一种刻蚀设备的制作方法

本申请涉及半导体，尤其涉及一种刻蚀设备。

背景技术：

1、随着半导体技术领域的不断更新以及集成电路制造尺寸的逐渐缩小，工艺制程对刻蚀工艺设备的要求也越来越高。基于电感式耦合的刻蚀设备普遍采用上电极单口气体输送，在先进制程工艺中极易造成晶圆刻蚀的不均匀性，导致后期工艺制程的终结和最终产品电性测试的失败。这对于半导体先进制程的产品无疑是致命的。

2、因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案，提高晶圆刻蚀的均匀性。

技术实现思路

1、本申请提供一种刻蚀设备，可以提高晶圆刻蚀的均匀性。

2、本申请提供一种刻蚀设备，包括：反应腔，所述反应腔的顶部设置有若干均匀分布的第一进气口，所述反应腔的侧壁设置有若干均匀分布的第二进气口；若干第一副进气管路，分别连通所述反应腔顶部的若干第一进气口；若干第二副进气管路，分别连通所述反应腔侧壁的若干第二进气口；主进气管路，连通所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路。

3、在本申请的一些实施例中，所述若干第一进气口呈同心圆分布。

4、在本申请的一些实施例中，所述若干第一进气口呈放射状分布。

5、在本申请的一些实施例中，所述若干第二进气口沿所述反应腔侧壁的周向均匀分布。

6、在本申请的一些实施例中，所述刻蚀设备还包括：电感线圈，设置于所述反应腔的顶部，用于将所述若干第一进气口和所述若干第二进气口通入的反应气体形成等离子体。

7、在本申请的一些实施例中，所述主进气管路上设置有主进气阀门，每个第一副进气管路上都设置有第一副进气阀门，每个第二副进气管路上都设置有第二副进气阀门。

8、在本申请的一些实施例中，所述刻蚀设备还包括：监测器，设置于所述反应腔侧壁，用于监测所述反应腔中等离子体的形态和均匀性。

9、在本申请的一些实施例中，所述刻蚀设备还包括：气体供应控制装置，用于根据所述监测器的监测结果控制所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路的进气量。

10、在本申请的一些实施例中，所述气体供应控制装置连接所述主进气阀门、所述第一副进气阀门和所述第二副进气阀门，所述气体供应控制装置通过控制所述主进气阀门、所述第一副进气阀门和所述第二副进气阀门来控制所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路的进气量。

11、在本申请的一些实施例中，所述刻蚀设备还包括：抽气装置和排气管路，所述抽气装置位于所述反应腔底部连通所述反应腔和排气管路。

12、本申请提供一种刻蚀设备，在刻蚀设备反应腔的顶部和侧壁分别设置有若干均匀分布的第一进气口和第二进气口，可以提高进气均匀性，进而提高反应气体分布均匀性，可以提高晶圆刻蚀的均匀性。

技术特征：

1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述若干第一进气口呈同心圆分布。

3.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述若干第一进气口呈放射状分布。

4.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述若干第二进气口沿所述反应腔侧壁的周向均匀分布。

5.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括：电感线圈，设置于所述反应腔的顶部，用于将所述若干第一进气口和所述若干第二进气口通入的反应气体形成等离子体。

6.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述主进气管路上设置有主进气阀门，每个第一副进气管路上都设置有第一副进气阀门，每个第二副进气管路上都设置有第二副进气阀门。

7.如权利要求6所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括：监测器，设置于所述反应腔侧壁，用于监测所述反应腔中等离子体的形态和均匀性。

8.如权利要求7所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括：气体供应控制装置，用于根据所述监测器的监测结果控制所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路的进气量。

9.如权利要求8所述的刻蚀设备，其特征在于，所述气体供应控制装置连接所述主进气阀门、所述第一副进气阀门和所述第二副进气阀门，所述气体供应控制装置通过控制所述主进气阀门、所述第一副进气阀门和所述第二副进气阀门来控制所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路的进气量。

10.如权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，还包括：抽气装置和排气管路，所述抽气装置位于所述反应腔底部连通所述反应腔和排气管路。

技术总结
本申请提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括：反应腔，所述反应腔的顶部设置有若干均匀分布的第一进气口，所述反应腔的侧壁设置有若干均匀分布的第二进气口；若干第一副进气管路，分别连通所述反应腔顶部的若干第一进气口；若干第二副进气管路，分别连通所述反应腔侧壁的若干第二进气口；主进气管路，连通所述若干第一副进气管路和若干第二副进气管路。本申请提供一种刻蚀设备，在刻蚀设备反应腔的顶部和侧壁分别设置有若干均匀分布的第一进气口和第二进气口，可以提高进气均匀性，进而提高反应气体分布均匀性，可以提高晶圆刻蚀的均匀性。

技术研发人员：卫德强
受保护的技术使用者：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：20230801
技术公布日：2024/1/25