异质结双极型晶体管的制作方法

本技术涉及半导体，尤其涉及一种异质结双极型晶体管。

背景技术：

1、异质结双极性晶体管(hetero-junction bipolar transistor，缩写为hbt)是双极性晶体管的一种，其发射层和基层采用不同的半导体材料形成异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基层发射效率，可以在高达数百ghz的信号下工作，在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。

2、然而，现有的异质结双极型晶体管的性能还有待改善。

技术实现思路

1、本实用新型解决的技术问题是提供一种异质结双极型晶体管，以提高异质结双极型晶体管的性能。

2、为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的基层；位于所述基层上沿第一方向排布的第一发射部、阻挡层和第二发射部，所述阻挡层位于所述第一发射部和所述第二发射部之间，所述第一方向平行于所述衬底表面；贯穿所述第一发射部且嵌入所述基层的基极，所述第一发射部表面暴露出所述基极表面；位于所述第二发射部上的发射极传输层；位于所述发射传输层上的发射极。

3、可选的，还包括：第一保护层，所述第一保护层位于所述第一发射部、所述阻挡层、所述第二发射部、所述发射极传输层和所述发射极的部分表面，所述第一保护层还位于所述基极侧壁且暴露出所述基极顶部表面。

4、可选的，还包括：位于所述第一保护层和所述基极顶部表面的第二保护层。

5、可选的，所述集电层包括第一集电部和位于部分所述第一集电部表面的第二集电部。

6、可选的，所述基层位于所述第二集电部上。

7、可选的，还包括：集电极，所述集电极嵌入所述第一集电部内。

8、可选的，所述阻挡层距离所述基极的尺寸范围为0.1微米至0.3微米。

9、可选的，所述阻挡层在沿所述第一方向上的尺寸范围为0.1微米至0.2微米。

10、可选的，所述阻挡层的材料包括介质材料，所述介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氮氧化硅中的一种或多种。

11、可选的，所述发射极的材料包括多层金属层的堆叠，相邻两层金属层的材料互不相同；所述基极的材料包括多层金属层的堆叠，相邻两层金属层的材料互不相同。

12、与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下有益效果：

13、本实用新型技术方案提供的异质结双极型晶体管中，位于所述基层上沿第一方向排布的第一发射部、阻挡层和第二发射部，所述阻挡层位于所述第一发射部和所述第二发射部之间，所述阻挡层用于切断电流从基极流经第二发射部进入发射极传输层的异常路径，进而减少器件因异常电流引起的过热情况。另外，由于所述阻挡层的形成过程中，所述阻挡层仅需在所述第一发射部和所述第二发射部之间刻蚀形成凹槽，而后在凹槽中填充介质材料的方式获得，所述刻蚀过程对基层表面的损伤较小，利于提高基层和第一发射部、第二发射部之间的界面性能，从整体上提高器件的性能。

技术特征：

1.一种异质结双极型晶体管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，还包括：第一保护层，所述第一保护层位于所述第一发射部、所述阻挡层、所述第二发射部、所述发射极传输层和所述发射极的部分表面，所述第一保护层还位于所述基极侧壁且暴露出所述基极顶部表面。

3.如权利要求2所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，还包括：位于所述第一保护层和所述基极顶部表面的第二保护层。

4.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述集电层包括第一集电部和位于部分所述第一集电部表面的第二集电部。

5.如权利要求4所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述基层位于所述第二集电部上。

6.如权利要求4所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，还包括：集电极，所述集电极嵌入所述第一集电部内。

7.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述阻挡层距离所述基极的尺寸范围为0.1微米至0.3微米。

8.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述阻挡层在沿所述第一方向上的尺寸范围为0.1微米至0.2微米。

9.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征在于，所述发射极的材料包括多层金属层的堆叠，相邻两层金属层的材料互不相同；所述基极的材料包括多层金属层的堆叠，相邻两层金属层的材料互不相同。

技术总结
一种异质结双极型晶体管，包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的基层；位于所述基层上沿第一方向排布的第一发射部、阻挡层和第二发射部，所述阻挡层位于所述第一发射部和所述第二发射部之间，所述第一方向平行于所述衬底表面；贯穿所述第一发射部且嵌入所述基层的基极，所述第一发射部表面暴露出所述基极表面；位于所述第二发射部上的发射极传输层；位于所述发射传输层上的发射极，所述阻挡层用于切断电流从基极流经第二发射部进入发射极传输层的异常路径，进而减少器件因异常电流引起的过热情况，从整体上提高器件的性能。

技术研发人员：丁帼君,李新宇,赵亚楠,姜清华
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：20230526
技术公布日：2024/1/15