微型发光结构、制备方法及发光装置与流程

文档序号:38347499发布日期:2024-06-19 12:01阅读:53来源:国知局

本申请涉及发光,尤其涉及一种微型发光结构、制备方法及发光装置。


背景技术:

1、micro-led(micro-light emitting diode,微米发光二极管)是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列。

2、在相关技术中,微型发光结构存在光串扰现象。


技术实现思路

1、本申请在于提供了一种微型发光结构、制备方法及发光装置。

2、本申请采用的技术方案如下:

3、第一方面,本申请实施例提供了一种微型发光结构,包括:

4、驱动芯片,所述驱动芯片设有第一焊盘和第二焊盘;

5、设置于所述驱动芯片上的微型发光芯片,所述微型发光芯片包括呈阵列排布的多个发光单元、围挡于每个所述发光单元周侧的消光框,以及覆盖所述发光单元和所述消光框的导电层;

6、其中,每个所述发光单元均包括第一电极连接端和第二电极连接端,每一所述发光单元的第一电极连接端均与一对应所述第一焊盘电连接,多个所述发光单元的第二电极连接端通过所述导电层电连接与对应第二焊盘电连接,所述导电层为透光材料层。

7、在第一方面的其中一个实施例中,所述消光框设有多个隔间,所述隔间与所述发光单元对应设置,所述消光框将每个所述发光单元分隔于所述隔间,每个所述隔间远离所述驱动芯片的一侧均开设有敞口,所述敞口用于将所述发光单元的所述第二电极连接端暴露。

8、在第一方面的其中一个实施例中,所述敞口的口径小于或等于所述发光单元的发光区域。

9、在第一方面的其中一个实施例中,所述消光框为导电材料,所述导电层通过所述消光框与所述第二焊盘连接。

10、在第一方面的其中一个实施例中,所述导电材料为类金刚石膜。

11、在第一方面的其中一个实施例中,所述发光单元的周侧和所述导电层靠近所述驱动芯片的一侧均设置有钝化层,所述钝化层开设有多条通槽,多条所述通槽交叉设置于所述发光单元的周侧,所述消光框设置于所述通槽。

12、在第一方面的其中一个实施例中,所述导电层背离所述发光单元的一侧设有绝缘层,所述绝缘层与所述导电层贴合;

13、所述微型发光结构还包括调光层,所述调光层贴合于所述绝缘层背离所述导电层的一侧,且所述调光层具有多个调光区,所述调光区与所述发光单元对应设置,每个所述调光区均可将对应的所述发光单元发射的光线转换为一种基色光线,多个所述调光区能够利用对应的所述发光单元发射的光线合成白光。

14、在第一方面的其中一个实施例中,所述调光层包括阻光阵列,所述阻光阵列开设有多个镂空部,所述镂空部设有所述调光区。

15、在第一方面的其中一个实施例中,所述调光层包括多个子像素层,多个所述子像素层层叠设置,每个所述子像素层均设有一种对应基色的所述调光区,不同所述子像素的所述调光区的对应基色不同,且不同基色的所述调光区错位设置。

16、第二方面,本申请实施例还提供了一种微型发光结构的制备方法,包括:

17、将发光晶圆片与驱动芯片键合,对键合后的所述发光晶圆片进行刻蚀得到具有多个发光单元的微型发光芯片,所述发光单元的第二电极连接端裸露;

18、在每个所述发光单元的周侧生成消光框;

19、在所述发光单元的第二电极连接端沉积透光的导电层,并使所述导电层与所述驱动芯片的第二焊盘连接。

20、在第二方面的其中一个实施例中,所述在每个所述发光单元的周侧生成所述消光框包括:

21、在每个所述发光单元的周侧沉积类金刚石膜,以形成具有多个隔间的所述消光框。

22、在第二方面的其中一个实施例中,所述在所述发光单元的第二电极连接端沉积透光的导电层包括:

23、所述导电层盖设于所述消光框,且所述消光框分别与所述导电层和所述驱动芯片的第二焊盘电连接。

24、在第二方面的其中一个实施例中,所述微型发光结构的制备方法还包括:

25、在所述导电层背离所述微型发光芯片的一侧沉积绝缘层,在所述绝缘层背离所述导电层的一侧设置调光层。

26、在第二方面的其中一个实施例中,所述在所述绝缘层背离所述导电层的一侧设置调光层包括:

27、在所述绝缘层背离所述导电层的一侧涂覆深色光阻材料,刻蚀形成带有镂空部的阻光阵列;

28、所述镂空部填充调光材料,生成调光区。

29、在第二方面的其中一个实施例中,所述在所述绝缘层背离所述导电层的一侧设置调光层包括:

30、在所述绝缘层背离所述导电层的一侧依次涂覆多层不同基色的调光材料,每层调光材料涂覆完成后,通过紫外线猝灭形成不同基色的子像素层。

31、第三方面,本申请实施例还提供了一种发光装置,包括上述任一实施例中所述的微型发光结构,或者,包括上述任一实施例中所述的制备方法制备的微型发光结构。

32、本申请提供了一种微型发光结构、制备方法及发光装置,相对于相关技术,本申请通过导电层令多个发光单元的第二电极连接端共电位,使多个发光单元共用电极,在不增加发光装置的发光面面积的情况下,能够提升微型发光芯片的集成度及解析度,提高微型发光芯片的发光亮度。并且,本申请通过在发光单元的周侧设置消光框,对发光单元的周侧发射光线进行阻挡或吸收,改善相邻发光单元之间的光串扰现象,提升显示清晰度。



技术特征:

1.一种微型发光结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的微型发光结构,其特征在于,所述消光框设有多个隔间,所述隔间与所述发光单元对应设置,所述消光框将每个所述发光单元分隔于所述隔间,每个所述隔间远离所述驱动芯片的一侧均开设有敞口,所述敞口用于将所述发光单元的所述第二电极连接端暴露。

3.根据权利要求2所述的微型发光结构,其特征在于,所述敞口的口径小于或等于所述发光单元的发光区域。

4.根据权利要求2所述的微型发光结构,其特征在于,所述消光框为导电材料,所述导电层通过所述消光框与所述第二焊盘连接。

5.根据权利要求4所述的微型发光结构,其特征在于,所述导电材料为类金刚石膜。

6.根据权利要求1所述的微型发光结构,其特征在于,所述发光单元的周侧和所述导电层靠近所述驱动芯片的一侧均设置有钝化层,所述钝化层开设有多条通槽,多条所述通槽交叉设置于所述发光单元的周侧,所述消光框设置于所述通槽。

7.根据权利要求1所述的微型发光结构,其特征在于,所述导电层背离所述发光单元的一侧设有绝缘层,所述绝缘层与所述导电层贴合;

8.根据权利要求7所述的微型发光结构,其特征在于,所述调光层包括阻光阵列,所述阻光阵列开设有多个镂空部,所述镂空部设有所述调光区。

9.根据权利要求7所述的微型发光结构,其特征在于,所述调光层包括多个子像素层,多个所述子像素层层叠设置,每个所述子像素层均设有一种对应基色的所述调光区,不同所述子像素的所述调光区的对应基色不同,且不同基色的所述调光区错位设置。

10.一种微型发光结构的制备方法,其特征在于,包括:

11.根据权利要求10所述的微型发光结构的制备方法,其特征在于,所述在每个所述发光单元的周侧生成所述消光框包括:

12.根据权利要求10所述的微型发光结构的制备方法,其特征在于,所述在所述发光单元的第二电极连接端沉积透光的导电层包括:

13.根据权利要求10至12中任一项所述的微型发光结构的制备方法,其特征在于,所述微型发光结构的制备方法还包括:

14.根据权利要求13所述的微型发光结构的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层背离所述导电层的一侧设置调光层包括:

15.根据权利要求13所述的微型发光结构的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层背离所述导电层的一侧设置调光层包括:

16.一种发光装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的微型发光结构,或者,包括权利要求10至15中任一项所述的制备方法制备的微型发光结构。


技术总结
本申请提供一种微型发光结构、制备方法及发光装置,涉及发光技术领域。微型发光结构包括驱动芯片和设置于所述驱动芯片上的微型发光芯片,所述驱动芯片设有第一焊盘和第二焊盘;所述微型发光芯片包括呈阵列排布的多个发光单元、围挡于每个所述发光单元周侧的消光框,以及覆盖所述发光单元和所述消光框的导电层;每个所述发光单元均包括第一电极连接端和第二电极连接端,每一所述发光单元的第一电极连接端均与一对应所述第一焊盘电连接,多个所述发光单元的第二电极连接端通过所述导电层电连接与对应第二焊盘电连接,所述导电层为透光材料层。

技术研发人员:钟舒婷,管云芳,张珂
受保护的技术使用者:深圳市思坦科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/6/18
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