本发明涉及二极管制备，尤其涉及一种高反压二极管制备工艺。
背景技术：
1、高反压二极管是一种特殊设计的二极管，用于在高电压应用中承受较高的反向电压。高反压二极管能够承受较高的反向电压，通常在数百伏特至数千伏特范围内，这使得它们适用于高电压电源、电力系统和高压测量等应用领域。
2、在半导体分立器件领域，肖特基二极管是一种应用广泛的器件。具有低功耗、大电流、开关速度快的特点。它的正向压降可以达到0.4v左右，普通二极管则在0.7v左右。开关速度可以小到几纳秒，而整流电流可以达到上百安培。同时还具有噪声低、检波灵敏度高、稳定可靠等特点。在开关电源、整流滤波等电路中，作为高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
3、晶片腐蚀工艺是制造半导体材料二极管的重要过程之一，它通常使用化学腐蚀技术来实现，但是，目前，晶片不同区域的腐蚀速度可能会有差异，导致器件性能不一致，因此，我们提出了一种高反压二极管制备工艺来解决上述问题。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了解决现有技术中存在的晶片不同区域的腐蚀速度可能会有差异，导致器件性能不一致的缺点，而提出的一种高反压二极管制备工艺。
2、为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
3、一种高反压二极管制备工艺，包括以下步骤：
4、s1、选择合适厚度的半导体材料，对材料进行精细加工和掺杂，以获得所需的电子特性，制成扩散晶片；
5、s2、对晶片进行清洗和去污，以确保表面没有杂质和污染物，并在清洗后对晶片表面进行氧化处理，使其表面形成一层致密氧化膜；
6、s3、通过光刻将有源区区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护；
7、s4、对氧化层进行湿法腐蚀，形成接触孔；
8、s5、通过腐蚀溶液将引线孔处的氧化膜去除；
9、s6、对晶片表面进行蒸镀ni层，形成金属电极；
10、s7、对ni层进行腐蚀，并腐蚀后进行清洗，清洗后进行烘干；
11、s8、利用高精度的电子设备，将金属电极连接到晶片上；
12、s9、将加工好的晶片放置在合适的封装中，并对封装后的二极管进行测试。
13、作为本发明的一种优选技术方案，所述氧化膜的厚度为10-15μm。
14、作为本发明的一种优选技术方案，所述湿法腐蚀的具体步骤为：采用第一腐蚀液滴落在光刻胶层中的缝隙，由第一腐蚀液对氧化层进行腐蚀30-40s，且采用第一腐蚀液反复腐蚀3-5次，第一腐蚀液温度为10-15℃。
15、作为本发明的一种优选技术方案，所述第一腐蚀液为含hno3与ch3cooh的水溶液，第一腐蚀液中hno3与ch3cooh的总质量浓度为60-80％，hno3与ch3cooh的质量比为1：2-3。
16、作为本发明的一种优选技术方案，对所述ni层进行腐蚀的方法为：将第二腐蚀液覆盖在ni层的表面30-45s，反复覆盖2-3次，第二腐蚀液温度为18-22℃，所述第二腐蚀液为含hno3、hf及ch3cooh的水溶液，第二腐蚀液中hno3、hf及ch3cooh的总质量浓度为10-15％，hno3、hf及ch3cooh的质量比为3-5：1：2。
17、作为本发明的一种优选技术方案,所述s7中清洗的具体方法为：将晶片置于去离子水中溢流2-4min，去离子水的温度为25-30℃。
18、作为本发明的一种优选技术方案,所述s7中烘干的具体方法为：首先把清洗后的晶片进行甩干，并在甩干后放入烘箱中进行烘干，烘箱的温度为50-60℃，且烘干20-40min。
19、本发明的有益效果是：
20、1、本发明通过减少单次腐蚀时间，并提高腐蚀次数来对晶片进行腐蚀，以提高对晶片腐蚀的均匀度，提高器件性能的一致性。
21、2、通过对氧化层与ni层分开进行腐蚀，进一步的提高了腐蚀的均匀度，并能更好的控制腐蚀速率。
1.一种高反压二极管制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于，所述氧化膜的厚度为10-15μm。
3.根据权利要求1所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于，所述湿法腐蚀的具体步骤为：采用第一腐蚀液滴落在光刻胶层中的缝隙，由第一腐蚀液对氧化层进行腐蚀30-40s，且采用第一腐蚀液反复腐蚀3-5次，第一腐蚀液温度为10-15℃。
4.根据权利要求3所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于，所述第一腐蚀液为含hno3与ch3cooh的水溶液，第一腐蚀液中hno3与ch3cooh的总质量浓度为60-80％，hno3与ch3cooh的质量比为1：2-3。
5.根据权利要求1所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于，对所述ni层进行腐蚀的方法为：将第二腐蚀液覆盖在ni层的表面30-45s，反复覆盖2-3次，第二腐蚀液温度为18-22℃，所述第二腐蚀液为含hno3、hf及ch3cooh的水溶液，第二腐蚀液中hno3、hf及ch3cooh的总质量浓度为10-15％，hno3、hf及ch3cooh的质量比为3-5：1：2。
6.根据权利要求1所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于,所述s7中清洗的具体方法为：将晶片置于去离子水中溢流2-4min，去离子水的温度为25-30℃。
7.根据权利要求1所述的一种高反压二极管制备工艺，其特征在于,所述s7中烘干的具体方法为：首先把清洗后的晶片进行甩干，并在甩干后放入烘箱中进行烘干，烘箱的温度为50-60℃，且烘干20-40min。