一种具有高透光性荧光膜的器件及其制备方法与流程

本发明涉及半导体器件，尤其是指一种具有高透光性荧光膜的器件及其制备方法。

背景技术：

1、随着光电子技术的快速发展，led芯片和激光器在照明、显示、通信等领域的应用越来越广泛。

2、荧光膜需要具有良好的透光性，以便让led芯片或激光器发出的光线能够有效地穿过并传播，然而，如果荧光膜的材料吸收光线过多，或者其结构设计不合理，导致光线在荧光膜内部发生散射或反射，会降低其透光性；

3、且，荧光膜在工作过程中会产生热量，如果散热不良，会导致荧光膜温度升高，进而引发光衰，不利于热量的扩散和传导，使得热量在荧光膜内部积累。因此，我们提出一种具有高透光性荧光膜的器件及其制备方法来解决上述中存在的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明针之缺失，其主要目的是提供一种具有高透光性荧光膜的器件及其制备方法，其作用在于解决上述问题。

2、为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：包括以下步骤：

3、步骤一、预处理，对荧光膜侧面进行预处理，通过超声波清洗荧光膜侧面，确保无尘埃、油污；

4、步骤二、选用涂覆镀膜或等离子镀膜中的任意一种方式对荧光膜进行镀膜；

5、步骤三、冷却成型，镀膜结束后通过冷却系统进行冷却，使荧光膜侧面的反射层更加紧密。

6、作为一种优选方案，在所述步骤一中，超声波清洗包括以下步骤：

7、a、在超声波清洗机中加入有机溶剂清洗剂对荧光膜侧面进行清洗；

8、b、在超声波清洗机中加入水基清洗剂对荧光膜侧面进行清洗，清洗时设定溶剂温度为65℃；

9、c、第一次清水漂洗；

10、d、第二次清水漂洗；

11、e、脱水；

12、f、ipa慢拉干燥。

13、作为一种优选方案，在所述步骤二中，所述涂覆镀膜包括将处理后的荧光膜侧面，涂覆一层或者多层金属或金属化合物薄膜，并形成金属反射层，反射层厚度在50nm-500μm，所述金属包括金、银、铝及其化合物。

14、作为一种优选方案，在所述步骤二中，所述等离子镀膜包括将金属离子迁移到处理后的荧光膜侧面，形成金属反射层，反射层厚度在50nm-500μm，所述金属包括金、银、铝及其化合物。

15、作为一种优选方案，一种具有高透光性荧光膜的器件，包括：

16、基板；

17、发光组件，所述发光组件固定设置在基板顶部的中心位置；

18、荧光膜，所述荧光膜覆盖在发光组件的顶部；

19、镀膜组件，所述镀膜组件填充在所述发光组件和所述荧光膜的周围。

20、作为一种优选方案，所述荧光膜采用玻璃、陶瓷和蓝宝石中的任意一种。

21、作为一种优选方案，所述发光组件包括led芯片和激光器，制备时采用led芯片和激光器中的任意一种。

22、作为一种优选方案，所述基板采用氧化铝陶瓷基板和氮化物陶瓷基板中的任意一种。

23、本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是：

24、本发明通过对荧光膜四周侧面涂覆一层或者多层金属或金属化合物薄膜，或者将金属离子迁移到荧光膜侧面层，从而改变荧光膜的光学性能，提升荧光膜的透光率，高透光性荧光膜封装的led芯片或激光器具有更好的透光性，能够把led芯片或激光器激发出的光线更加集中激发出去，提升散热，避免荧光膜处于高温导致光衰及降低透过荧光膜侧边漏光降低光损，封装形成的led芯片或激光器具有更高透光性更高的亮度或照度。

25、为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。

技术特征：

1.一种具有高透光性荧光膜的器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、预处理，对荧光膜（3）侧面进行预处理，通过超声波清洗荧光膜（3）侧面，确保无尘埃、油污；步骤二、选用涂覆镀膜或等离子镀膜中的任意一种方式对荧光膜（3）进行镀膜；步骤三、冷却成型，镀膜结束后通过冷却系统进行冷却，使荧光膜（3）侧面的反射层更加紧密。

2.根据权利要求1所述的一种具有高透光性荧光膜的器件制备方法，其特征在于：在所述步骤一中，超声波清洗包括以下步骤：a、在超声波清洗机中加入有机溶剂清洗剂对荧光膜（3）侧面进行清洗；b、在超声波清洗机中加入水基清洗剂对荧光膜（3）侧面进行清洗，清洗时设定溶剂温度为65℃；c、第一次清水漂洗；d、第二次清水漂洗；e、ipa异丙醇脱水；f、ipa慢拉干燥。

3.根据权利要求1所述的一种具有高透光性荧光膜的器件制备方法，其特征在于：在所述步骤二中，所述涂覆镀膜包括将处理后的荧光膜（3）侧面，涂覆一层或者多层金属或金属化合物薄膜，并形成金属反射层，反射层厚度在50nm-500μm，所述金属包括金、银、铝及其化合物。

4.根据权利要求1所述的一种具有高透光性荧光膜的器件制备方法，其特征在于：在所述步骤二中，所述等离子镀膜包括将金属离子迁移到处理后的荧光膜（3）侧面，形成金属反射层，反射层厚度在50nm-500μm，所述金属包括金、银、铝及其化合物。

5.一种具有高透光性荧光膜的器件，由权利要求书1至4任一项所述的一种具有高透光性荧光膜的器件制备方法制备，其特征在于：包括：基板（1）；发光组件（2），所述发光组件（2）固定设置在基板（1）顶部的中心位置；荧光膜（3），所述荧光膜（3）覆盖在发光组件（2）的顶部；镀膜组件（4），所述镀膜组件（4）填充在所述发光组件（2）和所述荧光膜（3）的周围。

6.根据权利要求5所述的一种具有高透光性荧光膜的器件，其特征在于：所述荧光膜（3）采用玻璃、陶瓷和蓝宝石中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的一种具有高透光性荧光膜的器件，其特征在于：所述发光组件（2）包括led芯片和激光器，制备时采用led芯片和激光器中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的一种具有高透光性荧光膜的器件，其特征在于：所述基板（1）采用氧化铝陶瓷基板（1）和氮化物陶瓷基板（1）中的任意一种。

技术总结
本发明公开一种具有高透光性荧光膜的器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：基板；发光组件固定设置在基板顶部的中心位置；荧光膜，荧光膜覆盖在发光组件的顶部；镀膜组件，镀膜组件填充在所述发光组件和所述荧光膜的周围。通过对荧光膜四周侧面涂覆一层或者多层金属或金属化合物薄膜，或者将金属离子迁移到荧光膜侧面层，改变荧光膜的光学性能，提升荧光膜的透光率，高透光性荧光膜封装的LED芯片或激光器具有更好的透光性，能够把LED芯片或激光器激发出的光线更加集中激发出去，提升散热，避免荧光膜处于高温导致光衰及降低透过荧光膜侧边漏光降低光损，封装形成的LED芯片或激光器具有更高透光性更高的亮度或照度。

技术研发人员：黎嘉烨,陈志明,胡滎
受保护的技术使用者：深圳市华皓伟业光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/10