低压低漏电流铝电解电容器用电解液及其制备方法与流程

文档序号:37584145发布日期:2024-04-18 12:09阅读:8来源:国知局
低压低漏电流铝电解电容器用电解液及其制备方法与流程

本发明涉及低压低漏电流铝电解电容器用电解液及其制备方法。


背景技术:

1、铝电解电容器是应用在电子产品中重要的储能元件;随着科学技术的快速发展,市场对铝电解电容器的性能、寿命和稳定性的要求越来越高;漏电流是对铝电解电容器损伤最大的问题之一,主要因为漏电流会消耗电解液,造成铝电解电容器过早干涸失效;电解电容漏电流偏大,用在滤波上会使滤波不好,用音响中,会有很大交流声;漏电流偏大工作时间长会使电容发热,容易发生电容爆裂;漏电流降低可以有效降低电解液的消耗,有利于延长铝电解电容器的使用寿命;低压电解液电导率越高,电阻就越小,电容器在实际使用过程中发热量更少,电解液挥发损失越少,电容器使用寿命越长,因此,提供一种低压低漏电流铝电解电容器用电解液及其制备方法。


技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有的缺陷而提供的低压低漏电流铝电解电容器用电解液及其制备方法,有效降低电容器的漏电流,使漏电流处于较低水平。

2、实现上述目的的技术方案是:

3、本发明之一的低压低漏电流铝电解电容器用电解液,用于降低电容器的漏电流,所述电解液原料及其重量份配比:乙二醇:50-70份、去离子水:15-30份、己二酸铵:5-15份、甲酸铵:5-15份、磷酸盐:0.1-1份、消氢剂:0.1-3份、高聚物:1-5份、漏电流抑制剂:0.1-1份。

4、优选的,所述磷酸盐为次亚磷酸铵、磷酸二氢铵、磷酸铵中的一种或多种。

5、优选的,所述消氢剂为对硝基苯甲酸、对硝基苯甲醇、对硝基苯酚中的一种或多种。

6、优选的,所述高聚物为聚乙烯吡咯烷酮、甘露醇、葡萄糖中的一种或多种。

7、优选的,所述漏电流抑制剂为3,5-二羟基苯甲酸、硅钨酸、硝酸锶中的一种或多种。

8、本发明之二的低压低漏电流铝电解电容器用电解液的制备方法,包括:

9、步骤s1,将乙二醇、己二酸铵、甲酸铵混合后于105-125℃搅拌反应60-90min;

10、步骤s2,将温度降至70-90℃,然后加入磷酸盐、消氢剂、高聚物、漏电流抑制剂、去离子水保温搅拌20-60min;

11、步骤s3,将电解液冷却至室温,加入氨水调节ph值至偏中性即得电解液。

12、本发明的有益效果是:本发明中的电解液中含有去离子水,水是极强的极性溶剂,溶剂化效应极好,电离时能产生大量离子,可获得较低的电阻率;电解液中加入甲酸铵也可以增大电解液的电导率,漏电流抑制剂与本发明的溶质和溶剂体系搭配使用,可以有效降低电容器的漏电流,使其处于较低水平,降低漏电流对电容器性能的稳定性十分重要;本发明通过对电解液配方的优化,使制得的电解液漏电流处于较低水平,电解液电导率高达21ms/cm,闪火电压≥120v;其组装而成的铝电解电容器具有低漏电流,高电导率的优点,可用于铝电解电容器的制造。



技术特征:

1.低压低漏电流铝电解电容器用电解液,用于降低电容器的漏电流,其特征在于,所述电解液原料及其重量份配比:乙二醇:50-70份、去离子水:15-30份、己二酸铵:5-15份、甲酸铵:5-15份、磷酸盐:0.1-1份、消氢剂:0.1-3份、高聚物:1-5份、漏电流抑制剂:0.1-1份。

2.根据权利要求1所述的低压低漏电流铝电解电容器用电解液,其特征在于,所述磷酸盐为次亚磷酸铵、磷酸二氢铵、磷酸铵中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的低压低漏电流铝电解电容器用电解液,其特征在于,所述消氢剂为对硝基苯甲酸、对硝基苯甲醇、对硝基苯酚中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的低压低漏电流铝电解电容器用电解液,其特征在于,所述高聚物为聚乙烯吡咯烷酮、甘露醇、葡萄糖中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的低压低漏电流铝电解电容器用电解液,其特征在于,所述漏电流抑制剂为3,5-二羟基苯甲酸、硅钨酸、硝酸锶中的一种或多种。

6.低压低漏电流铝电解电容器用电解液的制备方法,其特征在于,包括:


技术总结
本发明公开了低压低漏电流铝电解电容器用电解液,用于降低电容器的漏电流,该电解液原料及其重量份配比:乙二醇:50‑70份、去离子水:15‑30份、己二酸铵:5‑15份、甲酸铵:5‑15份、磷酸盐:0.1‑1份、消氢剂:0.1‑3份、高聚物:1‑5份、漏电流抑制剂:0.1‑1份。还公开了低压低漏电流铝电解电容器用电解液的制备方法,包括:步骤S1,将乙二醇、己二酸铵、甲酸铵混合后于105‑125℃搅拌反应60‑90min;步骤S2,将温度降至70‑90℃,然后加入磷酸盐、消氢剂、高聚物、漏电流抑制剂、去离子水保温搅拌20‑60min;步骤S3,将电解液冷却至室温,加入氨水调节Ph值至偏中性即得电解液。有效降低电容器的漏电流,使漏电流处于较低水平。

技术研发人员:魏宇学,刘劲松,孙松,陈京帅
受保护的技术使用者:合肥诚越电子科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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