低温静电卡盘的制作方法

本公开(disclosure)涉及低温静电卡盘。

背景技术：

1、一般而言，半导体器件通过包括薄膜沉积工序和蚀刻工序的多项单位工序而制造，蚀刻工序主要利用诱发等离子体反应的等离子体蚀刻装置来执行。

2、最近，在形成具有高纵横比(high aspect ratio)的结构或利用光刻胶膜蚀刻晶片时，为保障高选择比(selectivity)，要求在低温下执行等离子体蚀刻。

3、为了这种低温蚀刻，静电卡盘也要保持低温状态，因此，在供静电卡盘结合和加装的设备中会发生多种问题。例如，由于静电卡盘为低温，而设备为室温，因而会在设备上生成霜、冰或水。这种水分会对设备的各种机械/电气结构造成影响，并最终会成为晶片缺陷(defect)的原因。

4、背景技术部分公开的上述信息仅用于提高对本实用新型背景的理解度，因此也可以包括不构成现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开要解决的技术课题在于提供一种能加装于设备中同时不在设备中形成霜、冰或水分等的低温静电卡盘。

2、技术方案

3、本公开的低温静电卡盘可以包括：底座构件；及支撑构件，所述支撑构件由在所述底座构件上涂布的第一介电层、在所述第一介电层上配置的电极层、在所述第一介电层和所述电极层上涂布的第二介电层构成；所述底座构件包括第一流路和第二流路，所述第一流路配置于上部区域并供第一温度的第一流体流动，所述第二流路配置于下部区域并供第二温度的第二流体流动，所述第二温度高于所述第一温度。

4、在一些示例中，所述第一温度可以为-200℃至0℃，所述第二温度可以为0℃至80℃。

5、在一些示例中，所述底座构件可以还包括隔热腔，所述隔热腔配置于所述第一流路与所述第二流路之间。

6、在一些示例中，所述隔热腔可以包括第一隔热腔和第二隔热腔，所述第一隔热腔配置于所述第一流路与所述第二流路之间，所述第二隔热腔配置于各第一流路之间并与所述第一隔热腔连接。

7、在一些示例中，所述隔热腔可以包括：第一隔热腔，所述第一隔热腔配置于所述第一流路与所述第二流路之间；及第二隔热腔，所述第二隔热腔配置于各第二流路之间并与所述第一隔热腔连接。

8、在一些示例中，所述隔热腔可以包括：第一隔热腔，所述第一隔热腔配置于所述第一流路与所述第二流路之间；第二隔热腔，所述第二隔热腔配置于各第一流路之间并与所述第一隔热腔连接；及第三隔热腔，所述第三隔热腔配置于各第二流路之间并与所述第一隔热腔连接。

9、在一些示例中，所述隔热腔可以在内部填充有隔热材料。

10、在一些示例中，在所述隔热腔的上表面或下表面可以涂布有ysz(yttria-stabilized zirconia，氧化钇稳定氧化锆)，或结合有ysz板，或涂布有al2tio5，或结合有al2tio5板。

11、在一些示例中，所述底座构件可以还包括隔热加热器，所述隔热加热器配置于所述第一流路与所述第二流路之间。

12、在一些示例中，所述底座构件可以还包括：隔热腔，所述隔热腔配置于所述第一流路与所述第二流路之间；及隔热加热器，所述隔热加热器配置于所述第一流路与所述第二流路之间。

13、在一些示例中，所述低温静电卡盘可以还包括介于所述底座构件与所述支撑构件之间的粘合层。

14、在一些示例中，所述粘合层可以包含硅树脂聚合物类或金属类。

15、在一些示例中，所述粘合层可以包含具有0.3w/mk～3w/mk导热率的单液型硅树脂、双液型硅树脂、单液型环氧树脂、双液型环氧树脂或聚氨酯中的至少一种。

16、在一些示例中，所述粘合层可以包含陶瓷填料或金属填料中的至少一种。

17、在一些示例中，所述粘合层可以包括所述底座构件与所述支撑构件之间的金属化钎焊层、活性金属钎焊层、扩散接合层、摩擦压接层或激光焊接层。

18、技术效果

19、本公开提供一种能加装于设备中同时不在设备中形成霜、冰或水分等的低温静电卡盘。

技术特征：

1.一种低温静电卡盘，包括：

2.根据权利要求1所述的低温静电卡盘，其中，

3.根据权利要求1所述的低温静电卡盘，其中，

4.根据权利要求3所述的低温静电卡盘，其中，

5.根据权利要求3所述的低温静电卡盘，其中，

6.根据权利要求3所述的低温静电卡盘，其中，

7.根据权利要求3所述的低温静电卡盘，其中，

8.根据权利要求3所述的低温静电卡盘，其中，

9.根据权利要求1所述的低温静电卡盘，其中，

10.根据权利要求1所述的低温静电卡盘，其中，

11.根据权利要求1所述的低温静电卡盘，其中，

12.根据权利要求11所述的低温静电卡盘，其中，

13.根据权利要求11所述的低温静电卡盘，其中，

14.根据权利要求11所述的低温静电卡盘，其中，

15.根据权利要求11所述的低温静电卡盘，其中，

技术总结
本公开涉及低温静电卡盘，要解决的技术课题在于提供一种能加装于设备中同时不在设备中形成霜、冰或水分等的低温静电卡盘。为此，本公开提供一种低温静电卡盘，包括：底座构件；及支撑构件，所述支撑构件由在所述底座构件上涂布的第一介电层、在所述第一介电层上配置的电极层、在所述第一介电层和所述电极层上涂布的第二介电层构成；所述底座构件包括第一流路和第二流路，所述第一流路配置于上部区域并供第一温度的第一流体流动，所述第二流路配置于下部区域并供第二温度的第二流体流动，所述第二温度高于所述第一温度。

技术研发人员：金荣坤,朴载赫,韩秉俊,李南熙,林钟佑
受保护的技术使用者：株式会社 EST
技术研发日：20230228
技术公布日：2024/1/12