大阻值功率型电阻体及其电阻器的制作方法

文档序号:35226333发布日期:2023-08-24 22:36阅读:22来源:国知局
大阻值功率型电阻体及其电阻器的制作方法

本技术涉及电阻,涉及一种大阻值功率型电阻体及其电阻器。


背景技术:

1、合金电阻是一种采用合金为电流介质的电阻,常常用于电路中电流的采样。用于反馈电路中变化的电流,以便进一步地控制或影响电流的变化。主要用到的产品如:电池保护板,电源类,变频器,灯具,电机等。

2、由于合金本身的电阻率普遍较低,导致目前市面上的合金电阻的阻值范围基本上只能做到毫欧级别,缺少能达到欧姆级别的大阻值电阻器。目前市面上能达到大阻值功率型电阻器往往会有体积大,稳定性差等缺点;同时对合金电阻在进行阻值调整后,其调整部位截面减小导致电阻体会非常脆弱,降低了贴片电阻产品的性能,减少合金电阻的使用寿命,增加使用成本。


技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是提供一种对电阻器阻值范围能有更大的提升,极大地缩小了电阻器的体积,减小了外界环境对阻体的影响的大阻值功率型电阻体及其电阻器。

2、为了解决上述技术问题,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:

3、一种大阻值功率型电阻体,包括:

4、中间电阻体,其包括多个竖向导体,相邻两竖向导体之间设置有横向导体;

5、侧电阻体,分别设置在所述中间电阻体两端,所述侧电阻体包括多个竖直导体,相邻竖直导体之间设置有水平导体,所述侧电阻体通过连接导体与所述竖向导体连接;

6、其中,所述中间电阻体的上方至少设置有两个横向导体,所述横向导体的宽度大于等于所述水平导体的宽度,所述横向导体上设置有调整凹槽,通过调整所述调整凹槽的加工深度以调整阻值,两横向导体上的调整凹槽相对设置形成装配槽。

7、在本实用新型的一个实施例中,所述横向导体的宽度大于等于所述竖向导体的宽度。

8、在本实用新型的一个实施例中,两侧电阻体对称设置在所述中间电阻体上,且所述竖直导体与竖向导体之间的间距与所述两竖直导体之间的间距相同。

9、在本实用新型的一个实施例中,所述中间电阻体为电阻片,所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个横向导体和竖向导体。

10、在本实用新型的一个实施例中,所述竖向导体的长度小于所述竖直导体的长度,使得中间电阻体与两侧电阻体形成“凹”字型结构。

11、在本实用新型的一个实施例中,所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体、位于中间电阻体下方的横向导体处于同一直线上,且所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体以及位于中间电阻体下方的横向导体的宽度相同。

12、在本实用新型的一个实施例中,所述侧电阻体为电阻片,所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个竖直导体和水平导体。

13、在本实用新型的一个实施例中,位于中间电阻体上方的横向导体的外侧面与水平导体的外侧面平行设置,且所述调整凹槽的分别与横向导体、竖向导体连接,通过去除调整凹槽内部的材料增大调整凹槽的加工面积。

14、本实用新型还把包括一种大阻值功率型电阻器,其包括上述任一项所述的大阻值功率型电阻体。

15、在本实用新型的一个实施例中,其还包括分别连接与两侧电阻体的竖直导体上的电极,所述电极包括第一电极片,所述第一电极片与所述竖直导体连接,所述第一电极片上设置有横向电极片,所述横向电极片上设置有第二电极片,所述第一电极片与第二电极片平行设置,且所述第一电极片的宽度大于所述第二电极片宽度,且所述横向电极片上设置有定位槽。

16、本实用新型的有益效果:

17、本实用新型的中间电阻体上的竖向导体通过横向导体进行连接形成s型结构,同时侧电阻体上的竖直导体通过水平导体连接形成s型结构,使得电流能流经更大的阻体范围,同等阻体面积下,对电阻器阻值范围能有更大的提升,极大地缩小了电阻器的体积,大阻值电阻器可使用更小的阻体,减小了外界环境对阻体的影响,通过调整侧电阻体和中间电阻体的图形以及凹槽加工深度的增减,使电阻器阻值达到需求。



技术特征:

1.一种大阻值功率型电阻体,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,所述横向导体的宽度大于等于所述竖向导体的宽度。

3.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,两侧电阻体对称设置在所述中间电阻体上,且所述竖直导体与竖向导体之间的间距与所述两竖直导体之间的间距相同。

4.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,所述中间电阻体为电阻片,所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个横向导体和竖向导体。

5.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,所述竖向导体的长度小于所述竖直导体的长度,使得中间电阻体与两侧电阻体形成“凹”字型结构。

6.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体、位于中间电阻体下方的横向导体处于同一直线上,且所述连接导体、位于侧电阻体下方的水平导体以及位于中间电阻体下方的横向导体的宽度相同。

7.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,所述侧电阻体为电阻片,所述电阻片通过金属冲格栅方式冲制出多个竖直导体和水平导体。

8.如权利要求1所述的大阻值功率型电阻体,其特征在于,位于中间电阻体上方的横向导体的外侧面与水平导体的外侧面平行设置,且所述调整凹槽的分别与横向导体、竖向导体连接,通过去除调整凹槽内部的材料增大调整凹槽的加工面积。

9.一种大阻值功率型电阻器,其特征在于,其包括如权利要求1-8任一项所述的大阻值功率型电阻体。

10.如权利要求9所述的大阻值功率型电阻器,其特征在于,其还包括分别连接与两侧电阻体的竖直导体上的电极,所述电极包括第一电极片,所述第一电极片与所述竖直导体连接,所述第一电极片上设置有横向电极片,所述横向电极片上设置有第二电极片,所述第一电极片与第二电极片平行设置,且所述第一电极片的宽度大于所述第二电极片宽度,且所述横向电极片上设置有定位槽。


技术总结
本技术涉及电阻技术领域,涉及一种大阻值功率型电阻体及其电阻器。本技术的中间电阻体上的竖向导体通过横向导体进行连接形成S型结构,同时侧电阻体上的竖直导体通过水平导体连接形成S型结构,使得电流能流经更大的阻体范围,同等阻体面积下,对电阻器阻值范围能有更大的提升,极大地缩小了电阻器的体积,大阻值电阻器可使用更小的阻体,减小了外界环境对阻体的影响,通过调整侧电阻体和中间电阻体的图形以及凹槽加工深度的增减,使电阻器阻值达到需求。

技术研发人员:李智德,胡紫阳,周自洋
受保护的技术使用者:深圳市业展电子有限公司
技术研发日:20230308
技术公布日:2024/1/13
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