电磁屏蔽结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，具体而言，涉及一种电磁屏蔽结构。

背景技术：

1、随着半导体行业的快速发展，系统级封装(sip)模组结构广泛应用于半导体行业中。它将不同功能芯片封装后进行堆叠，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等。随着电子产品运用于通信领域高频信号，故需求产品具备分区电磁屏蔽功能，防止发生各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰现象。现有的分区emi屏蔽技术主要包括利用打线或金属柱制作屏蔽结构，在屏蔽结构的边缘角落区域，具有波长x方向以及y方向的绕线杂波，屏蔽结构在分割绕线波长时，绕线杂波容易在边角处形成聚集，聚集后的杂波可能穿过屏蔽结构，从而导致电磁屏蔽效果下降。

技术实现思路

1、本实用新型的目的包括，例如，提供了一种电磁屏蔽结构，其能够增强电磁屏蔽效果，防止杂波干扰。

2、本实用新型的实施例可以这样实现：

3、第一方面，本实用新型提供一种电磁屏蔽结构，包括：

4、衬底，所述衬底上设有接地焊盘；

5、第一电子器件，所述第一电子器件设于所述衬底上，且与所述衬底电连接；

6、屏蔽阻隔层，所述第一电子器件位于所述屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内；所述屏蔽阻隔层设有转角部；

7、增强屏蔽层，所述增强屏蔽层设于所述转角部，所述增强屏蔽层电连接于所述接地焊盘；

8、塑封体，所述塑封体设于所述衬底上，且包覆所述第一电子器件、所述屏蔽阻隔层和所述增强屏蔽层；

9、金属层，所述金属层设于所述塑封体上，所述金属层分别与所述屏蔽阻隔层和所述增强屏蔽层电连接。

10、在可选的实施方式中，所述屏蔽阻隔层包括多个均匀间隔设置的金属柱，所述金属柱沿至少两个不同的方向排列，所述转角部位于两个方向的交汇处。

11、在可选的实施方式中，所述增强屏蔽层包括第一屏蔽线弧，所述接地焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一屏蔽线弧的一端连接所述第一焊盘，另一端连接所述第二焊盘。

12、在可选的实施方式中，所述第一屏蔽线弧位于所述转角部远离所述第一电子器件的一侧。

13、在可选的实施方式中，所述第一焊盘和所述屏蔽阻隔层在第一方向上的间距为第一距离，所述第二焊盘和所述屏蔽阻隔层在第二方向上的间距为第二距离，所述第一距离和所述第二距离相等；所述第一方向和所述第二方向不同。

14、在可选的实施方式中，相邻两个所述金属柱在所述第一方向上的间距为第一距离，相邻两个所述金属柱在所述第二方向上的间距为第一距离。

15、在可选的实施方式中，所述第一屏蔽线弧包括至少一个波峰，所述波峰的高度高于所述金属柱的高度。

16、在可选的实施方式中，所述第一屏蔽线弧包括至少一个波谷，所述波谷与所述衬底之间有预设距离。

17、在可选的实施方式中，所述增强屏蔽层还包括加强导电柱，所述加强导电柱位于所述转角部靠近所述第一电子器件的一侧；

18、和/或所述加强导电柱位于所述转角部远离所述第一电子器件的一侧。

19、在可选的实施方式中，所述增强屏蔽层还包括第二屏蔽线弧，所述第二屏蔽线弧位于所述转角部靠近所述第一电子器件的一侧。

20、在可选的实施方式中，所述金属层覆盖所述增强屏蔽层和所述屏蔽阻隔层。

21、在可选的实施方式中，所述屏蔽阻隔层与所述接地焊盘电连接。

22、在可选的实施方式中，还包括第二电子器件，所述第二电子器件设于所述衬底设有所述屏蔽阻隔层的一侧，和/或所述第二电子器件设于所述衬底远离所述屏蔽阻隔层的一侧。

23、在可选的实施方式中，所述衬底上还设有底部保护胶，所述底部保护胶用于保护所述屏蔽阻隔层靠近所述衬底的一端和所述增强屏蔽层靠近所述衬底的一端。

24、在可选的实施方式中，所述衬底上凸设有转接块，所述衬底上设有与所述屏蔽阻隔层连接的打线焊盘，所述接地焊盘和/或所述打线焊盘位于所述转接块上。

25、可选的，所述屏蔽阻隔层的至少一边采用双层设计，两层所述屏蔽阻隔层对齐或错位设置。

26、在可选的实施方式中，所述屏蔽阻隔层呈正方形、长方形、菱形、三角形或多边形围设于所述第一电子器件的外周。

27、可选的，所述塑封体上开设有凹槽，所述屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层露出于所述凹槽；所述凹槽内设有导电层，所述导电层分别与所述屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层连接；所述金属层和所述导电层电连接。

28、可选的，所述导电层部分或全部填充所述凹槽。

29、可选的，所述导电层沿所述凹槽的侧壁、底壁以及所述屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层的表面设置，以使所述导电层的表面呈凹凸状。

30、第二方面，本实用新型提供一种电磁屏蔽结构，包括：

31、衬底，所述衬底上设有接地焊盘；

32、第一电子器件，所述第一电子器件设于所述衬底上，且与所述衬底电连接；

33、屏蔽阻隔层，所述第一电子器件位于所述屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内；所述屏蔽阻隔层设有转角部；所述屏蔽阻隔层包括多个间隔设置的金属柱，所述金属柱和所述接地焊盘连接；

34、所述转角部包括基准柱、第一金属柱和第二金属柱；所述基准柱和所述第一金属柱相距第一长度，所述基准柱和所述第二金属柱相距第二长度，所述第一金属柱和所述第二金属柱相距第三长度，所述第三长度小于或等于所述第一长度或所述第二长度；其中，所述第一金属柱为沿第一方向设置的多个金属柱中与所述基准柱相邻的金属柱，所述第二金属柱为沿第二方向设置的多个金属柱中与所述基准柱相邻的金属柱，所述基准柱位于所述第一方向和所述第二方向的交点；

35、塑封体，所述塑封体设于所述衬底上，且包覆所述第一电子器件和所述屏蔽阻隔层；

36、金属层，所述金属层设于所述塑封体上，所述金属层与所述屏蔽阻隔层电连接。

37、可选地，所述第一长度等于所述第二长度。

38、可选地，所述屏蔽阻隔层呈三角形。

39、可选地，所述转角部靠近和/或远离所述第一电子器件的一侧设有增强屏蔽层。

40、可选地，所述屏蔽阻隔层的至少一边采用双层设计，两层所述屏蔽阻隔层对齐或错位设置。

41、可选的，所述塑封体上开设有凹槽，所述屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层露出于所述凹槽；所述凹槽内设有导电层，所述导电层分别与屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层连接；所述金属层和所述导电层电连接。

42、可选的，所述导电层部分或全部填充所述凹槽。

43、可选的，所述导电层沿所述凹槽的侧壁、底壁以及所述屏蔽阻隔层和/或所述增强屏蔽层的表面设置，以使所述导电层的表面呈凹凸状。

44、本实用新型实施例的有益效果包括，例如：

45、本实用新型实施例提供的电磁屏蔽结构，在屏蔽阻隔层的转角部设置增强屏蔽层，增强屏蔽层和衬底上的接地焊盘连接，可以有效防止杂波在转角部聚集后穿过屏蔽阻隔层，增强电磁屏蔽效果，阻止杂波对第一电子器件的干扰。