一种HJT结构及太阳能电池的制作方法

本技术涉及一种hjt结构及太阳能电池。

背景技术：

1、当今世界，能源和环境问题是全球共同关注的主题。太阳能作为一种清洁、安全、便利的可再生能源，已被广泛利用，如今，perc电池的效率已接近瓶颈，各种新技术百花齐放。其中，hjt(异质结)电池由于工序简单，降本路径清晰，应用前景较为明朗。

2、现有hjt电池为上下对称结构，hjt电池包括中间硅基体，中间硅基体的正面由内向外依次为本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、tco导电模、正电极；背面由内向外依次为本征非晶硅层，n型掺杂非晶硅层、tco导电模、背电极，但hjt电池需要平衡导电性，钝化性和透过率，无法最大程度地发挥其优势。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种hjt结构及太阳能电池，hjt结构兼顾导电性、钝化性和透过率，在显著提高电流密度的同时保持较高的开路电压，可获得较高的电池效率。

2、为达到上述目的，本实用新型采用的一种技术方案是：

3、一种hjt结构，其包括硅基体，所述的硅基体的正面由内向外依次设置有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面tco导电膜，所述的正面tco导电膜远离所述的第二碳化硅层的一侧设置有正金属电极；所述的硅基体的背面由内向外依次设置有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面tco导电膜，所述的背面tco导电膜远离所述的掺杂非晶硅层的一侧设置有背金属电极，其中，所述的第二本征非晶硅层的厚度大于等于所述的第一本征非晶硅层的厚度。

4、优选地，所述的第二碳化硅层的厚度大于等于所述的第一碳化硅层的厚度。

5、优选地，所述的第一碳化硅层的厚度范围为1-20nm。

6、优选地，所述的第二碳化硅层的厚度范围为20-80nm。

7、优选地，所述的第一本征非晶硅层的厚度范围为0.2-2nm。

8、优选地，所述的第二本征非晶硅层的厚度范围为2-20nm。

9、优选地，所述的掺杂非晶硅层为p型掺杂非晶硅层，所述的掺杂非晶硅层的厚度范围为5-20nm。

10、优选地，所述的正面tco导电膜与所述的背面tco导电膜的材质为ito、azo、ato和fto中的任意一种；所述的正面tco导电膜的厚度范围为50-200nm；所述的背面tco导电膜的厚度范围为50-200nm。

11、优选地，所述的隧穿氧化层的材质为二氧化硅，所述的隧穿氧化层的厚度范围为1-3nm。

12、本实用新型采用的另一种技术方案是：

13、一种太阳能电池，其包括所述的hjt结构。

14、由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

15、本实用新型提供的hjt结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；硅基体正面的第一碳化硅层提供优异的钝化特性，第二碳化硅层提供优异的导电性，可实现钝化和接触的共赢；相比传统的hjt电池，hjt结构兼顾导电性、钝化性和透过率，在显著提高电流密度的同时保持较高的开路电压，最终获得较高的电池效率。

技术特征：

1.一种hjt结构，其特征在于，包括硅基体，所述的硅基体的正面由内向外依次生长有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面tco导电膜，所述的正面tco导电膜远离所述的第二碳化硅层的一侧设置有正金属电极；所述的硅基体的背面由内向外依次设置有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面tco导电膜，所述的背面tco导电膜远离所述的掺杂非晶硅层的一侧设置有背金属电极，其中，所述的第二本征非晶硅层的厚度大于等于所述的第一本征非晶硅层的厚度。

2.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的第二碳化硅层的厚度大于等于所述的第一碳化硅层的厚度。

3.根据权利要求2所述的hjt结构，其特征在于，所述的第一碳化硅层的厚度范围为1-20nm。

4.根据权利要求2所述的hjt结构，其特征在于，所述的第二碳化硅层的厚度范围为20-80nm。

5.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的第一本征非晶硅层的厚度范围为0.2-2nm。

6.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的第二本征非晶硅层的厚度范围为2-20nm。

7.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的掺杂非晶硅层为p型掺杂非晶硅层，所述的掺杂非晶硅层的厚度范围为5-20nm。

8.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的正面tco导电膜与所述的背面tco导电膜的材质为ito、azo、ato和fto中的任意一种；所述的正面tco导电膜的厚度范围为50-200nm；所述的背面tco导电膜的厚度范围为50-200nm。

9.根据权利要求1所述的hjt结构，其特征在于，所述的隧穿氧化层的材质为二氧化硅，所述的隧穿氧化层的厚度范围为1-3nm。

10.一种太阳能电池，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的hjt结构。

技术总结
本技术涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜，背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极，其中，第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本技术提供的HJT结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；第一碳化硅层提供优异钝化特性，第二碳化硅层提供优异导电性，实现钝化和接触共赢。

技术研发人员：朱晶晶,赵福祥
受保护的技术使用者：韩华新能源（启东）有限公司
技术研发日：20230627
技术公布日：2024/1/15