半导体工艺腔室的制作方法

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术：

1、在半导体工艺技术领域中，在实施半导体工艺的过程中，常常需要对半导体工艺腔室内的压力进行严格的控制。示例性地，在利用刻蚀设备进行刻蚀的过程中，刻蚀工艺腔室内的压力波动会影响刻蚀速率及质量，进而影响了等离子体在硅片上处理的工艺效果，最终影响了产品的良率。为提高产品的良率，在刻蚀过程中，需要对刻蚀工艺腔室内的压力进行严格的控制。

2、目前，本领域的技术人员亟待提供一种便于调整腔室内的压力的半导体工艺腔室。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，以解决背景技术中的问题。

2、本申请实施例提供的半导体工艺腔室设有空腔，所述半导体工艺腔室包括内衬、调整环和驱动机构；所述内衬的位于所述空腔下方的部位设有与所述空腔连通的多个第一穿孔，所述调整环设置于所述内衬的背离所述空腔的一侧，所述调整环设有多个第二穿孔，所述第二穿孔与所述第一穿孔沿所述调整环的厚度方向一一对应地相对设置；所述驱动机构用于驱动所述调整环在目标平面运动，以调整所述第二穿孔与所述第一穿孔在所述目标平面上的正投影的重合区域的面积。

3、可选地，所述驱动机构用于驱动所述调整环沿与所述目标平面垂直的目标转轴转动。

4、可选地，所述半导体工艺腔室包括支撑件和至少两个第一连接件，所述支撑件设有至少两个第一滑槽，所述第一滑槽为圆弧形滑槽，所述第一滑槽沿第一分布圆分布，其中，所述第一分布圆的圆心位于所述目标转轴上，所述第一连接件一一对应地穿设于所述第一滑槽，所述第一滑槽用于限定所述第一连接件沿所述第一分布圆运动，各所述第一连接件分别与所述调整环连接，所述驱动机构与其中至少一个所述第一连接件驱动连接。

5、可选地，所述驱动机构包括旋转驱动元件和拨杆，所述旋转驱动元件与所述拨杆驱动连接，以驱动所述拨杆转动，所述拨杆设有第二滑槽，与所述驱动机构驱动连接的第一连接件一端设有连接部，所述连接部与所述第二滑槽滑动连接，所述连接部能够在所述第二滑槽内朝靠近或远离所述拨杆的转轴的方向移动。

6、可选地，所述第一连接件设置有凸伸部，所述凸伸部沿与所述第一连接件的延伸方向垂直的方向侧向伸出，所述凸伸部承载于所述支撑件。

7、可选地，所述半导体工艺腔室还包括驱动环，所述驱动环设置于所述支撑件下方，各所述第一连接件均与所述驱动环连接，所述驱动环与所述调整环连接。

8、可选地，所述半导体工艺腔室还包括柔性套，所述柔性套套设于所述第一连接件外，且所述柔性套夹于所述支撑件与所述驱动环之间，所述柔性套的靠近所述支撑件的一端与所述支撑件密封连接，所述柔性套的靠近所述驱动环的一端与所述驱动环密封连接。

9、可选地，所述第一穿孔沿第二分布圆分布，所述第二分布圆的圆心位于所述目标转轴上，所述第一穿孔沿第三分布圆分布，所述第三分布圆的圆心位于所述目标转轴上；在所述调整环相对所述内衬转动至第一角度时，所述第二穿孔一一对应地与所述第一穿孔相对；在所述调整环相对所述内衬转动至第二角度时，各所述第二穿孔分别与对应的所述第一穿孔错开，各所述第一穿孔分别被所述调整环封堵。

10、可选地，所述第一穿孔沿所述第二分布圆均匀分布，在所述调整环相对所述内衬转动至所述第一角度时，所述第二穿孔一一对应地与所述第一穿孔在所述目标平面上的正投影重合。

11、可选地，所述第二角度与所述第一角度的角度差值为1至5度。

12、本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

13、在本申请的实施例中，可以在内衬的外部设置调整环，从而，可以通过驱动调整环相对内衬运动的方式，调整第二穿孔与第一穿孔在目标平面上的正投影的重合区域的面积，以达到调整空腔的出气口的大小的效果。可以理解的是，若第二穿孔与第一穿孔正对，则空腔的出气口的开度最大，从而可以较快速地将空腔内的气体排出，从而可以较快速地使得空腔的压力下降。若第二穿孔与第一穿孔完全错开，则调整环上的实体部位可以对内衬的第一穿孔进行封堵，从而，可以防止空腔内的气体经第一穿孔溢出，可以稳定空腔的压力。此外，可以通过使得第二穿孔在与第一穿孔正对或错开的位置之间进行切换，以将空腔的出气口的开度调整至合适的大小，从而达到调整空腔内的压力的效果。

技术特征：

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室设有空腔(110)，所述半导体工艺腔室包括内衬(120)、调整环(130)和驱动机构(140)；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)用于驱动所述调整环(130)沿与所述目标平面垂直的目标转轴转动。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室包括支撑件(150)和至少两个第一连接件(161)，

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述驱动机构(140)包括旋转驱动元件(141)和拨杆(142)，所述旋转驱动元件(141)与所述拨杆(142)驱动连接，以驱动所述拨杆(142)转动，所述拨杆(142)设有第二滑槽(1421)，与所述驱动机构(140)驱动连接的第一连接件(161)一端设有连接部(1611)，所述连接部(1611)与所述第二滑槽(1421)滑动连接，所述连接部(1611)能够在所述第二滑槽(1421)内朝靠近或远离所述拨杆(142)的转轴的方向移动。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一连接件(161)设置有凸伸部(1612)，所述凸伸部(1612)沿与所述第一连接件(161)的延伸方向垂直的方向侧向伸出，所述凸伸部(1612)承载于所述支撑件(150)。

6.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括驱动环(162)，所述驱动环(162)设置于所述支撑件(150)下方，各所述第一连接件(161)均与所述驱动环(162)连接，所述驱动环(162)与所述调整环(130)连接。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括柔性套(163)，所述柔性套(163)套设于所述第一连接件(161)外，且所述柔性套(163)夹于所述支撑件(150)与所述驱动环(162)之间，所述柔性套(163)的靠近所述支撑件(150)的一端与所述支撑件(150)密封连接，所述柔性套(163)的靠近所述驱动环(162)的一端与所述驱动环(162)密封连接。

8.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一穿孔(121)沿第二分布圆分布，所述第二分布圆的圆心位于所述目标转轴上，所述第一穿孔(121)沿第三分布圆分布，所述第三分布圆的圆心位于所述目标转轴上；

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一穿孔(121)沿所述第二分布圆均匀分布，在所述调整环(130)相对所述内衬(120)转动至所述第一角度时，所述第二穿孔(131)一一对应地与所述第一穿孔(121)在所述目标平面上的正投影重合。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二角度与所述第一角度的角度差值为1至5度。

技术总结
本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其设有空腔，其包括：内衬、调整环和驱动机构；所述内衬的位于所述空腔下方的部位设有与所述空腔连通的多个第一穿孔，所述调整环设置于所述内衬的背离所述空腔的一侧，所述调整环设有多个第二穿孔，所述第二穿孔与所述第一穿孔沿所述调整环的厚度方向一一对应地相对设置；所述驱动机构用于驱动所述调整环在目标平面运动，以调整所述第二穿孔与所述第一穿孔在所述目标平面上的正投影的重合区域的面积。

技术研发人员：朱万玉
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：20230719
技术公布日：2024/1/15