一种封装晶圆的PSS九孔铝盘的制作方法

本技术属于九孔铝盘，具体为一种封装晶圆的pss九孔铝盘。

背景技术：

1、图形化蓝宝石衬底，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用icp刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长gan材料，使gan材料的纵向外延变为横向外延。目前在进行pss刻蚀时，需要通过九孔铝盘封装蓝宝石衬底(也称晶圆片)，传送至干法刻蚀机器内，进行图形化蓝宝石衬底(pss刻蚀)。

2、相关技术中，可参考公告号为cn217029922u的中国专利，具体公开了一种pss九孔铝盘下盖密封圈槽的梯形状倒扣结构，包括铝盘下盖本体，所述铝盘下盖本体上设置有多个安装头，通过采取梯形状的倒扣结构，密封圈在装入时将铝盘翻转过来也不会脱落，对于操作人员安装以及后期清洗带来了极大的便利。

3、针对上述相关技术方案，申请人发现：由于铝盘长期放置在有酸性气体的腔体中，所以需要定期拿去清洗。其中下盖连同密封圈(密封圈不拆卸)在清洗后烘干时发现密封圈槽内容易有积水，会增加整体烘干时所需要的时间。

4、鉴于此，提出了一种封装晶圆的pss九孔铝盘。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：为了解决上述提出的问题，提供一种封装晶圆的pss九孔铝盘。

2、本实用新型采用的技术方案如下：一种封装晶圆的pss九孔铝盘，包括固定在一起的铝盘上盖和铝盘下盖，所述铝盘下盖的上端设置有八个放置晶圆的放置环，所述放置环的内侧开设有密封圈槽，所述密封圈槽的底部贯穿开设有多个排水孔；

3、所述铝盘上盖上对应放置环开设有八个通孔，所述通孔的外周面都均匀设置有六个定位压爪。

4、在一优选的实施方式中，所述密封圈槽的截面为梯形，所述密封圈槽的内部过盈安装有密封圈。

5、在一优选的实施方式中，所述定位压爪都与铝盘上盖一体成型，所述定位压爪的相对一端均位于放置环的边缘处上方。

6、在一优选的实施方式中，所述铝盘下盖的两侧上端一体成型有定位凸块，所述铝盘上盖上对应定位凸块贯穿开设有定位孔。

7、在一优选的实施方式中，所述铝盘下盖上设置有十二个螺纹孔，其中四个所述的螺纹孔分布在最中心的放置环的四端，其他八个所述的螺纹孔分布在外端的七个放置环之间，所述铝盘上盖的背端对应螺纹孔设置有安装孔。

8、在一优选的实施方式中，所述铝盘下盖与铝盘上盖之间通过螺纹孔上安装有的固定螺丝组合在一起。

9、综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：在装置的密封圈槽上设置了多个与外界相连通的排水孔，在清洗完毕后，增加的排水孔能够将密封圈槽内清洗后的积水排出大部分，能够缩短铝盘清洗后烘干的时间，以提高整体的使用效率。

技术特征：

1.一种封装晶圆的pss九孔铝盘，包括固定在一起的铝盘上盖(2)和铝盘下盖(1)，其特征在于：所述铝盘下盖(1)的上端设置有八个放置晶圆的放置环(8)，所述放置环(8)的内侧开设有密封圈槽(9)，所述密封圈槽(9)的底部贯穿开设有多个排水孔(10)；

2.如权利要求1所述的一种封装晶圆的pss九孔铝盘，其特征在于：所述密封圈槽(9)的截面为梯形，所述密封圈槽(9)的内部过盈安装有密封圈。

3.如权利要求1所述的一种封装晶圆的pss九孔铝盘，其特征在于：所述定位压爪(4)都与铝盘上盖(2)一体成型，所述定位压爪(4)的相对一端均位于放置环(8)的边缘处上方。

4.如权利要求1所述的一种封装晶圆的pss九孔铝盘，其特征在于：所述铝盘下盖(1)的两侧上端一体成型有定位凸块(6)，所述铝盘上盖(2)上对应定位凸块(6)贯穿开设有定位孔。

5.如权利要求1所述的一种封装晶圆的pss九孔铝盘，其特征在于：所述铝盘下盖(1)上设置有十二个螺纹孔(7)，其中四个所述的螺纹孔(7)分布在最中心的放置环(8)的四端，其他八个所述的螺纹孔(7)分布在外端的七个放置环(8)之间，所述铝盘上盖(2)的背端对应螺纹孔(7)设置有安装孔。

6.如权利要求1所述的一种封装晶圆的pss九孔铝盘，其特征在于：所述铝盘下盖(1)与铝盘上盖(2)之间通过螺纹孔(7)上安装有的固定螺丝(5)组合在一起。

技术总结
本技术公开了一种封装晶圆的PSS九孔铝盘，包括固定在一起的铝盘上盖和铝盘下盖，所述铝盘下盖的上端设置有八个放置晶圆的放置环，所述放置环的内侧开设有密封圈槽，所述密封圈槽的底部贯穿开设有多个排水孔，所述铝盘上盖上对应放置环开设有八个通孔，所述通孔的外周面都均匀设置有六个定位压爪，所述密封圈槽的截面为梯形，所述密封圈槽的内部过盈安装有密封圈。在装置的密封圈槽上贯穿开设有多个与外界相连通的排水孔，在清洗完毕后，增加的排水孔能够将密封圈槽内清洗后的积水排出大部分，能够缩短铝盘清洗后烘干的时间，以提高整体的使用效率。

技术研发人员：金道根
受保护的技术使用者：深圳市金旺鑫半导体科技有限公司
技术研发日：20230404
技术公布日：2024/1/13