表面激光发射器与发光器件的制作方法

本申请属于半导体器件，具体涉及一种表面激光发射器与发光器件。

背景技术：

1、现有技术中已经尝试通过使用分区技术等来实现垂直腔面发射激光器vcsel从单一点亮阵列变成逐行、逐列的一维度器件，从而有效控制出光区域来节约系统功耗、提高散热性能和发光效率。

2、然而当现有技术中使用线条型分区时，尤其是长条形分区时，金属电极需要将电流扩散到很远的距离，靠近键合电极的发射孔与远离键合电极的发射孔所接收到的电流密度会有所不同。另一方面，所有的发射孔被设计成拥有同一尺寸。所以，在同一驱动条件下，近端和远端的发射孔的光输出会有区别，影响器件出光的均匀性。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种表面激光发射器与发光器件，以解决现有技术中存在的vcsel线条形分区时靠近键合电极的发射孔与远离键合电极的发射孔所接收到的电流密度会有所不同，影响器件出光的均匀性的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请采用的一个技术方案是：

3、提供了一种表面激光发射器，包括：

4、衬底；

5、接触电极，布置在所述衬底上；

6、发光阵列，布置在所述衬底上，所述发光阵列包括自所述接触电极沿第一方向线性排列的若干发光元件，且所述发光阵列与所述接触电极电性连接，每一所述发光元件包括沿背离所述衬底的方向依次设置的第一导电反射层、有源层、氧化层和第二导电反射层，所述氧化层中心形成有氧化孔；

7、其中，沿远离所述接触电极的方向上，所述若干发光元件的所述氧化孔的孔径逐渐增大。

8、在一个或多个实施方式中，所述发光阵列中相邻所述发光元件的间距相等。

9、在一个或多个实施方式中，所述发光阵列中相邻所述氧化孔的中心轴的间距相等。

10、在一个或多个实施方式中，所述氧化孔包括沿所述第一方向的第一轴以及沿第二方向的第二轴，所述第二方向为在所述衬底表面上与所述第一方向垂直的方向，沿远离所述接触电极的方向上，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第二轴长度逐渐增大，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第一轴长度保持不变。

11、在一个或多个实施方式中，包括若干所述发光阵列以及若干所述接触电极，若干所述发光阵列沿第二方向均匀排列设置，若干所述接触电极与若干所述发光阵列一一对应，且每一所述接触电极布置在对应的所述发光阵列的一端，相邻所述发光阵列对应的所述接触电极布置在相对的两端。

12、在一个或多个实施方式中，所述氧化孔包括沿所述第一方向的第一轴以及沿第二方向的第二轴，所述第二方向为在所述衬底表面上与所述第一方向垂直的方向，沿远离所述接触电极的方向上，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第一轴长度逐渐增大，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第二轴长度保持不变。

13、在一个或多个实施方式中，所述氧化孔为椭圆形孔或圆形孔。

14、在一个或多个实施方式中，包括位于所述发光阵列两端的一对所述接触电极，位于所述发光阵列中部的所述发光元件的所述氧化孔的孔径大于位于所述发光阵列两侧的所述发光元件的所述氧化孔的孔径。

15、在一个或多个实施方式中，所述若干发光元件的所述氧化孔孔壁与所述氧化层外缘的距离相等。

16、为实现上述目的，本申请采用的另一个技术方案是：

17、提供一种发光器件，包括上述任一实施方式所述的表面激光发射器。

18、区别于现有技术，本申请的有益效果是：

19、本申请通过将发光元件的氧化孔的孔径设置为与接触电极的距离越远尺寸越大，能够补偿因电流传输距离导致的电流密度不均匀的问题；同时远处增大的氧化孔面积，也能够增加载流子辐合的面积，提高出光量，避免整个分区出光不均匀的问题。

技术特征：

1.一种表面激光发射器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述发光阵列中相邻所述发光元件的间距相等。

3.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述发光阵列中相邻所述氧化孔的中心轴的间距相等。

4.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述氧化孔包括沿所述第一方向的第一轴以及沿第二方向的第二轴，所述第二方向为在所述衬底表面上与所述第一方向垂直的方向，沿远离所述接触电极的方向上，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第二轴长度逐渐增大，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第一轴长度保持不变。

5.根据权利要求4所述的表面激光发射器，其特征在于，包括若干所述发光阵列以及若干所述接触电极，若干所述发光阵列沿第二方向均匀排列设置，若干所述接触电极与若干所述发光阵列一一对应，且每一所述接触电极布置在对应的所述发光阵列的一端，相邻所述发光阵列对应的所述接触电极布置在相对的两端。

6.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述氧化孔包括沿所述第一方向的第一轴以及沿第二方向的第二轴，所述第二方向为在所述衬底表面上与所述第一方向垂直的方向，沿远离所述接触电极的方向上，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第一轴长度逐渐增大，所述若干发光元件的所述氧化孔的所述第二轴长度保持不变。

7.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述氧化孔为椭圆形孔或圆形孔。

8.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，包括位于所述发光阵列两端的一对所述接触电极，位于所述发光阵列中部的所述发光元件的所述氧化孔的孔径大于位于所述发光阵列两侧的所述发光元件的所述氧化孔的孔径。

9.根据权利要求1所述的表面激光发射器，其特征在于，所述若干发光元件的所述氧化孔孔壁与所述氧化层外缘的距离相等。

10.一种发光器件，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的表面激光发射器。

技术总结
本申请公开了一种表面激光发射器与发光器件，表面激光发射器包括衬底；接触电极，布置在衬底上；发光阵列，布置在衬底上，发光阵列包括自接触电极沿第一方向线性排列的若干发光元件，且发光阵列与接触电极电性连接，每一发光元件包括沿背离衬底的方向依次设置的第一导电反射层、有源层、氧化层和第二导电反射层，氧化层中心形成有氧化孔；其中，沿远离接触电极的方向上，若干发光元件的氧化孔的孔径逐渐增大。本申请通过将发光元件的氧化孔的孔径设置为与接触电极的距离越远尺寸越大，能够补偿因电流传输距离导致的电流密度不均匀的问题；同时远处增大的氧化孔面积，也能够增加载流子辐合的面积，提高出光量，避免整个分区出光不均匀的问题。

技术研发人员：纪云,高飞,魏永强,沈雁伟
受保护的技术使用者：苏州立琻半导体有限公司
技术研发日：20230227
技术公布日：2024/1/12