一种新型二极管的制作方法

文档序号:37447033发布日期:2024-03-28 18:30阅读:16来源:国知局
一种新型二极管的制作方法

本申请涉及二极管,具体为一种新型二极管。


背景技术:

1、二极管是用半导体材料制成的一种电子器件,具有单向导电的功能,根据二极管功率和电压参数的不同,二极管的体积与用途也不尽相同,二极管在安装时大多通过焊烙铁对引脚进行锡焊。

2、当部分大型二极管焊接在大型电路板上时,大型电路板上的空间较为充分,焊接时直接用手握住二极管管体部位,折弯二极管的引脚并将其插入到大型电路板的插孔内,最后进行锡焊,这种焊接方式中的二极管管体并不稳定,触碰到引脚进行焊接时易晃动二极管,加大引脚的焊接难度。


技术实现思路

1、有鉴于此,本实用新型的目的是解决背景技术中存在的缺点,而提出一种新型二极管,以解决现有技术中所存在的问题。

2、为达到以上目的,本实用新型提供了一种新型二极管,包括基座,所述基座的顶部固定连接有下半环,所述下半环的内侧通过扣紧机构活动安装有二极管本体,所述二极管本体的两端均设置有引脚本体,所述基座的上表面固定连接有斜靠板,所述斜靠板的上方设置有便于折弯焊接引脚本体的扣拉机构。

3、优选的,所述扣紧机构包括固定穿设在下半环外表面的连轴,所述连轴的外表面转动连接有上半环,所述上半环的与下半环的内侧均设置有防护垫,通过扣紧机构可使得二极管被稳定住,以便于折弯调整引脚本体的位置进行锡焊。

4、优选的,所述下半环的内表面转动连接有t型螺杆,所述t型螺杆的外表面螺纹套设有紧固螺套。

5、优选的,所述扣拉机构包括固定连接在斜靠板外表面的拉簧,所述拉簧远离斜靠板的一端设置有拉头,通过扣拉机构可将引脚本体扣上,并在折弯引脚本体后微调引脚本体的位置,以便精准锡焊,此过程中无需与引脚本体直接接触,避免被高温引脚烫伤。

6、优选的,所述拉头的顶部固定连接有引脚扣,所述引脚扣的内侧固定穿设有内轴,所述内轴的外表面设置有弹簧。

7、优选的,所述内轴的外表面转动连接有锁舌,所述弹簧的两组端头分别与锁舌的内侧以及引脚扣的内侧固定连接。

8、与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

9、1、该新型二极管,使用时通过扣紧机构使得二极管本体紧固在上半环与下半环之间,从而稳定住二极管本体,之后对引脚本体进行折弯焊接时不会造成二极管本体晃动,影响引脚本体的锡焊精准度,从而较为容易的对引脚进行锡焊。

10、2、该新型二极管,通过扣拉机构可对折弯后进行焊接过程中的引脚本体位置进行微调,以配合将其精准焊接在电路板上,并且无需直接用手触碰引脚本体,避免被锡焊过程中的高温引脚本体烫伤。



技术特征:

1.一种新型二极管,包括基座(1),其特征在于:所述基座(1)的顶部固定连接有下半环(2),所述下半环(2)的内侧通过扣紧机构活动安装有二极管本体(8),所述二极管本体(8)的两端均设置有引脚本体(9),所述基座(1)的上表面固定连接有斜靠板(10),所述斜靠板(10)的上方设置有便于折弯焊接引脚本体(9)的扣拉机构。

2.根据权利要求1所述的一种新型二极管,其特征在于:所述扣紧机构包括固定穿设在下半环(2)外表面的连轴(3),所述连轴(3)的外表面转动连接有上半环(4),所述上半环(4)的与下半环(2)的内侧均设置有防护垫(5)。

3.根据权利要求2所述的一种新型二极管,其特征在于:所述下半环(2)的内表面转动连接有t型螺杆(6),所述t型螺杆(6)的外表面螺纹套设有紧固螺套(7)。

4.根据权利要求1所述的一种新型二极管,其特征在于:所述扣拉机构包括固定连接在斜靠板(10)外表面的拉簧(11),所述拉簧(11)远离斜靠板(10)的一端设置有拉头(12)。

5.根据权利要求4所述的一种新型二极管,其特征在于:所述拉头(12)的顶部固定连接有引脚扣(13),所述引脚扣(13)的内侧固定穿设有内轴(14),所述内轴(14)的外表面设置有弹簧(15)。

6.根据权利要求5所述的一种新型二极管,其特征在于:所述内轴(14)的外表面转动连接有锁舌(16),所述弹簧(15)的两组端头分别与锁舌(16)的内侧以及引脚扣(13)的内侧固定连接。


技术总结
本技术属于二极管技术领域,具体公开了一种新型二极管,包括基座,所述基座的顶部固定连接有下半环,所述下半环的内侧通过扣紧机构活动安装有二极管本体,所述二极管本体的两端均设置有引脚本体,所述基座的上表面固定连接有斜靠板,所述斜靠板的上方设置有便于折弯焊接引脚本体的扣拉机构,所述扣紧机构包括固定穿设在下半环外表面的连轴,所述连轴的外表面转动连接有上半环。该新型二极管,使用时通过扣紧机构使得二极管本体紧固在上半环与下半环之间,从而稳定住二极管本体,之后对引脚本体进行折弯焊接时不会造成二极管本体晃动,影响引脚本体的锡焊精准度,从而较为容易的对引脚进行锡焊。

技术研发人员:林祥耀,李春旺
受保护的技术使用者:深圳市德芯半导体技术有限公司
技术研发日:20230508
技术公布日:2024/3/27
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