显示面板的制作方法

文档序号:38347470发布日期:2024-06-19 12:01阅读:38来源:国知局

本申请涉及显示,具体涉及一种显示面板。


背景技术:

1、现有的显示面板在制备薄膜晶体管的栅极走线后会对显示面板进行高温活化氢化处理。为了提高栅极走线的耐高温的性能,现有技术中采用钼或者钼钨合金等材料制备栅极走线。然而,采用钼以及钼钨合金等材料制备的栅极走线的阻抗较高,导致显示面板的品质较低。


技术实现思路

1、本申请的实施例提供一种显示面板,旨在降低栅极走线的阻抗,提高显示面板的品质。

2、一方面,本申请的实施例提供一种显示面板,包括:衬底和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述衬底上,所述薄膜晶体管包括:有源层、源漏极层、栅极绝缘层以及栅极层,所述有源层包括沟道部;所述源漏极层设置于所述有源层上且位于所述沟道部的相对两侧;所述栅极绝缘层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧或者所述有源层靠近所述衬底的一侧;所述栅极层设置于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧且与所述沟道部交叠,所述栅极层包括保护层、阻隔层以及低阻抗层,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层,所述第一保护层、所述第一阻隔层、所述低阻抗层、所述第二阻隔层以及所述第二保护层沿垂直于所述衬底所在的平面的方向依次层叠设置,其中,所述保护层的材料、所述阻隔层的材料以及所述低阻抗层的材料均不相同。

3、可选地,在本申请的一些实施例中,所述保护层的材料包括钼、钛以及钨中的至少一种。

4、可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一保护层和所述第二保护层的厚度均介于100埃至1000埃之间。

5、可选地,在本申请的一些实施例中,所述阻隔层的材料包括金属氧化物或者金属氮化物。

6、可选地,在本申请的一些实施例中,所述阻隔层的材料包括钼-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钼、钛-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钛、钨-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钨中的至少一种。

7、可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的厚度均介于100埃至500埃之间。

8、可选地,在本申请的一些实施例中,所述低阻抗层的材料包括铝、铜、银以及金中的至少一种。

9、可选地,在本申请的一些实施例中,所述低阻抗层的厚度介于2000埃至6000埃之间。

10、可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一保护层和所述第二保护层的材料不相同,和/或,所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的材料不相同。

11、可选地,在本申请的一些实施例中,所述第一保护层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述第一阻隔层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述低阻抗层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述第二阻隔层靠近所述衬底一侧的表面的面积以及所述第二保护层靠近所述衬底一侧的表面的面积逐渐减小。

12、本申请提供的显示面板包括:衬底和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述衬底上,所述薄膜晶体管包括:有源层、源漏极层、栅极绝缘层以及栅极层,所述有源层包括沟道部;所述源漏极层设置于所述有源层上且位于所述沟道部的相对两侧;所述栅极绝缘层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧或者所述有源层靠近所述衬底的一侧;所述栅极层设置于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧且与所述沟道部交叠,所述栅极层包括保护层、阻隔层以及低阻抗层,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层,所述第一保护层、所述第一阻隔层、所述低阻抗层、所述第二阻隔层以及所述第二保护层沿垂直于所述衬底所在的平面的方向依次层叠设置,其中,所述保护层的材料、所述阻隔层的材料以及所述低阻抗层的材料均不相同,即通过在低阻抗层靠近衬底的一侧和低阻抗层远离衬底的一侧均设置保护层和阻隔层,以避免栅极层在高温下阻抗变大,使得栅极层具有耐高温的性能,与此同时,低阻抗层具有较低的阻抗,使得栅极层耐高温的同时阻抗也较低,从而改善了现有的栅极层阻抗较高的问题,提高了显示面板的品质。



技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层的材料包括钼、钛以及钨中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层的厚度均介于100埃至1000埃之间。

4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阻隔层的材料包括金属氧化物或者金属氮化物。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阻隔层的材料包括钼-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钼、钛-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钛、钨-氮化钛-铝、铜-氮化钛-钨中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的厚度均介于100埃至500埃之间。

7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述低阻抗层的材料包括铝、铜、银以及金中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述低阻抗层的厚度介于2000埃至6000埃之间。

9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层的材料不相同,和/或,所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的材料不相同。

10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述第一阻隔层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述低阻抗层靠近所述衬底一侧的表面的面积、所述第二阻隔层靠近所述衬底一侧的表面的面积以及所述第二保护层靠近所述衬底一侧的表面的面积逐渐减小。


技术总结
本申请公开了一种显示面板,该显示面板包括:衬底和薄膜晶体管,薄膜晶体管设置于衬底上,薄膜晶体管包括:有源层、源漏极层、栅极绝缘层以及栅极层,有源层包括沟道部;源漏极层设置于有源层上且位于沟道部的相对两侧;栅极绝缘层设置于有源层远离衬底的一侧或者有源层靠近衬底的一侧;栅极层设置于栅极绝缘层远离有源层的一侧且与沟道部交叠,栅极层包括保护层、阻隔层以及低阻抗层,保护层包括第一保护层和第二保护层,阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层,第一保护层、第一阻隔层、低阻抗层、第二阻隔层以及第二保护层沿垂直于衬底所在的平面的方向依次层叠设置,其中,保护层的材料、阻隔层的材料以及低阻抗层的材料均不相同。

技术研发人员:李聪明,吴志林,于丹睿,艾飞,宋德伟
受保护的技术使用者:武汉华星光电技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/6/18
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