用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室的制作方法

本技术涉及刻蚀腔室的，具体为用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室。

背景技术：

1、干法刻蚀又分为三种：物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀，其中化学性刻蚀是利用等离子体中的化学活性原子团与被刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀目的。

2、根据公开号为：cn210073761u的中国专利，一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，包括刻蚀室，所述刻蚀室的底板上开设有滑槽，所述滑槽的内部设置有滑块，所述滑块远离滑槽的一端固定连接有活动盘，所述活动盘远离滑块的一侧固定连接有支撑台。

3、上述方案仍存在如下缺点：由于支撑台被固定连接在活动盘的顶面，因此当半导体在被刻蚀加工时，半导体被固定在支撑台的顶面无法活动，因此当需要加工半导体的不同位置时，需要将半导体拆下，然后调整半导体的位置，并将半导体重新固定在支撑台的顶面上，上述过程较为繁琐，为半导体的刻蚀带来不便。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了提供用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，以解决，半导体被固定在支撑台的顶面无法活动，因此当需要加工半导体的不同位置时，需要将半导体拆下，然后调整半导体的位置，并将半导体重新固定在支撑台的顶面上，上述过程较为繁琐，为半导体的刻蚀带来不便的问题。

2、为了实现上述实用新型目的，本实用新型采用了以下技术方案：用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，包括刻蚀箱，所述刻蚀箱的一侧开设有加工槽，所述加工槽的内部可拆卸的设置有活动板，所述活动板的顶面开设有固定槽，所述固定槽的内部底面固定有驱动电机，所述驱动电机的输出轴固定有放置盘，所述放置盘的顶面可以放置半导体，所述加工槽的内部底面开设有两个限位槽，所述限位槽的内部可拆卸的设置有滑动块，所述滑动块的顶面与活动板的底面固定。

3、优选的，所述放置盘的外壁面开设有两个螺纹槽，所述放置盘的外壁面设置有两个挤压块，所述挤压块的一侧开设有套接孔，所述套接孔的内部滑动插接有固定螺栓，所述固定螺栓穿过套接孔的外壁面与螺纹槽的内部螺纹连接，所述挤压块靠近放置盘的一侧固定有防滑块。

4、优选的，所述挤压块的顶面开设有定位槽，所述挤压块的上方设置有按压板，所述按压板的顶面开设有穿透孔，所述穿透孔的内部滑动插接有挤压螺栓，所述挤压螺栓穿过穿透孔的外壁面与定位槽的内部螺纹连接。

5、优选的，所述刻蚀箱的顶面固定有两个定位块，两个所述定位块之间转动设置有连接块，所述连接块的一侧固定有翻转板。

6、优选的，所述翻转板的一侧开设有固定口，所述固定口的内部固定有观察窗。

7、优选的，所述活动板靠近翻转板的一侧开设有存放槽，所述存放槽的内部转动设置有把手。

8、与现有技术相比，采用了上述技术方案的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，具有如下有益效果：

9、一、刻蚀箱内部的在加工半导体时，被加工的半导体被放置在放置盘的顶面，固定半导体在加工槽内部的位置，启动的驱动电机会利用转动的输出轴带动放置盘在加工槽的内部旋转，放置盘在旋转的过程中会带动顶面放置的半导体同步旋转，半导体在旋转的过程中可以自动改变自身刻蚀的位置，增加在对半导体刻蚀的便利性；

10、二、螺纹槽内部转动的固定螺栓会朝着螺纹槽的内部旋进，旋进的固定螺栓会推动挤压块朝着放置盘的表面移动，通过挤压块移动距离的不同即可将不同直径的半导体固定在放置盘的顶面，固定了半导体在放置盘顶面的位置后，使用者会转动定位槽内部的挤压螺栓，挤压螺栓在旋进的过程中会推动按压板按压在半导体的顶面，增加了半导体在放置盘顶面位置的稳定性；

11、三、翻转板在翻转扣在刻蚀箱的一侧可以将加工槽遮挡封闭起来，避免使用者的肢体伸进加工槽的内部影响对半导体的刻蚀，在半导体被刻蚀的过程中，使用者会透过观察窗观察加工槽内部的情况，便于使用者了解半导体在被刻蚀的进程。

技术特征：

1.用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，包括刻蚀箱(1)，其特征在于，所述刻蚀箱(1)的一侧开设有加工槽(2)，所述加工槽(2)的内部可拆卸的设置有活动板(3)，所述活动板(3)的顶面开设有固定槽(4)，所述固定槽(4)的内部底面固定有驱动电机(5)，所述驱动电机(5)的输出轴固定有放置盘(6)，所述放置盘(6)的顶面可以放置半导体，所述加工槽(2)的内部底面开设有两个限位槽(7)，所述限位槽(7)的内部可拆卸的设置有滑动块(8)，所述滑动块(8)的顶面与活动板(3)的底面固定。

2.根据权利要求1所述的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，其特征在于：所述放置盘(6)的外壁面开设有两个螺纹槽(16)，所述放置盘(6)的外壁面设置有两个挤压块(17)，所述挤压块(17)的一侧开设有套接孔(18)，所述套接孔(18)的内部滑动插接有固定螺栓(19)，所述固定螺栓(19)穿过套接孔(18)的外壁面与螺纹槽(16)的内部螺纹连接，所述挤压块(17)靠近放置盘(6)的一侧固定有防滑块(24)。

3.根据权利要求2所述的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，其特征在于：所述挤压块(17)的顶面开设有定位槽(20)，所述挤压块(17)的上方设置有按压板(21)，所述按压板(21)的顶面开设有穿透孔(22)，所述穿透孔(22)的内部滑动插接有挤压螺栓(23)，所述挤压螺栓(23)穿过穿透孔(22)的外壁面与定位槽(20)的内部螺纹连接。

4.根据权利要求3所述的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，其特征在于：所述刻蚀箱(1)的顶面固定有两个定位块(10)，两个所述定位块(10)之间转动设置有连接块(11)，所述连接块(11)的一侧固定有翻转板(9)。

5.根据权利要求4所述的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，其特征在于：所述翻转板(9)的一侧开设有固定口(12)，所述固定口(12)的内部固定有观察窗(13)。

6.根据权利要求1所述的用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，其特征在于：所述活动板(3)靠近翻转板(9)的一侧开设有存放槽(14)，所述存放槽(14)的内部转动设置有把手(15)。

技术总结
本技术涉及刻蚀腔室的领域，公开了用于金属干法刻蚀设备的刻蚀腔室，包括刻蚀箱，所述刻蚀箱的一侧开设有加工槽，所述加工槽的内部可拆卸的设置有活动板，所述活动板的顶面开设有固定槽，所述固定槽的内部底面固定有驱动电机，所述驱动电机的输出轴固定有放置盘，所述放置盘的顶面可以放置半导体，所述加工槽的内部底面开设有两个限位槽，所述限位槽的内部可拆卸的设置有滑动块，所述滑动块的顶面与活动板的底面固定。在本技术中，启动的驱动电机会利用转动的输出轴带动放置盘在加工槽的内部旋转，放置盘在旋转的过程中会带动顶面放置的半导体同步旋转，半导体在旋转的过程中可以自动改变自身刻蚀的位置，增加在对半导体刻蚀的便利性。

技术研发人员：苏竑森,管士亚
受保护的技术使用者：嘉芯闳扬半导体设备科技（浙江）有限公司
技术研发日：20230823
技术公布日：2024/3/31