发光二极管及发光装置的制作方法

本发明涉及半导体器件，具体涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术：

1、发光二极管是一种将电能转换为光能的固体发光器件，由于其具有寿命长，体积小，耐震性好，节电，高效，响应时间快，驱动电压低，环保等优点，而广泛用于指示，显示，装饰，照明等诸多领域。

2、目前，在一些led芯片的出光面上会设置一些金属材料以作为电极层或者是欧姆接触层。然而，欧姆接触层或者电极层均具有一定的吸光性，会造成发光二极管的光提取效率降低。而欧姆接触层用于改善电极与半导体层的电性接触，电极用于实现与外部电路结构的导通，均是不可避免的结构。如何进一步减小欧姆接触层或者电极对外延层的吸光，以提高发光二极管的外量子效率成为本领域亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以避免设置在出光面上的金属材料对外延层发出光的吸收，提高发光二极管的出光效率。

2、为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管，包括：

3、外延层，包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围；

4、欧姆接触层，设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长；

5、欧姆接触电极，至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层；

6、第一焊盘电极，设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。

7、根据本发明的一个方面，本发明还提供一种发光装置，包括封装基板以及至少一个发光二极管，发光二极管为上述的发光二极管，且发光二极管具有基板的一侧键合于封装基板上。

8、与现有技术相比，本发明所述的发光二极管及发光装置至少具备如下有益效果：

9、本发明中的发光二极管包括外延层、欧姆接触层、欧姆接触电极以及第一焊盘电极。外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，由于欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于第一波长范围的最大波长，光波会发生衍射效应。也即，欧姆接触块不会对光波进行吸收，光波会绕过欧姆接触块(阻光体)而发生衍射现象，使得外延层发出的光大多数能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

10、本发明中的发光装置包括上述发光二极管，同样地具备上述技术效果。

技术特征：

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个所述欧姆接触块沿垂直于所述第一半导体层的方向上的高度小于或等于所述第一波长范围内的最大波长。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述欧姆接触块之间的距离小于或者等于所述第一波长范围内的最大波长。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层包括：

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极包括电极部，所述电极部包括第一电极条、第二电极条、第三电极条以及第四电极条，其中，所述第一电极条覆盖在所述第一欧姆接触条上，所述第二电极条覆盖在所述第二欧姆接触条上，所述第三电极条覆盖在第三欧姆接触条上，所述第四电极条覆盖在所述第四欧姆接触条上。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极还包括导通部，所述导通部包括第一导通条、第二导通条、第三导通条以及第四导通条，所述第一导通条连接所述第一焊盘电极与所述第一电极条，所述第二导通条连接所述第一焊盘电极与所述第二电极条，所述第三导通条连接所述第一焊盘电极与所述第三电极条，所述第四导通条连接所述第一焊盘电极与所述第四电极条。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，每个所述导通条的宽度小于或者等于所述第一波长范围内的最大波长。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，每个所述导通条与所述第一半导体层之间设置有所述欧姆接触层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极完全覆盖所述第一半导体层。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层至多占据所述第一半导体层的表面面积的30％。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一波长范围介于550nm～950nm，所述欧姆接触块与所述第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于550nm。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触块的形状呈圆柱形。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极为透明电极。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触块的材料为金、锗、镍、钛、铬中的一种或者多种。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极的厚度介于1μm～5μm。

16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

18.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

20.一种发光装置，其特征在于，包括：

技术总结
本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管中的外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，光波会发生衍射效应，使得大多数的光能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

技术研发人员：胡鹏杰,周理评,柯韦帆,刘胜男,刘佳玉,徐长江,侯文英,郭桓卲,彭钰仁
受保护的技术使用者：泉州三安半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17