本技术实施例是有关于一种半导体结构。
背景技术：
1、在半导体技术中，藉由各种制作步骤来处理半导体芯片以形成集成电路(integrated circuit，ic)。通常来说，将若干个电路或ic管芯形成至同一半导体芯片上。然后对芯片进行切割以将形成于其上的电路单体化。为了保护电路免受水分劣化(moisture degradation)、离子污染(ionic contamination)及切割工艺(dicingprocess)的影响，在每一电路管芯周围形成密封环(seal ring)。此种密封环是在构成电路的诸多层的制作期间形成，所述制作包括工艺前端(front-end-of-line，feol)处理、工艺中端(middle-end-of-line，meol)处理及工艺后端(back-end-of-line，beol)处理。feol及meol包括将晶体管、电容器、二极管及/或电阻器形成至半导体衬底上。beol包括形成为feol的组件提供布线(routing)的金属层内连线及通孔。
2、尽管现有的密封环结构及制作方法一般足以满足其预期目的，然而仍期望作出改善。举例而言，密封环结构不稳健，无法为电路装置提供保护。至少由于该些原因，需要对密封环结构及其制作方法作出改善，以解决该些问题。
技术实现思路
1、本实用新型实施例提供一种半导体结构，包括：衬底，具有电路区及围绕所述电路区的密封环区；具有第一宽度的多个第一有源区，形成于所述电路区中；具有第二宽度的多个第二有源区，形成于所述密封环区中，其中所述第二宽度大于所述第一宽度，且其中所述多个第二有源区中的每一者是连续的环状形状以包围所述电路区；多个第一栅极堆叠，在所述电路区中设置于所述多个第一有源区上，并延伸至多个隔离特征；以及多个第二栅极堆叠，在所述密封环区中设置于所述多个第二有源区上，并完全着落于所述多个第二有源区上。
2、本实用新型实施例提供一种半导体结构，包括：衬底，具有电路区及围绕所述电路区的密封环区；多个第一有源区，设置于所述电路区中；多个第二有源区，设置于所述密封环区中，其中所述多个第二有源区中的每一者是连续的环状形状以包围所述电路区；多个第一栅极堆叠，设置于所述电路区内并配置于所述多个第一有源区上；以及多个第二栅极堆叠，设置于所述密封环区内并配置于所述多个第二有源区上，其中所述多个第一栅极堆叠纵向地定向呈与所述多个第一有源区正交，且所述多个第二栅极堆叠纵向地定向呈与所述多个第二有源区平行。
3、本实用新型实施例提供一种半导体结构，包括：衬底，具有电路区及围绕所述电路区的密封环区；具有第一宽度的多个第一有源区，设置于所述电路区中；具有第二宽度的多个第二有源区，设置于所述密封环区中，其中所述多个第二有源区中的每一者是连续的环状形状以包围所述电路区；多个第一栅极堆叠，设置于所述电路区内并配置于所述多个第一有源区上；以及多个第二栅极堆叠，设置于所述密封环区内并配置于所述多个第二有源区上，其中所述多个第一栅极堆叠纵向地定向呈与所述多个第一有源区正交，所述多个第二栅极堆叠纵向地定向呈与所述多个第二有源区平行，且所述第二宽度大于所述第一宽度。
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比率介于5与15之间的范围。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述多个第一有源区被平行地配置，且沿第一方向纵向地定向。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，其中
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，其中所述多个第二有源区更包括位于隅角区中的多个第三段，所述多个第三段沿不同于所述第一方向及所述第二方向的第三方向纵向地定向。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中所述多个第二有源区的所述多个第三段在所述隅角区中对所述多个第一段与所述多个第二段进行连接。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，其中
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，其中