本公开的例示的实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。
背景技术：
1、在专利文献1～3中记载有一种使用等离子体来对基片进行处理的等离子体处理装置。
2、专利文献1公开了基于经由配置于等离子体处理装置的处理腔室侧壁的检测窗传递的发光光谱的变化来检测等离子体处理的终点。
3、专利文献2公开了在晶片表面测量等离子体的在片监测系统(on-wafermonitoring system)。
4、专利文献3公开了在将基片载置于基片载置台上对其一边加热一边进行处理时，检测载置状态的异常的技术。
5、现有技术文献
6、专利文献
7、专利文献1：日本特开平11-233492号公报。
8、专利文献2：日本特开2003-282546号公报。
9、专利文献3：日本特开2010-109350号公报。
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本公开提供一种掌握等离子体处理的状态的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本公开的一个例示的实施方式中的等离子体处理方法在具有腔室和配置于腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理，该等离子体处理方法包括：(a)步骤，将基片配置于基片支承部；(b)步骤，在腔室内生成等离子体来对位于基片支承部的基片执行等离子体处理；(c)步骤，获取关于在(b)步骤中在腔室内生成的等离子体与配置于基片支承部的基片之间产生的离子通量的数据；和(d)步骤，基于数据来检测等离子体处理的终点。
5、发明效果
6、根据本公开的一个例示的实施方式，能够提供掌握等离子体处理的状态的技术。
1.一种等离子体处理方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于：
6.一种等离子体处理装置，其特征在于：
7.一种等离子体处理方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于：
10.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
11.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
12.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：
13.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：
14.一种等离子体处理装置，其特征在于：