1.一种像素阵列，其特征在于，包括阵列排布的多个像素单元，所述像素单元包括第一光电二极管、第二光电二极管和激光发射器件；
2.根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述衬底包括在所述厚度方向上相背设置的第一表面和第二表面；
3.根据权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，所述三个pn结中最靠近所述第一表面的pn结为第一pn结，位于中间位置的pn结为第二pn结；
4.根据权利要求3所述的像素阵列，其特征在于，所述p型衬底包括p型本体层和形成于所述本体层上的p型外延层；
5.根据权利要求3所述的像素阵列，其特征在于，所述第一光电二极管还包括与所述第一pn结对应的第一连接结构，和与所述第二pn结对应的第二连接结构；
6.根据权利要求5所述的像素阵列，其特征在于，沿从所述第一光电二极管的边缘向所述第一光电二极管的中心的方向，所述第一连接结构的p型子连接结构、所述第一连接结构的n型子连接结构、所述第二连接结构的p型子连接结构、所述第二连接结构的n型子连接结构依次排列。
7.根据权利要求5所述的像素阵列，其特征在于，所述p型子连接结构包括p型掺杂区和p型接触部，所述p型掺杂区嵌设在所述p型衬底内，所述p型接触部嵌设在所述p型掺杂区内，且所述p型接触部暴露于所述第二表面；所述p型掺杂区的掺杂浓度小于所述p型接触部的掺杂浓度；
8.根据权利要求3所述的像素阵列，其特征在于，所述三个pn结中最靠近所述第二表面的pn结为第三pn结；
9.根据权利要求8所述的像素阵列，其特征在于，所述第一光电二极管还包括与所述第三pn结对应的第三连接结构，所述第三连接结构嵌设在所述第三pn结的n型层内，且与所述第三pn结的n型层接触；所述第三连接结构为n型掺杂，且所述第三连接结构的掺杂浓度大于所述第三pn结的n型层的掺杂浓度。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的像素阵列，其特征在于，所述像素单元包括两个所述第一光电二极管、一个所述第二光电二极管和一个所述激光发射器件；
11.根据权利要求1~9中任一项所述的像素阵列，其特征在于，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管为单光子雪崩二极管。
12.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，
15.根据权利要求12所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，
16.一种成像传感器，其特征在于，所述成像传感器包括：权利要求1~11中任一项所述的像素阵列，和与所述像素阵列相连的外围电路；
17.一种成像传感器的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求16所述的成像传感器；
18.根据权利要求17所述的成像传感器的控制方法，其特征在于，所述接收第一光电二极管响应于入射光而产生的第一感测信号，根据所述第一感测信号确定入射光的波长，包括：
19.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求16所述的成像传感器。