本技术涉及一种芯片封装前的晶圆划片结构,以及对划片后的晶圆进行uv解胶的专用设备,实现后续的取片生产,属于芯片封装。
背景技术:
1、芯片封装过程,大致是将经过蚀刻的晶圆,切割成小片,然后由带吸嘴的机械手,将晶片从晶圆上取下,装到芯片框架上进行固定,再通过打金线将晶片上的焊点与芯片框架上的焊点逐个连接在一起,形成i/o口,再经其他一些工序、注胶封装,最后形成可供使用的封装芯片。
2、芯片封装的第一步,即对晶圆进行切割,又称划片,沿晶圆上的划片槽将晶圆切割开,形成小的晶片;由于晶圆切割成的晶片很轻薄,吸取过程是逐片吸取晶片,在此过程中易造成被吸取晶片与剩余晶片之间的磕碰,或者被吸取晶片上升初期将剩余晶片的边缘带起,产生隐裂等风险,进而在芯片键合时产生损坏,造成最终芯片的良品率降低。
3、针对上述情况,有必要对晶圆的切割结构进行改进,以期提高最终封装芯片的良品率。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种晶圆划片结构及其uv解胶机,对晶圆的划片结构进行改进,从而方便晶片吸取过程中的安全可靠性;再进一步针对该晶圆划片结构,对uv解胶机进行改进,以期进一步提高晶片吸取过程中的安全可靠性,最终提高封装芯片的良品率。
2、本实用新型的第一方面,提供了一种晶圆划片结构,在减薄膜上设有晶圆,晶圆经切割后形成若干晶片及位于四周的残片;
3、在晶圆之间设有切割槽,切割槽两边切割形成2条割道,2条割道之间的晶圆残片形成鱼骨状残硅。
4、作为本实用新型的进一步改进,鱼骨状残硅的宽度为2-5mm。
5、作为本实用新型的进一步改进,合格的晶片与晶圆边缘的残片之间仅切割形成1条割道。
6、作为本实用新型的进一步改进,晶圆上纵向鱼骨状残硅与横向鱼骨状残硅的连接部位不被割穿,将周围的鱼骨状残硅连接在一起;
7、全部鱼骨状残硅连接在一起,形成网格残留。
8、本实用新型的第二方面,提供了一种晶圆划片后的uv解胶机,底部设有uv灯;上部设有透光平台,底部设有盖板;
9、透光平台上设有采用如上所述晶圆划片结构而形成的减薄膜及晶圆;
10、在透光平台的下方,设有遮光网罩,遮光网罩上设有遮光条;
11、uv灯发出的光线,被遮光条所遮蔽形成阴影,阴影透过透光平台遮蔽减薄膜的底部,形成遮光区域,遮光区域与减薄膜上的鱼骨状残硅所在区域相对应;
12、uv灯发出的光线,穿过遮光网罩的遮光条之间区域,形成光照,并透过透光平台照射在减薄膜的底部,形成光照区域,光照区域与减薄膜上的合格晶片所在区域相对应。
13、作为本实用新型的进一步改进,遮光网罩上的遮光条的宽度尺寸窄于鱼骨状残硅的尺寸;
14、uv灯发出的光线照射在减薄膜的底部而形成的单个光照区域的尺寸大于合格的晶片的尺寸0~1mm。
15、作为本实用新型的进一步改进,遮光网罩的四周设有遮光块;
16、uv灯发出的光线,被遮光块所遮蔽形成阴影,阴影透过透光平台遮蔽减薄膜的底部,形成遮光区域,遮光区域与减薄膜上的四周的残片所在区域相对应。
17、作为本实用新型的进一步改进,遮光网罩可拆卸的安装在透光平台下方。
18、进一步的,遮光网罩紧贴透光平台的底面安装。
19、本实用新型首先提供了一种晶圆划片结构,使得合格晶片之间形成间隔,即鱼骨状残硅,从而在取片过程中不会相互干扰,提高晶片取用过程的安全性、可靠性。
20、据此晶圆划片结构,本实用新型又对uv解胶机进行了改进,在透光平台下方设置了遮光网罩,形成遮光区域,与减薄膜上的鱼骨状残硅所在区域相对应,从而保留鱼骨状残硅与减薄膜之间的粘结力,从而在吸取晶片的过程中,鱼骨状残硅不会受影响从减薄膜上脱离,造成其他风险。
21、本实用新型结构简单,易于实施,可显著提高晶片划片、取片过程中的安全性,可靠性,从而提高最终封装芯片的良品率,避免后续工序、材料的浪费。
1.晶圆划片结构,在减薄膜上设有晶圆,晶圆经切割后形成若干晶片及位于四周的残片;
2.如权利要求1所述的晶圆划片结构,其特征在于,鱼骨状残硅的宽度为2-5mm。
3.如权利要求1所述的晶圆划片结构,其特征在于,合格的晶片与晶圆边缘的残片之间仅切割形成1条割道。
4.如权利要求1所述的晶圆划片结构,其特征在于,晶圆上纵向鱼骨状残硅与横向鱼骨状残硅的连接部位不被割穿,将周围的鱼骨状残硅连接在一起;
5.晶圆划片后的uv解胶机,底部设有uv灯;上部设有透光平台,底部设有盖板;
6.如权利要求5所述的晶圆划片后的uv解胶机,其特征在于,遮光网罩上的遮光条的宽度尺寸窄于鱼骨状残硅的尺寸;
7.如权利要求5或6所述的晶圆划片后的uv解胶机,其特征在于,遮光网罩的四周设有遮光块;
8.如权利要求5所述的晶圆划片后的uv解胶机,其特征在于,遮光网罩可拆卸的安装在透光平台下方。
9.如权利要求5或8所述的晶圆划片后的uv解胶机,其特征在于,遮光网罩紧贴透光平台的底面安装。