具有辅助特征的半导体元件的制备方法与流程

本公开内容关于一种半导体元件的制备方法，特别是关于一种具有辅助特征的半导体元件的制备方法。

背景技术：

1、半导体元件应用于各种领域，如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子装置。半导体元件的尺寸持续地缩小，以满足日益增长的计算能力的需求。然而，在缩小尺寸的过程中出现各种问题，而且这种问题在不断增加。因此，在实现提高品质、产量、性能以及可靠性与降低复杂性方面仍然存在挑战。

2、上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开内容的一个方面提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；在该基底上形成一第一介电层；沿该第一介电层形成一第一开口以及一第二开口；形成一层导电材料以部分填充该第一开口、填充该第二开口，并覆盖该第一介电层的一顶面；执行一平坦化制程，直到曝露该第一介电层的该顶面，将该层导电材料变成该第一开口中的一第一接触及该第二开口中的一第二接触；以及在该第一接触上形成一第一辅助特征，在该第二接触上形成一第二辅助特征。该第一辅助特征与该第二辅助特征包括锗或硅锗。该层导电材料掺入n型掺杂物或p型掺杂物。

2、由于本公开的半导体元件的设计，第一接触与第二接触的接触电阻可以通过采用第一辅助特征及第二辅助特征而减少。因此，半导体元件的性能可以得到改善。

3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件的制备方法，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该层导电材料通过低压化学气相沉积形成。

3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中形成该第一辅助特征与该第二辅助特征的一制程温度大约300℃到大约800℃之间。

4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其中形成该第一辅助特征与该第二辅助特征的一制程压力大约1托到大约300托之间。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制备方法，形成该第一辅助特征与该第二辅助特征的一反应性气体包含一锗前趋物及/或氢气。

6.如权利要求5所述的半导体元件的制备方法，其中该锗前趋物包含锗、二锗、异丁基锗、氯锗或二氯锗。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该第一接触与该第二接触包括硅及/或锗，实质上没有氧与氮。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中该导电材料包括多晶硅、多晶锗或多晶硅锗。

技术总结
本申请公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包含：提供一基底；在该基底上形成一第一介电层；沿该第一介电层形成一第一开口以及一第二开口；形成一层导电材料，以部分填充该第一开口、填充该第二开口，并覆盖该第一介电层的一顶面；执行一平坦化制程，直到曝露该第一介电层的该顶面，将该层导电材料变成该第一开口中的一第一接触及该第二开口中的一第二接触；以及在该第一接触上形成一第一辅助特征，在该第二接触上形成一第二辅助特征。该第一辅助特征与该第二辅助特征包括锗或硅锗。该层导电材料掺入n型掺杂物或p型掺杂物。

技术研发人员：黄则尧
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/10