本发明涉及一种晶圆形状的模型化方法及晶圆的制造方法。
背景技术：
1、以往，对半导体晶圆要求高平坦度。关于晶圆的平坦度，通常使用静电电容式或光学干涉方式的形状测定装置进行晶圆的形状测定，并用变形(warp)或纳米拓扑(nano-topography)等参数进行评价。
2、作为关于晶圆的平坦度评价的技术，在专利文献1中公开有以下方法：使用静电电容式形状测定装置测定晶圆形状时，将外周部的加工应变作为干扰而排除，由此精度良好地评价纳米拓扑。
3、并且，在专利文献2中公开有以下方法：由将晶圆的半径方向上的位置r作为变量的多项式来表示沿晶圆的径向的形状，并按每一规定的角度θ重复，由此将晶圆整个面的表面形状数据化。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特许第5862492号公报
7、专利文献2：日本特许第6899080号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的技术问题
2、然而，在专利文献1中所记载的方法中，为了通过纳米拓扑进行评价而排除了晶圆的外周部的加工应变，因此无法评价外周部的波纹。
3、并且，专利文献2中所记载的方法能够掌握晶圆的径向的形状，但无法掌握周向的波纹。
4、本发明的目的在于提供一种能够在整个晶圆上再现晶圆的周向的波纹，并且能够精度良好地评价晶圆的波纹的晶圆形状的模型化方法及晶圆的制造方法。
5、用于解决技术问题的方案
6、本发明的晶圆形状的模型化方法为通过函数将晶圆形状模型化的方法，其特征在于，所述函数为计算晶圆的厚度方向的位移z的函数，且为包含以下函数的多个函数之和：第一函数g(r)，将距所述晶圆的中心的距离r作为变量的一次以上的多项式；第二函数ar×h(nθ)，将以所述晶圆的周向的规定位置为基准的第一角度θ作为变量且将整数n作为常数的正弦函数或余弦函数h(nθ)乘以系数a和所述距离r；及第三函数br×i(m(θ-φ))，将所述第一角度θ作为变量且将以所述规定位置为基准的第二角度φ和整数m作为常数的正弦函数或余弦函数i(m(θ-φ))乘以系数b和所述距离r。
7、在上述晶圆形状的模型化方法中，可以为，所述第二函数为由a1r×h1(n1θ)+a2r×h2(n2θ)+……+anr×hn(nnθ)(n为1以上的整数)表示的函数，所述第三函数为由b1r×i1(m1(θ-φ))+b2r×i2(m2(θ-φ))+……+bmr×im(mm(θ-φ))(m为1以上的整数)表示的函数。
8、在上述晶圆形状的模型化方法中，可以为，所述规定位置为用于表示晶体方位的基准位置，所述第二角度φ为从晶锭切割出所述晶圆时的切割进给方向与连结所述基准位置和所述晶圆的中心的直线所成的角度。
9、在上述晶圆形状的模型化方法中，可以为，所述第一函数为三次多项式，所述第二函数为ar×sin4θ，所述第三函数为b1r×cos2(θ-φ)+b2r×cos3(θ-φ)。
10、本发明的晶圆的制造方法的特征在于，具有以下工序：切片工序，通过切割晶锭来获得所述晶圆；磨削工序，对所述晶圆的两面进行抛光；模型化工序，利用上述任一晶圆形状的模型化方法来将晶圆形状模型化；及评价工序，根据所获得的模型来进行所述晶圆的评价。
11、在上述晶圆的制造方法中，可以为，所述评价根据通过所述晶圆形状的模型化方法求出的所述函数的系数的大小来进行。
1.一种晶圆形状的模型化方法，其为通过函数将晶圆形状模型化的方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶圆形状的模型化方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶圆形状的模型化方法，其中，
4.根据权利要求3所述的晶圆形状的模型化方法，其中，
5.一种晶圆的制造方法，其具有以下工序：
6.根据权利要求5所述的晶圆的制造方法，其中，