一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构的制作方法

本技术涉及一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，属于真空灭弧室瓷壳。

背景技术：

1、真空灭弧室主要应用于三相交流配电系统中，靠密封在真空中的一对触头(电极)来实现电力电路的接通与分断功能的电真空器件。本公司现有的一种真空灭弧室产品，如图1所示，瓷壳1为圆筒形，瓷壳1的端面通过焊接过渡环2连接封接环3，由于封接环3与瓷壳1焊接位置为三相交界区，场强较大，在运用到环保气体柜中时，由于环保气体的绝缘效果相对于六氟化硫气体要弱，在间距不变的情况下，可能出现灭弧室与灭弧室、灭弧室与罐体的击穿拉弧情况。

2、中国专利cn110648878a公开了一种带有外屏蔽罩的高电压等级真空灭弧室：包括真空灭弧室本体(6)、动端外屏蔽罩(2)和静端外屏蔽罩(4)；所述动端外屏蔽罩(2)焊接在真空灭弧室本体(6)外的动端盖板(1)与陶瓷外壳(3)交接处，所述静端外屏蔽罩(4)焊接在真空灭弧室本体(6)外的静端盖板(5)与陶瓷外壳(3)交接处；动端外屏蔽罩(2)能够均衡真空灭弧室的动端盖板(1)、陶瓷外壳(3)和空气三相交界处的电场；同时，静端外屏蔽罩(4)能够均衡真空灭弧室的静端盖板(5)、陶瓷外壳(3)和空气三相交界处的电场分布；能够显著提高真空灭弧室的绝缘性能。采用的外屏蔽罩需要另外制作、安装，结构复杂，提高了生产成本。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本实用新型提供的一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，结构简单，能提升灭弧室产品与罐体(或其他容器)间的绝缘强度。

2、本实用新型提供了一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，包括瓷壳，在瓷壳端面通过焊接过渡环连接封接环，在封接环外侧的瓷壳设有延长部分。

3、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，所述延长部分的截面为矩形。

4、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，所述延长部分的截面为l型弯折。

5、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，所述延长部分的截面为波纹形状。

6、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，以瓷壳端面为起点，所述延长部分的高度高于封接环3～10毫米。

7、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，以瓷壳端面为起点，所述延长部分的高度高于封接环高度的5～8毫米。

8、上述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，所述延长部分的厚度为3-5毫米。

9、由于采用了上述技术方案，本实用新型的优点在于：在保证产品焊接的前提下，在常规瓷壳结构的基础上，设置一段延长部分,延长部分材质同样为陶瓷；延长部分的主要作用是对封接环与瓷壳焊接部分进行绝缘屏蔽，增加该位置的瓷壳爬电距离，从而提高真空灭弧室与罐体(或其他容器)间的绝缘强度，避免出现拉弧击穿等绝缘失效问题。通过设计延长部分为矩形、l型弯折和波纹形状等，能够进一步提高绝缘效果。

技术特征：

1.一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，包括瓷壳(1)，其特征在于：在瓷壳(1)端面通过焊接过渡环(2)连接封接环(3)，在封接环(3)外侧的瓷壳(1)设有延长部分(4)。

2.根据权利要求1所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：所述延长部分(4)的截面为矩形。

3.根据权利要求1所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：所述延长部分(4)的截面为l型弯折。

4.根据权利要求1所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：所述延长部分(4)的截面为波纹形状。

5.根据权利要求1所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：以瓷壳(1)端面为起点，所述延长部分(4)的高度高于封接环(3)3～10毫米。

6.根据权利要求5所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：以瓷壳(1)端面为起点，所述延长部分(4)的高度高于封接环(3)高度的5～8毫米。

7.根据权利要求1所述的提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，其特征在于：所述延长部分(4)的厚度为3-5毫米。

技术总结
本技术公开一种提高真空灭弧室外绝缘的瓷壳结构，包括瓷壳(1)，其特征在于：在瓷壳(1)端面通过焊接过渡环(2)连接封接环(3)，在封接环(3)外侧的瓷壳(1)设有延长部分(4)。本技术在常规瓷壳结构的基础上设置一段延长部分，主要作用是对封接环与瓷壳焊接部分进行绝缘屏蔽，增加该位置的瓷壳爬电距离，从而提高真空灭弧室与罐体(或其他容器)间的绝缘强度，避免出现拉弧击穿等绝缘失效问题。通过设计延长部分为矩形、L型弯折和波纹形状等，能够进一步提高绝缘效果。

技术研发人员：高春晖,王港,黄佳
受保护的技术使用者：中国振华电子集团宇光电工有限公司（国营第七七一厂）
技术研发日：20230630
技术公布日：2024/1/15