一种芯片结构的制作方法

本技术涉及一种芯片，具体是一种芯片结构。

背景技术：

1、芯片是电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

2、现有的芯片中膜层主要包括：欧姆接触层、反射层、电流传导层和绝缘层等，这些膜层形成过程的条件及膜层间的相互影响，均会影响芯片器件的光电性能，因此对膜层进行研究是优化芯片器件光电性的重要途径，不同成分的绝缘层影响光学膜的传播路径，同时影响芯片器件内部应力释放。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种芯片结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种芯片结构，包括：

4、基板、第一半导体层、第二半导体层以及有源层，有源层位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，且基板上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层；

5、贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的凹陷；

6、与所述第二半导体层形成欧姆接触的导电层一；

7、与所述导电层一形成电连接的反射层，反射层包含多层结构；

8、与所述反射层形成电连接的导电层二，导电层二包含多层金属结构；

9、与所述导电层二形成电连接且填充凹陷的导电层三，导电层三包含多层金属结构；

10、与所述导电层三形成电连接的焊盘，焊盘包含多层金属结构，且导电层一、反射层、导电层二、导电层三以及焊盘共同组成第一电连接层；

11、所述第二半导体层部分表面及导电层一部分表面覆盖有绝缘层一，绝缘层一靠近导电层二一侧的含硅量高于靠近第二半导体层一侧的含硅量。

12、作为本实用新型进一步的方案：所述绝缘层一与反射层边缘连接处具有两个蚀刻导角θ1和θ2，θ1＜θ2，其中8°≤θ1＜50°，θ2≥50°。

13、作为本实用新型进一步的方案：所述绝缘层一表面及第一电连接层一侧覆盖有绝缘层二。

14、作为本实用新型进一步的方案：大部分覆盖于所述绝缘层二表面且与第一半导体层形成电连接的导电层三，导电层三包含多层结构，导电层三与焊盘共同组成第二电连接层。

15、作为本实用新型再进一步的方案：导电层三表面覆盖有绝缘层三，绝缘层三隔离第一电连接层和第二电连接层的直接导通。

16、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

17、1、通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的蚀刻率，从而得到更佳的蚀刻导角，可以有效的改善芯片器件内部应力，减少尖端放电现象，提高芯片器件稳定性；

18、2、通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的折射率，从而增加光学膜的反射，提高芯片器件光效。

技术特征：

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘层一(8)与反射层(6)边缘连接处具有两个蚀刻导角θ1和θ2，θ1＜θ2，其中8°≤θ1＜50°，θ2≥50°。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘层一(8)表面及第一电连接层一侧覆盖有绝缘层二(4)。

4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，大部分覆盖于所述绝缘层二(4)表面且与第一半导体层(1)形成电连接的导电层三(9)，导电层三(9)包含多层结构，导电层三(9)与焊盘(11)共同组成第二电连接层。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，导电层三(9)表面覆盖有绝缘层三(10)，绝缘层三(10)隔离第一电连接层和第二电连接层的直接导通。

技术总结
本技术公开了一种芯片结构，包括：基板、第一半导体层、第二半导体层以及有源层，有源层位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，基板上依次生长第一半导体层、有源层以及第二半导体层，与所述第二半导体层形成欧姆接触的导电层一，与所述导电层一形成电连接的反射层，与所述反射层形成电连接的导电层二，导电层二包含多层金属结构。本技术通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的蚀刻率，从而得到更佳的蚀刻导角，可以有效的改善芯片器件内部应力，减少尖端放电现象，提高芯片器件稳定性，以及通过对绝缘层一成分进行调整，改变绝缘层一不同层次的折射率，从而增加光学膜的反射，提高芯片器件光效。

技术研发人员：请求不公布姓名,唐如梦,张鹏辉,吴东东,闻娟
受保护的技术使用者：安徽格恩半导体有限公司
技术研发日：20230615
技术公布日：2024/1/15